一种高输入动态范围的低噪声放大器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高输入动态范围的低噪声放大器电路，包括：反馈电路，所述反馈电路包括电阻R1和电容C2，所述电阻R1和电容C2连接；源极动态反馈电路，所述源极动态反馈电路包括晶体管M2和M3、电阻R3；放大电路，所述放大电路包括晶体管M1、电阻R2、电感L1和L2、电容C2和C3。本发明专利技术能够在保证良好的噪声系数条件下，降低功耗的同时降低增益，并提高输出P1dB，增大动态范围。

【技术实现步骤摘要】
一种高输入动态范围的低噪声放大器电路
本专利技术属于微电子、半导体及通信
，涉及一种高输入动态范围的低噪声放大器电路。
技术介绍
低噪声放大器是射频接收前端的重要组成部分，作为射频接收前端的关键模块，其作用是对天线接收到的微弱信号进行放大并尽可能少地引入本地噪声。其性能对整体接收机的性能起到决定性的影响。低噪声放大器的关键性能指标包括放大增益、噪声系数、线性度和功耗等。一个低噪声放大器不仅要在接收信号时不附加太多的噪声信号，同时在接收强信号时还需要保持足够高的线性度，这就要求其有足够大的输入动态范围。但是其功耗会对射频电路的增益、噪声和线性度等性能产生较大的影响，这会严重影响接收机前端的整体性能。低噪声放大器可以采用互补式金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAspHEMT)等作为低噪放大元件。其中采用CMOS器件实现的低噪声放大器虽然集成度高、成本低，但存在高频特性差、线性度低等缺点；采用GaAspHEMT器件实现的低噪声放大器，虽然存在集成度低和设计灵活性差的缺点，但其具有超低的噪声系数和较高的线性度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高输入动态范围的低噪声放大器电路，其特征在于，包括：/n反馈电路，所述反馈电路包括电阻R1和电容C2，所述电阻R1和电容C2连接，所述电阻R1的另一端与电容C1、电阻R2、晶体管M1的栅极连接，所述电容C2的另一端与电容C3、电感L2、晶体管M1的漏极连接；/n源极动态反馈电路，所述源极动态反馈电路包括晶体管M2和M3、电阻R3，所述晶体管M2的栅极与晶体管M1的源极连接，所述晶体管的源极和漏极短接后与晶体管M3的栅极连接，所述晶体管M3的源极和漏极短接后与电阻R3连接，所述电阻R3的另一端通过电感L1接地；/n放大电路，所述放大电路包括晶体管M1、电阻R2、电感L1和L2、电容C2和...

【技术特征摘要】
1.一种高输入动态范围的低噪声放大器电路，其特征在于，包括：
反馈电路，所述反馈电路包括电阻R1和电容C2，所述电阻R1和电容C2连接，所述电阻R1的另一端与电容C1、电阻R2、晶体管M1的栅极连接，所述电容C2的另一端与电容C3、电感L2、晶体管M1的漏极连接；
源极动态反馈电路，所述源极动态反馈电路包括晶体管M2和M3、电阻R3，所述晶体管M2的栅极与晶体管M1的源极连接，所述晶体管的源极和漏极短接后与晶体管M3的栅极连接，所述晶体管M3的源极和漏极短接后与电阻R3连接，所述电阻R3的另一端通过电感L1接地；
放大电路，所述放大电路包括晶体管M1、电阻R2、电感L1和L2、电容C2和C3，所述晶体管M1的漏极与电感L2、电容C2和C3连接，所述电感L2的另一端连接电源，所述晶体管M1的栅极与电容C1、电阻R1和R2连接，所述晶体管M1的源极与晶体管M2的栅极连接，所述电阻R2的另一端连接栅极控制电压Vb。


2.如权利要求1所述的高输入动态范围的低噪声放大器电路，其特征在于，所述源极动态反馈电路包含晶体管M2和M3，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建辉，杜琳，孙向阳，
申请(专利权)人：西安博瑞集信电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61