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本申请涉及具有掺杂表面的设备和使用原位掺杂的相关方法。如电子装置等设备和其结构包含基底(例如，半导体)材料的至少一个掺杂表面。所述至少一个掺杂表面的掺杂剂沿所述表面集中，从而限定了所述基底材料上或其中的厚度不超过约一个原子层。用于形成所述掺...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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