MCU外接存储器实现大容量数据处理电路及其方法技术

本发明专利技术涉及MCU电路技术领域，尤其涉及一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路及其方法，包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。采用本发明专利技术提供的技术方案解决了现有MCU设计电路中EEPROM空间有限导致数据丢失的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
MCU外接存储器实现大容量数据处理电路及其方法
本专利技术涉及MCU电路
，尤其涉及一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路及其方法。
技术介绍
MCU是一种微控制单元，又称单片微型计算机或者单片机，是把中央处理器(CPU)的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB、A/D转换、UART、PLC、DMA等周边接口，甚至LCD驱动电路都整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。用MCU开发项目中，经常需要长时间的储存一些重要的数据，因为芯片内部EEPROM的空间有限，有些MCU甚至没有EEPROM功能，无法保存大容量数据，导致出现以下问题：产品故障时无法快速的找到发生的原因；断电后丢失所有数据，重新上电后等同于重新烧录了程序，一些在程序工作当中改变了的值全部变成了初始化设置，无法恢复；如果采用内部有大容量EEPROM的MCU时，芯片的价格高，项目成本达不到要求。
技术实现思路
本专利技术的专利技术目的在于提供一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路及其方法，采用本专利技术提供的技术方案解决了现有MCU设计电路中EEPROM空间有限导致数据丢失的技术问题。为了解决上述技术问题，本专利技术一方面提供一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。优选的，所述MCU与所述储存芯片之间的数据传输协议为I2C协议。基于上述MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，本专利技术另一方面还提供一种数据处理方法，包括数据储存步骤和数据读取步骤；所述数据储存步骤包括：A100、所述MCU与所述储存芯片之间建立数据储存连接；A200、所述MCU向所述储存芯片发送储存数据；A300、所述MCU在完成所述储存数据的传输后，所述储存芯片验证所述储存数据为正确，则保存所述储存数据；所述数据读取步骤包括：B100、所述MCU与所述储存芯片建立数据读取连接；B200、所述储存芯片向所述MCU发送所述数据保存步骤中保存的储存数据；B300、所述储存芯片在完成所述储存数据的传输后，所述MCU验证所述储存数据为正确，则使用所述储存数据。优选的，步骤A100包括以下步骤：A101、所述MCU通过其DSDA脚发送写设备地址位信号；A102、所述储存芯片接收到所述写设备地址位信号后，通过GSDA端回复应答信号，完成数据储存连接的建立。优选的，步骤B100包括以下步骤：B101、所述MCU的DSDA脚发送读设备地址位信号；B102、所述储存芯片接收到所述读设备地址位信号后，通过GSDA端回复应答信号，完成数据读取连接的建立。优选的，在步骤A200所述MCU向所述储存芯片发送储存数据之前，所述MCU通过其DSDA脚发送接收数据命令，所述储存芯片接收到所述接收数据命令后，通过GSDA端回复应答信号。优选的，在步骤B200所述储存芯片向所述MCU发送所述数据保存步骤中保存的储存数据之前，所述MCU通过其DSDA脚发送读取数据命令，所述储存芯片接收到所述读取数据命令后，通过GSDA端回复应答信号。优选的，在步骤A200所述MCU向所述储存芯片发送储存数据中，所述MCU通过DSDA脚发送储存数据，所述储存芯片接收到所述储存数据后，通过GSDA端回复应答信号。优选的，在步骤B200所述储存芯片发送储存数据中，所述储存芯片通过GSDA端发送储存数据，所述MCU接收到所述储存数据后，通过DSDA脚回复应答信号。优选的，在步骤A300中，所述MCU的DSDA脚发送第一校验码；所述储存芯片接收到所述第一验证码后，通过GSDA端回复应答信号，并对比第一校验码确认所述储存数据是否正确，若正确则保存所述储存数据；在步骤B300中，所述储存芯片的GSDA端发送第二校验码；所述MCU接收到所述第二校验码后，通过DSDA脚回复应答信号，并对比第二校验码确认所述储存数据是否正确，若正确则使用所述储存数据。由上可知，应用本专利技术提供的技术方案可以得到以下有益效果：本专利技术通过MCU外接储存芯片的方式储存数据，能够将数据储存到储存芯片中，并把故障信息保存下来，MCU断电后重新上电可以通过读取储存芯片的数据从而恢复到断电前的状态，并且MCU开发项目中也可以根据需求选择储存芯片容量的大小以达到储存大容量数据，同时可以通过MCU和储存芯片的选型使项目成本最优。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本专利技术实施例或现有技术的描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例MCU外接存储器实现大容量数据处理电路中储存芯片电路连接图；图2为本专利技术实施例MCU外接存储器实现大容量数据处理电路中MCU电路连接图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。用MCU开发项目中，由于芯片内部EEPROM的空间有限，无法保存大容量数据，导致出现以下问题：产品故障时无法快速的找到发生的原因；断电后丢失所有数据，重新上电后等同于重新烧录了程序，一些在程序工作当中改变了的值全部变成了初始化设置，无法恢复。为了解决上述问题，本专利技术实施例中提出了一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，包括MCU以及两个及以上储存芯片。在本实施例中以两个储存芯片为例做详细说明，图中A-U5为MCU，B-U3和C-U12分别为两个储存芯片。请参见图1-2，在连接结构中，两个储存芯片的SDA脚连接形成GSDA端，每个储存芯片的SCL脚连接形成FSCL端；MCU的DSDA脚与GSDA端连接，ESCL脚与FSCL端连接。其中在储存芯片中，SDA脚为数据线，SCL脚为时钟线。在数据传输过程中，MCU与储存芯片之间的数据传输协议为I2C协议。上述MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，用于对储存数据于MCU与储存芯片之间的传输，在BMS
中，储存数据可以为BMS的故障信息、BMS的配置信息；电池的生命状态信息。基于上述MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，本实施例另一方面还提供一种数据处理方法，包括数据储存步骤和数据读取步骤。其中，数据储存步骤包括：A100、MCU与储存芯片之间建立数据储存连接。在数据储存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，其特征在于：包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，其特征在于：包括MCU以及至少两个储存芯片；至少两个所述储存芯片的SDA脚互相连接形成GSDA端，至少两个所述储存芯片的SCL脚互相连接形成FSCL端；所述MCU的DSDA脚与所述GSDA端连接，所述MCU的ESCL脚与所述FSCL端连接。


2.根据权利要求1所述的MCU外接存储器实现大容量数据处理电路，其特征在于：所述MCU与所述储存芯片之间的数据传输协议为I2C协议。


3.一种基于权利要求1或2所述的MCU外接存储器实现大容量数据处理电路的数据处理方法，其特征在于：包括数据储存步骤和数据读取步骤；
所述数据储存步骤包括：
A100、所述MCU与所述储存芯片之间建立数据储存连接；
A200、所述MCU向所述储存芯片发送储存数据；
A300、所述MCU在完成所述储存数据的传输后，所述储存芯片验证所述储存数据为正确，则保存所述储存数据；
所述数据读取步骤包括：
B100、所述MCU与所述储存芯片建立数据读取连接；
B200、所述储存芯片向所述MCU发送所述数据保存步骤中保存的储存数据；
B300、所述储存芯片在完成所述储存数据的传输后，所述MCU验证所述储存数据为正确，则使用所述储存数据。


4.根据权利要求3所述的数据处理方法，其特征在于：
步骤A100包括以下步骤：
A101、所述MCU通过其DSDA脚发送写设备地址位信号；
A102、所述储存芯片接收到所述写设备地址位信号后，通过GSDA端回复应答信号，完成数据储存连接的建立。


5.根据权利要求4所述的数据处理方法，其特征在于：在步骤A200所述MCU向所述储存芯片发送储存数据之前，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄杰，汤欣平，
申请(专利权)人：湖南久森新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43