红外发光器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种红外发光器件及其制造方法。该红外发光器件包括蓝光倒装芯片、红外荧光胶层、可见光吸收胶层和挡墙，红外荧光胶层位于蓝光倒装芯片的出光侧，可见光吸收胶层位于红外荧光胶层远离蓝光倒装芯片的一侧，挡墙环绕设置于蓝光倒装芯片的侧面，且挡墙靠近出光侧的一侧表面高于蓝光倒装芯片的出光面。本发明专利技术以蓝光倒装芯片直接替代红外芯片，大大减小器件体积，并通过蓝光激发红外荧光胶层产生红外光，通过可见光吸收胶层屏蔽可见光，使器件能够具有较高的出光效率和发光强度。

【技术实现步骤摘要】
红外发光器件及其制造方法
本专利技术涉及光学
，具体而言，涉及一种红外发光器件及其制造方法。
技术介绍
在光学相干断层成像技术中需要具有宽光谱特性的红外光源；在化学检测领域中，700-1700nm范围的近红外区覆盖了含氢集团(O-H/C-H/N-H/)振动合频及倍频的吸收区特征信息，通过扫描样品的近红外光谱可以得到样品中有机分子含氢基团的特征信息，对物质进行结构及成分分析，广泛应用与化工、医药、环境、食品等领域，具有无损、方便、高效、准确、低成本等优势；另外由于近红外光低衍射、高穿透、无危害等特性，700nm-1200nm近红外也可广泛应用于美容嫩肤、脱毛、光疗等领域。当前，红外发光二极管(IR-LED)主要采用砷化镓(GaAs)或铝镓砷(AlGaAs)芯片透明封装而成，都存在光电转换效率偏低的问题，且波长单一、光谱带宽很窄，一般只有几十纳米，无法形成连续光谱，限制了其在一些领域中的应用。且传统的红外芯片为垂直芯片，需要焊线连接基座，造成整体单颗器件体积较大。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种红外发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外发光器件，其特征在于，包括蓝光倒装芯片、红外荧光胶层、可见光吸收胶层和挡墙，所述红外荧光胶层位于所述蓝光倒装芯片的出光侧，所述可见光吸收胶层位于所述红外荧光胶层远离所述蓝光倒装芯片的一侧，所述挡墙环绕设置于所述蓝光倒装芯片的侧面，且所述挡墙靠近所述出光侧的一侧表面高于所述蓝光倒装芯片的出光面。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外发光器件，其特征在于，包括蓝光倒装芯片、红外荧光胶层、可见光吸收胶层和挡墙，所述红外荧光胶层位于所述蓝光倒装芯片的出光侧，所述可见光吸收胶层位于所述红外荧光胶层远离所述蓝光倒装芯片的一侧，所述挡墙环绕设置于所述蓝光倒装芯片的侧面，且所述挡墙靠近所述出光侧的一侧表面高于所述蓝光倒装芯片的出光面。


2.根据权利要求1所述的红外发光器件，其特征在于，所述蓝光倒装芯片和所述红外荧光胶层均位于所述挡墙之间，优选所述挡墙不低于所述红外荧光胶层远离所述蓝光倒装芯片的一侧表面。


3.根据权利要求1所述的红外发光器件，其特征在于，所述红外荧光胶层与所述可见光吸收胶层的厚度比为(1～3)：1。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的红外发光器件，其特征在于，所述红外荧光胶层包括第一胶体以及分散于所述第一胶体中的红外荧光材料，所述红外荧光材料包括A(3-x)BaOb:xCr、A(3-y)C6D11:yR中的至少一种，其中，A为Y、Lu、La、Sc、Gd元素中的至少一种，B为Al、Ga元素中的至少一种，C为Si、Ge元素中的至少一种，D为N、O元素中的至少一种，R为Yb、Nd、Er元素中的至少一种，且4≤a≤5，11≤b≤12，0.1≤x≤0.2，0.001≤y≤0.3。


5.根据权利要求4所述的红外发光器件，其特征在于，红外荧光材料包括A(3-x)BaOb:xCr和A(3-y)C6D11:yR，混合比例满足0.6≤A(3-x)BaOb:xCr：A(3-y)C6D11:yR≤1。


6.根据权利要求4所述的红外发光器件，其特征在于，所述红外荧光材料和第一胶体混合物的重量比为10％～40％。


7.根据权利要求1至3中任一项所述的红外发光器件，其特征在于，所述可见光吸收胶层包括第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻晓鹏，连泽健，赵森，周志勇，王艺生，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44