一种光刻检查图形结构及光刻检查方法技术

本发明专利技术提供一种光刻检查图形结构及光刻检查方法，所述结构至少包括对位游标图形，所述对位游标图形至少包括第一层次对位图形和第二层次对位图形，其中所述第一、第二层次对位图形分别包括相同数量的依次排列的刻度图案，然而所述第二层次对位图形的依次排列的所述刻度图案的间距自一侧至相对一侧的方向上先增加后减小，以提高光刻检查图形结构的对位偏差的测量范围。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻检查图形结构及光刻检查方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种光刻检查图形结构。
技术介绍
在现在的IC电路、半导体芯片制造过程中，一个完整的芯片一般都要经过十几到二十几次的光刻，在这么多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准。对位的过程存在于上版和圆片曝光的过程中，其目的是将光刻版上的图形最大精度的覆盖到圆片上已存在的图形上。它包括了以下几部分：光刻版对位系统、圆片对位系统。具体可参见图1，其为现有技术中的光刻检查图形结构，其包括两个层次的对位图形，第一层次对位图形10和第二层次对位图形20。由于尺寸和面积的限制，所述第一层次对位图形10具有9个第一刻度图案101，所述第二层次对位图形20分别具有9个第二刻度图案201。所述第一层次对位图形10中的每一个所述第一刻度图案101间距D1相同，所述第二层次对位图形20中的每一个所述第二刻度图案201间距D2相同，其中D1>D2。当上述两个层次对位图形的正中间的刻度图案(即第5根刻度图案)相互对齐时，可以确定光刻对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻检查图形结构，其特征在于，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；/n所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N＝2n+1，其中n为正整数；/n所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案；/n且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加；自...

【技术特征摘要】
1.一种光刻检查图形结构，其特征在于，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第一刻度图案，每个相邻的所述第一刻度图案的中线的间距相同，其中N＝2n+1，其中n为正整数；
所述第二层次对位图形作为形成于第二层的图案的对位标记，所述第二层次对位图形为依次排列的N个相互间隔的第二刻度图案；
且自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少。


2.根据权利要求1所述的光刻检查图形结构，其特征在于，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次增加一公差间距；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次减少一所述公差间距。


3.根据权利要求1所述的光刻检查图形结构,其特征在于，自所述第二层次对位图形一侧最边缘处的第1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次乘以一公比增加；自所述第二层次对位图形的第n+1个所述第二刻度图案至所述第二层次对位图形的另一侧最边缘处的第2n+1个所述第二刻度图案，每个相邻的所述第二刻度图案的中线的间距依次除以一所述公比减少。


4.根据权利要求1-3之一所述的光刻检查图形结构，其特征在于所述第一刻度图案和所述第二刻度图案为矩形图案。


5.根据权利要求4所述的光刻检查图形结构,其特征在于，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的宽度不同。


6.根据权利要求4所述的光刻检查图形结构,其特征在于，所述第一刻度图案的宽度与所述第二刻度图案的长度不同。


7.根据权利要求4所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第一刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。


8.根据权利要求4所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。


9.根据权利要求7所述的光刻检查图形结构,其特征在于，每个所述第二刻度图案的宽度和/或长度不同或相同。


10.一种光刻检查图形结构，其特征在于，所述结构至少包括对位游标图形，所述游标图形包括第一层次对位图形和第二层次对位图形；
所述第一层次对位图形作为形成于第一层的图案的对位标记，所述第一层次对位图形为依次排列的N个相互间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏得阳，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37