【技术实现步骤摘要】
具有掺杂表面的设备以及使用原位掺杂的相关方法优先权要求本申请要求于2019年6月26日提交的针对“具有掺杂表面的设备和使用原位掺杂的相关方法(ApparatusWithDopedSurfaces,andRelatedMethodsWithInSituDoping)”的美国专利申请序列号16/453,788的提交日期的权益。
在各个实施例中，本公开总体上涉及电子装置设计和制造。更具体地，本公开涉及具有至少一个表面的设备(例如，电子装置(例如，半导体装置、存储器装置))的制造，所述至少一个表面可以在另外被配置用于材料去除(例如，蚀刻)的工具中结合材料去除(例如，蚀刻)动作进行原位掺杂。
技术介绍
集成电路设计不断地缩小尺寸，以致力于增加可以占据给定覆盖区的电子装置的数量，从而减少功耗并提高操作速度。随着每一代的过去，电子装置趋向于变得更小并且更密集地封装，从而为集成带来了许多挑战，包含在用于制造电子装置的小型、密集封装的结构的方法方面的挑战。在不牺牲电子装置性能的情况下满足那些设计和制造挑战是一项特别困难的挑战。...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n存取线，所述存取线延伸到基底材料中，所述存取线将在所述基底材料中限定的第一区域与在所述基底材料中限定的第二区域分离；/n数字线，所述数字线延伸穿过至少一种介电材料到达所述第一区域；/n触点，所述触点延伸穿过所述至少一种介电材料到达所述第二区域；以及/n所述基底材料的至少一个掺杂表面，所述至少一个掺杂表面沿所述存取线、所述数字线和所述触点中的一或多个的至少一部分延伸，所述至少一个掺杂表面包括的掺杂剂的厚度不超过约一个原子层。/n
【技术特征摘要】
20190626 US 16/453,7881.一种设备，其包括：
存取线，所述存取线延伸到基底材料中，所述存取线将在所述基底材料中限定的第一区域与在所述基底材料中限定的第二区域分离；
数字线，所述数字线延伸穿过至少一种介电材料到达所述第一区域；
触点，所述触点延伸穿过所述至少一种介电材料到达所述第二区域；以及
所述基底材料的至少一个掺杂表面，所述至少一个掺杂表面沿所述存取线、所述数字线和所述触点中的一或多个的至少一部分延伸，所述至少一个掺杂表面包括的掺杂剂的厚度不超过约一个原子层。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述至少一个掺杂表面包括沿所述存取线的壁在所述第一区域与所述第二区域之间延伸的掺杂表面。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述至少一个掺杂表面进一步包括沿所述第一区域的上表面的另一个掺杂表面。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述至少一个掺杂表面进一步包括沿所述第二区域的上表面的另外的掺杂表面。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述触点由一种导电材料组成。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述触点包括在多晶硅材料内的导电材料。
7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述掺杂剂包括硼、磷、铟或砷中的至少一种。
8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其进一步包括第三区域，所述第三区域通过另一条存取线与所述第一区域分离。
9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述设备是存储器装置。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述存储器装置是动态随机存取存储器DRAM装置。
11.一种形成设备的方法，所述方法包括：
在材料去除工具内去除基底材料的至少一部分，以在所述基底材料中限定至少一个开口；以及
再次在所述材料去除工具内，用掺杂剂对所述基底材料的限定所述至少一个开口的暴露表面进行掺杂，以将所述掺杂剂结合在所述基底材料上或其中，其厚度不超过约一个原子层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述掺杂在完成所述去除所述基底材料的所述至少一部分之后进行。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在完成所述去除所述基底材料的所述至少一部分之后，所述至少一个开口中的每个开口的宽度保持为所述掺杂之后的宽度。
14.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，其中所述掺杂包括气相掺杂。
15.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，
其进一步...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·古哈，S·卡沙夫，S·普鲁古瑞塔，M·K·阿赫塔尔，J·B·弗劳奈克，A·J·斯赫林斯凯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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