溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术的溅射装置具有：板状的调节器，设置于靶与基板之间，且具有与磁路相对应的开口，并遮盖不与所述磁路相对应的部分。所述调节器至少遮盖所述基板的面积的一半以上的面积。所述开口的形状具有大致扇形轮廓。从所述靶的旋转轴线方向观察，所述开口被配置为与所述磁路大致一致，所述靶的所述旋转轴线与所述基板的旋转轴线被配置为大致平行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射装置
本专利技术涉及溅射装置，特别涉及适合在减少倾斜成分而能够实现高覆盖率和靶的高利用效率的成膜中使用的技术。本申请基于2018年8月10日于日本申请的特愿2018-151527号主张优先权，在此援引其内容。
技术介绍
一直以来，作为半导体器件的制造工序，已知在具有预定纵横比的通孔或接触孔的内表面(内壁面和底面)上形成由Cu膜构成的籽晶层的工序。作为在这种Cu膜的成膜中使用的成膜装置，例如在专利文献1中已知一种溅射装置。该装置具备应处理基板与靶被相对配置的真空腔室，将溅射气体导入到真空腔室内，对靶接通电源以在基板与靶之间形成等离子体，通过使对靶进行溅射而飞散的溅射粒子(Cu自由基和Cu离子)附着并沉积于基板，从而在基板上形成Cu膜。在上述专利文献1记载的技术中，通过在基板与靶之间产生磁场来提高离子的方向性，从而能够在槽部的内壁面以均匀的覆盖率进行成膜。专利文献1：日本专利公开2013-80779号公报然而，在上述专利文献1记载的技术中存在如下问题，即：如果增大刻蚀，则倾斜入射到被处理基板上的溅射粒子的数量增多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射装置，使应成膜基板与安装于阴极的靶对置，利用在所述靶的背面设置的磁路，对所述靶进行溅射，以对所述基板进行成膜，其中，/n所述磁路的直径尺寸被设定为小于所述靶的半径，/n所述溅射装置具有：/n基板旋转部，使所述基板围绕所述基板的旋转轴线旋转；/n靶旋转部，使所述靶围绕所述靶的旋转轴线旋转；以及/n板状的调节器，设置于所述靶与所述基板之间，且具有与所述磁路相对应的开口，并遮盖不与所述磁路相对应的部分，/n所述调节器至少遮盖所述基板的面积的一半以上的面积，/n所述开口的形状具有大致扇形轮廓，/n从所述靶的所述旋转轴线方向观察，所述开口被配置为与所述磁路大致一致，/n所述靶的所述旋转轴线与...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180810 JP 2018-1515271.一种溅射装置，使应成膜基板与安装于阴极的靶对置，利用在所述靶的背面设置的磁路，对所述靶进行溅射，以对所述基板进行成膜，其中，
所述磁路的直径尺寸被设定为小于所述靶的半径，
所述溅射装置具有：
基板旋转部，使所述基板围绕所述基板的旋转轴线旋转；
靶旋转部，使所述靶围绕所述靶的旋转轴线旋转；以及
板状的调节器，设置于所述靶与所述基板之间，且具有与所述磁路相对应的开口，并遮盖不与所述磁路相对应的部分，
所述调节器至少遮盖所述基板的面积的一半以上的面积，
所述开口的形状具有大致扇形轮廓，
从所述靶的所述旋转轴线方向观察，所述开口被配置为与所述磁路大致一致，
所述靶的所述旋转轴线与所述基板的所述旋转轴线被配置为大致平行。


2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，
从所述靶的所述旋转轴线观察，所述开口的形状的大致扇形轮廓的圆心点被配置为与所述靶的所述旋转轴线大致一致。


3.根据权利要求1或2所述的溅射装置，其中，
从所述靶的所述旋转轴线观察，所述靶的所述旋转轴线与所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：小风丰，岩桥照明，佐佐木俊介，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP