电构件制造技术

本发明专利技术涉及一种电构件，具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，第一壳体部分(100)具有第一凹槽形成型部(110)，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上。所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，其中，第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料填充。

【技术实现步骤摘要】
电构件本申请是申请号为“201510454936.6”、申请日为2015年7月29日、专利技术名称为“电构件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种电构件。
技术介绍
四方扁平无引线封装(QFN)，也称为微引线框架(MLF)，是一种在电学中常用的用于集成电路(IC)的芯片壳体构造形式。该名称包括不同大小的IC-壳体，它们全部作为表面装配的构件钎焊在电路板上。这些壳体以不同的、大多是制造商特有的名称交易。典型的名称例如是DFN(英语DualFlatNo-leadPackage)或QFN(英语QuadFlatNo-leadPackage)。具有用特殊方法施加上的金属印制导线的压铸塑料构件被称为MoldedInterconnectDevices(注塑电路载体的英语)，简称MID，它们用作电部件或者机电部件的电路载体。MID技术的主要使用领域是汽车制造、工业自动化、药物技术、家电行业、通信技术、测量和分析技术以及航空和航天。MID能以不同的类型制成。用于施加印制导线以及发射面或屏蔽面的最重要的方法是双组分注塑、热压、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电构件，/n具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，/n其中，第一壳体部分(100)一体式地构造并具有第一凹槽形成型部(110)，所述第一凹槽形成型部(110)盆形地构造有环绕的边缘，其中所述环绕的边缘被向下形成到底部并形成倾斜的凹槽壁，/n其中，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，/n其中，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上，/n其中，所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，/n其中，所述第一凹槽...

【技术特征摘要】
20140729 DE 102014010977.11.电构件，
具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，
其中，第一壳体部分(100)一体式地构造并具有第一凹槽形成型部(110)，所述第一凹槽形成型部(110)盆形地构造有环绕的边缘，其中所述环绕的边缘被向下形成到底部并形成倾斜的凹槽壁，
其中，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，
其中，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上，
其中，所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，
其中，所述第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料(400)填充,
其中，所述印制导线(310，320，330)在面向所述电路载体的所述外侧(130)上的机械式去耦合通过直的或U形的平行的切口(140，150)获得，其中两个彼此平行地延伸的切口(140，150)构造得不达到所述下侧(130)上的外边缘；
第一壳体部分(100)具有第二凹槽形成型部，并且，
在所述第二凹槽形成型部中布置有永磁体(601)和/或导磁材料。


2.如权利要求1所述的电构件，其中，在第一半导体本体(200)和第一壳体部分(100)之间引入由第三塑料化合物组成的用于与第一半导体本体(200)和与第一壳体部分(100)材料锁合地连接的固定层(500)。


3.如前述权利要求之一所述的电构件，其中，第一壳体部分(100)作为压力注塑件制成，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·弗兰克，K·黑贝勒，O·布赖特维泽尔，T·考夫曼，
申请(专利权)人：TDK迈克纳斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE