引线框架粗铜表面制造设备制造技术

本发明专利技术公开了一种引线框架粗铜表面制造设备，包括：至少一个电解铜工艺槽，电解铜工艺槽内设有电解铜药水，引线框架材料浸在电解铜药水中；电解铜工艺槽上设有延引线框架运行方向贯通的通道，引线框架材料水平穿过通道，引线框架材料不断向前移动形成移动路径；阳极板，阳极板设在电解铜工艺槽内；阴极导轮，阴极导轮位于通道口，且相对设置在引线框架材料的两侧；至少一个脉冲逆向电源,脉冲逆向电源与电解铜工艺槽相连接，脉冲逆向电源能够输出脉冲正、反向电流和正、反向脉冲时间使得处于电解铜药水中的引线框架材料发生电解作用，改变引线框架材料表面粗糙度。该设备的电解铜工艺能够代替化学药水粗化工艺，且电解铜膜厚均匀性得到提高。

【技术实现步骤摘要】
引线框架粗铜表面制造设备
本专利技术属于连续引线框架表面处理制造
，具体涉及一种引线框架粗铜表面制造设备。
技术介绍
由高精密芯片和引线框架封装而成的精密集成电路是现代电子信息产业的重要核心电子产品。其中，引线框架的重要作用是支撑芯片、保护内部元件、连接外部电路，是集成电路中的关键材料。随着电子信息高新技术的迅速发展，产品向微型化、多功能和智能化发展。因此，促使引线框架材料向着引线节距微细化、高密度的方向发展。这不仅对引线框架材料的强度和导电性提出了更高的要求，而且对材料的加工性能也提出了更高的要求。例如，引线框架材料不允许出现擦伤、脱皮、氧化、水迹和外观颜色不均匀等缺陷。引线框架材料表面要保证一定的粗糙度，然而现有的设备无法实现对引线框架材料表面粗糙度按需求进行设定，精确度也难以保证。半导体集成电路的引线框架材料制造方法以引线框架材料表面采用感光干膜热压工艺已经成为主流。近年来，随着半导体的高集成化，由于半导体封装基板和印刷布线基板电路的微细化发展，对引线框架材料表面质量的要求越来越高。也就是说，引线框架材料表面粗糙度是影响干膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架粗铜表面制造设备，其特征在于，包括：/n至少一个电解铜工艺槽，所述电解铜工艺槽内设有电解铜药水，引线框架材料浸在所述电解铜药水中；所述电解铜工艺槽上设有延引线框架运行方向贯通的通道，所述引线框架材料水平穿过所述通道，所述引线框架材料不断向前移动形成移动路径；/n阳极板，所述阳极板设在所述电解铜工艺槽内；/n阴极导轮，所述阴极导轮位于通道口，且相对设置在所述引线框架材料的两侧；/n至少一个脉冲逆向电源,所述脉冲逆向电源与所述电解铜工艺槽相连接，所述脉冲逆向电源能够输出脉冲正、反向电流和正、反向脉冲时间使得处于所述电解铜药水中的所述引线框架材料发生电解作用，改变所述引线框架材料表面...

【技术特征摘要】
1.一种引线框架粗铜表面制造设备，其特征在于，包括：
至少一个电解铜工艺槽，所述电解铜工艺槽内设有电解铜药水，引线框架材料浸在所述电解铜药水中；所述电解铜工艺槽上设有延引线框架运行方向贯通的通道，所述引线框架材料水平穿过所述通道，所述引线框架材料不断向前移动形成移动路径；
阳极板，所述阳极板设在所述电解铜工艺槽内；
阴极导轮，所述阴极导轮位于通道口，且相对设置在所述引线框架材料的两侧；
至少一个脉冲逆向电源,所述脉冲逆向电源与所述电解铜工艺槽相连接，所述脉冲逆向电源能够输出脉冲正、反向电流和正、反向脉冲时间使得处于所述电解铜药水中的所述引线框架材料发生电解作用，改变所述引线框架材料表面粗糙度。


2.根据权利要求1所述的引线框架粗铜表面制造设备，其特征在于，所述阳极板的数量为两个，两个所述阳极板相对设置在所述引线框架材料的两侧，所述移动路径位于两个所述阳极板之间。


3.根据权利要求2所述的引线框架粗铜表面制造设备，其特征在于，每个所述阳极板的周围形成为沿所述移动路径的长度方向隔开设置的电解区域。


4.根据权利要求2所述的引线框架粗铜表面制造设备，其特征在于，阳极板的表面积与浸在每个电解铜工艺槽中的所述引线框架材料的表面积比为5：1。


5.根据权利要求4所述的引线框架粗铜表面制造设备，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：门松明珠，周爱和，
申请(专利权)人：昆山一鼎工业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32