【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基于锥体射流的点镀阳极模型的构建方法及系统，属于人工智能控制与点镀阳极装置融合。
技术介绍
1、电子点镀阳极是半导体引线框架的金属镀层镀覆过程中，对金属离子局域电化学与物理空间环境影响非常敏感的系统装置的重要组成部分，在微小精密电子产品的研发，电化学研究，半导体引线框架的金属镀覆等高端制造领域有着极其广泛的应用。在半导体引线框架镀覆生产运行过程中，电子点镀阳极、其配置管道的直径和输送电镀溶液泵浦的流量等，对镀覆溶液中的金属离子在半导体引线框架表面的镀覆影响因素复杂；因此，受到各种影响因素的干扰导致实际镀覆的金属镀层会有各种不同的差异，轻者会导致镀层区域难于控制、镀层析出过快且粗糙，重者会导致镀层致密度欠缺和镀层厚度分布不均匀，难于满足半导体引线框架的高端性能要求。
2、目前，验证电子点镀阳极最佳条件的筛选方法为黄金分割法，在其性能评估工作过程中，需要针对电子点镀通孔直径的范围、其配置管道的直径和输送电镀溶液泵浦的流量等进行大量的实验工作，同时需要配套电镀镀覆设备模组用于加工评估用半导体电子元件的镀覆金属镀层样品...
【技术保护点】
1.一种点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述步骤5中，通过公式1计算所述点镀阳极机构（200）呈锥体的阳极射流通孔的射流射程H：
3.根据权利要求2所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述镀覆溶液流体动能k方程为：
4.根据权利要求3所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述步骤7具体包括：选取根据点镀阳极射流进出口直径所获取的模拟镀覆溶液射流射程H，并将从步骤6的点镀阳极锥体射流的运算方程，通过射流射程H公式1中的轴功率P与公式2中镀覆溶液流...
【技术特征摘要】
1.一种点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述步骤5中，通过公式1计算所述点镀阳极机构（200）呈锥体的阳极射流通孔的射流射程h：
3.根据权利要求2所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述镀覆溶液流体动能k方程为：
4.根据权利要求3所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述步骤7具体包括：选取根据点镀阳极射流进出口直径所获取的模拟镀覆溶液射流射程h，并将从步骤6的点镀阳极锥体射流的运算方程，通过射流射程h公式1中的轴功率p与公式2中镀覆溶液流体动能的关联，优化所获取的模拟镀覆溶液射流射程h模拟射程，应用于所述高端镀覆设备模组进行测试，获得实际的镀覆溶液射流射程h实测射程。
5.根据权利要求1所述的点镀阳极模型的构建方法，其特征在于，所述步骤8还...
【专利技术属性】
技术研发人员：门松明珠，周智翰，周爱和，
申请(专利权)人：昆山一鼎工业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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