电构件制造技术

本发明专利技术涉及一种电构件，具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，第一壳体部分(100)具有第一凹槽形成型部(110)，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上。所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，其中，第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料填充。

【技术实现步骤摘要】
电构件本申请是申请号为“201510454936.6”、申请日为2015年7月29日、专利技术名称为“电构件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种电构件。
技术介绍
四方扁平无引线封装(QFN)，也称为微引线框架(MLF)，是一种在电学中常用的用于集成电路(IC)的芯片壳体构造形式。该名称包括不同大小的IC-壳体，它们全部作为表面装配的构件钎焊在电路板上。这些壳体以不同的、大多是制造商特有的名称交易。典型的名称例如是DFN(英语DualFlatNo-leadPackage)或QFN(英语QuadFlatNo-leadPackage)。具有用特殊方法施加上的金属印制导线的压铸塑料构件被称为MoldedInterconnectDevices(注塑电路载体的英语)，简称MID，它们用作电部件或者机电部件的电路载体。MID技术的主要使用领域是汽车制造、工业自动化、药物技术、家电行业、通信技术、测量和分析技术以及航空和航天。MID能以不同的类型制成。用于施加印制导线以及发射面或屏蔽面的最重要的方法是双组分注塑、热压、掩模曝光方法、激光结构化和膜内注塑。原则上区分为减少材料的结构化方法和增加材料的金属化方法。
技术实现思路
本专利技术的任务是，尽可能改进电构件。该任务通过具有本专利技术的特征的电构件解决。有利的进一步构型包含在说明书中。因此，设置一种电构件。所述电构件具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分。所述塑料化合物包括热塑性的或热固性的化合物并且尤其包括硅酮和树脂。所述第一壳体部分具有第一凹槽形成型部。在该第一凹槽形成型部中布置有具有集成电路的第一半导体本体。在第一凹槽形成型部的表面上设置有至少两个印制导线。所述至少两个印制导线被引导第一壳体部分的外侧上。所述至少两个印制导线与所述集成电路连接。第一凹槽形成型部至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体的填料填充。申请人的研究表明，通过前述特征能获得一种具有标准化的端子配置图(英语，footprint)的、多用途的、能灵活使用的无框架封装。所述端子配置图优选根据JEDEC固态技术协会(SolidStateTechnologyAssociation)标准化。通过取消引线框架能更有利地制造所述封装。在半导体基底上的去层被显著减少或能被完全避免。通过如在附图的实施方式中示出的具体实现，同时优化了至今相互矛盾的要求。由此获得所述封装的良好机械刚性。所述印制导线良好地固定在所述壳体部分中。对半导体本体的遮盖以及必要时对其它部件如无源元件的遮盖得到优化。根据有利的扩展构型，在第一半导体本体和第一壳体部分之间引入一由第三塑料化合物组成的固定层，用于与第一半导体本体和与第一壳体部分材料锁合地连接。根据有利的扩展构型第一壳体部分作为注塑件制成。所述至少两个印制导线添入到该注塑件中。有利地借助减少材料的结构化MID方法和/或添加材料的金属化MID方法加工所述至少两个印制导线。例如所述印制导线作为金属性内置件来加工。根据有利的扩展构型，在第一凹槽形成型部中布置有一具有另一集成电路的第二半导体本体和/或一无源元件。显然，无源元件优选理解为电容和/或电阻。有利的是，所述集成电路与所述另一集成电路和/或所述无源元件电连接。所述无源元件例如是电容或线圈或电阻。根据有利构型，所述第一壳体部分具有第二凹槽形成型部。有利地，在第二凹槽形成型部中布置有永磁体和/或可导磁的材料。根据有利的扩展构型，第一凹槽形成型部在第一壳体部分的带有所述至少两个印制导线的外侧上构成。根据有利的扩展构型，第一壳体部分的带有所述至少两个印制导线的所述外侧与第一壳体部分的带有第一凹槽形成型部的一侧对置。根据有利的扩展构型，所述至少两个印制导线在第一壳体部分的所述外侧上按照标准化端子配置图(JEDEC)布置。在另一实施方式中通过直的或U形的缺口构成，以使所述印制导线与面向电路载体的外侧上的印制导线机械脱耦。在优选的扩展构型中，在所述壳体的所述外侧上在第一凹槽形成型部的侧面存在至少两个印制导线。要注意，第一壳体部分一体式地构造并且第一凹槽形成型部盆形地构造有环绕的边缘。优选，该环绕的边缘具有从0.1mm至1.0mm、优选0.5mm的厚度，其中，该第一壳体部分具有至少0.8mm的高度。可以理解的是，该凹槽的边缘优选高于处于该凹槽中的构件的厚度，以便该该构件能够完全被注塑埋住并且被保护免受环境影响。在扩展构型中存在刚好两个彼此平行地延伸的切口，其中，这些切口分别自所述下侧上的外边缘距离所述环绕边缘的一个厚度，优选0.5mm。优选，这些切口构造得不达到所述下侧上的外边缘。前述扩展构型变异不仅单个地而且组合地特别有利。在此，所有的扩展构型变异能相互组合。在对附图的实施例的说明中解释了一些可能的组合。但在那里所描述的这些扩展构型变异的组合可能性不是穷举。附图说明下面中通过实施例参照附图对本专利技术进行详细说明。附图示出：图1a到1d第一实施例的电构件的视图；图2a到2d第二实施例的电构件的视图；图3a到3e第三实施例的电构件的视图；图4a到4e第四实施例的电构件的视图。具体实施方式图1a中以三维视图示意性示出电构件。图1b示出该电构件的上侧的示意图，而图1d示出该电构件外侧130的示意图，该外侧构成下侧130。图1c示出沿着线A-A的示意性剖视图。三个印制导线310，320，330被引到第一壳体部分100的外侧130上。所述印制导线310，320，330布置在外侧130上，用于与电路载体(例如印制电路板)的印制导线电连接。通过印制导线在壳体部分的侧面上被环绕引导，确保在钎焊过程后所述构件与所述电路板的钎焊连接的正确湿润的检查。在图1d的实施中，所述印制导线根据标准化端子配置图SOT23布置。视印制导线的数量而定，可以替代地构成其他的标准化端子配置图，例如SOT323，QFN等。图1a到1d中的第一壳体部分100优选由热塑性的或热固性的第一塑料化合物构成。第一塑料化合物例如基于丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)，聚酰胺(PA)，聚乳酸(PLA)，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚碳酸酯(PC)，聚对苯二甲酸乙酯(PET)，聚乙烯(PE)，聚丙烯(PP)，聚苯乙烯(PS)，聚醚醚酮(PEEK)，聚氯乙烯(PVC)，赛璐珞或聚烯烃如聚乙烯或聚丙烯，或者环氧树脂。通过使用热塑性的塑料化合物，能降低材料成本，缩短处理时间并且减少注射损失(热流道注塑)。根据图1a到1c，第一壳体部分100具有第一凹槽形成型部110。该凹槽形状优选是矩形的平面图，带有斜的凹槽壁。替代地，也可以设置其他的凹槽形状，例如椭圆形的或圆的凹槽形状。可以理解，第一壳体部分100一体式地构造并且第一凹槽形成型部110盆形地构造有环绕的边缘。在此，所述环绕的边缘具有优选0.5mm的厚度。第一壳体部分100具有至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电构件，/n具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，/n其中，第一壳体部分(100)一体式地构造并具有第一凹槽形成型部(110)，所述第一凹槽形成型部(110)盆形地构造有环绕的边缘，其中所述环绕的边缘被向下形成到底部并形成倾斜的凹槽壁，/n其中，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，/n其中，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上，/n其中，所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，/n其中，所述第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料(400)填充,/n其中，所述印制导线(310，320，330)在面向所述电路载体的所述外侧(130)上的机械式去耦合通过直的或U形的平行的切口(140，150)获得，其中两个彼此平行地延伸的切口(140，150)构造得不达到所述下侧(130)上的外边缘；/n第一壳体部分(100)具有第二凹槽形成型部，并且，/n在所述第二凹槽形成型部中布置有永磁体(601)和/或导磁材料。/n...

【技术特征摘要】
20140729 DE 102014010977.11.电构件，
具有由第一塑料化合物组成的第一壳体部分(100)，
其中，第一壳体部分(100)一体式地构造并具有第一凹槽形成型部(110)，所述第一凹槽形成型部(110)盆形地构造有环绕的边缘，其中所述环绕的边缘被向下形成到底部并形成倾斜的凹槽壁，
其中，在第一凹槽形成型部(110)中布置有带有集成电路的第一半导体本体(200)，
其中，在第一凹槽形成型部(110)的表面(120)上设置有至少两个印制导线(310，320，330)，所述印制导线引到第一壳体部分(100)的外侧(130)上，
其中，所述至少两个印制导线(310，320，330)与所述集成电路连接，
其中，所述第一凹槽形成型部(110)至少部分地用由第二塑料化合物组成的用于遮盖第一半导体本体(200)的填料(400)填充,
其中，所述印制导线(310，320，330)在面向所述电路载体的所述外侧(130)上的机械式去耦合通过直的或U形的平行的切口(140，150)获得，其中两个彼此平行地延伸的切口(140，150)构造得不达到所述下侧(130)上的外边缘；
第一壳体部分(100)具有第二凹槽形成型部，并且，
在所述第二凹槽形成型部中布置有永磁体(601)和/或导磁材料。


2.如权利要求1所述的电构件，其中，在第一半导体本体(200)和第一壳体部分(100)之间引入由第三塑料化合物组成的用于与第一半导体本体(200)和与第一壳体部分(100)材料锁合地连接的固定层(500)。


3.如前述权利要求之一所述的电构件，其中，第一壳体部分(100)作为压力注塑件制成，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·弗兰克，K·黑贝勒，O·布赖特维泽尔，T·考夫曼，
申请(专利权)人：TDK迈克纳斯有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE