【技术实现步骤摘要】
无镉量子点以及包括其的复合物和显示装置本申请要求于2019年6月28日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0078386号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
公开了无镉量子点、包括该无镉量子点的组合物或复合物以及包括该无镉量子点的电子装置(例如，显示装置)。
技术介绍
不同于体(bulk)材料，量子点(例如，纳米尺寸的半导体纳米晶体)可以通过控制量子点的尺寸和组成而具有不同的带隙能量。量子点可以表现出电致发光性质和光致发光性质。在胶体合成中，诸如分散剂的有机材料可以在半导体纳米晶体的晶体生长期间与半导体纳米晶体的表面配位(例如，结合)，并且可以提供具有受控尺寸且具有发光性质的量子点。量子点的发光性质可以用于许多领域。从环境观点来看，期望开发一种具有改善的发光性质的无镉量子点。
技术实现思路
实施例提供了一种可以表现出改善的光致发光性质和/或增强的稳定性的量子点(或多个量子点)。实施例提供了一种包括前述量子点的组合物。实施例提供了一种包括前述量子点的量...
【技术保护点】
1.一种量子点，所述量子点包括：/n半导体纳米晶体核，包括铟、镓和磷；/n第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及/n第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，/n其中，量子点不包括镉，/n其中，量子点发射绿光，并且/n其中，在量子点中，镓相对于铟和镓的总和的摩尔比小于或等于0.5:1，并且/n硫相对于硒的摩尔比小于或等于2.5:1。/n
【技术特征摘要】
20190628 KR 10-2019-00783861.一种量子点，所述量子点包括：
半导体纳米晶体核，包括铟、镓和磷；
第一半导体纳米晶体壳，设置在半导体纳米晶体核上，第一半导体纳米晶体壳包括锌和硒；以及
第二半导体纳米晶体壳，设置在第一半导体纳米晶体壳上，第二半导体纳米晶体壳包括锌和硫，
其中，量子点不包括镉，
其中，量子点发射绿光，并且
其中，在量子点中，镓相对于铟和镓的总和的摩尔比小于或等于0.5:1，并且
硫相对于硒的摩尔比小于或等于2.5:1。
2.根据权利要求1所述的量子点，其中，半导体纳米晶体核包括InGaP合金。
3.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子点的最大光致发光峰存在于500纳米至550纳米的范围内。
4.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点的紫外-可见吸收光谱中，450纳米处的吸收强度与350纳米处的吸收强度的比率大于或等于0.08:1。
5.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，锌相对于铟和镓的总和的摩尔比小于或等于45:1。
6.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，锌相对于铟和镓的总和的摩尔比大于或等于10:1且小于或等于30:1。
7.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于2:1。
8.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，硫相对于硒的摩尔比大于或等于0.1:1且小于或等于1.4:1。
9.根据权利要求1所述的量子点，其中，在量子点中，铟和镓的总和相对于硒和硫的总和的摩尔比大于或等于0.03:1且小于或等于0.1:1。
10.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体壳的厚度大于或等于3个单分子层。
11.根据权利要求1所述的量子点，其中，第二半导体纳米晶体壳的厚度小于0.7纳米。
12.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体壳的厚度大于或等于0.9纳米且小于或等于1.4纳米。
13.根据权利要求1所述的量子点，其中，第二半导体纳米晶体壳的厚度小于0.6纳米。
14.根据权利要求1所述的量子点，其中，量子点的量子效率大于或等于70％。
15.根据权利要求1所述的量子点，其中，第一半导体纳米晶体壳不包括硫并且直接设置在半导体纳米晶体核的表面上，其中，第二半导体纳米晶体壳直接设置在第一半导体纳米晶体壳的表面上并且是量子点的最外层。
16.根据权利要求1所述的量子点，其中，半导体纳米晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：金泰坤，崔善明，田信爱，杨惠渊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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