二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了二茂铁修饰的多壁碳纳米管‑聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法。本发明专利技术是吡咯在氧化剂作用下以模板法和化学氧化聚合法原位生成聚吡咯纳米管/二茂铁修饰多壁碳纳米管的复合物制备，作为二茂铁修饰的多壁碳纳米管‑聚吡咯纳米管吸波材料。本发明专利技术提供的吸波材料是一种新型的复合材料，拓展了二茂铁修饰碳材料的复合材料在吸波材料领域的应用，且该复合物材料对电磁波具有良好的吸收性能。

【技术实现步骤摘要】
二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法
本专利技术属于复合材料
的一种修饰多壁碳纳米管/聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法，具体涉及二茂铁修饰的多壁碳纳米管/聚吡咯纳米管吸波材料及其制备方法。
技术介绍
各种无线通讯设备和电子设备给人们带来了极大的便捷，使人类的生活方式发生翻天覆地的变化。但同时，由这些设备所产生的电磁污染与日俱增，已成为继空气、水和噪声污染后的第4类污染。电磁污染已逐渐引起各国政府及学术界的高度重视。目前多采用吸波材料来尽可能降低电磁污染所造成的损害。导电聚合物基复合材料因其具有良好的加工性能、导电性和环境稳定性等，这些性质对电子设备、可穿戴设备和航空领域的吸波的应用举足轻重，因而使其成为目前最常用的吸波材料之一。然而，导电聚合物一般有其渗流阈值，为了能在较低的导电聚合物添加量下获得较好的导电性能和机械性能，科学家们通常将导电聚合物同具有大比表面积、良好导电性、优异机械强度的碳材料复合，如碳纳米管(CNTs)、氧化石墨烯(GO)、还原氧化石墨烯(RGO)等。二茂铁修饰的碳材料因其在电子迁移速率上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料，其特征在于：吡咯在氧化剂作用下以模板法和化学氧化聚合法原位生成聚吡咯纳米管/二茂铁修饰多壁碳纳米管的复合物，作为二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料。/n

【技术特征摘要】
1.二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料，其特征在于：吡咯在氧化剂作用下以模板法和化学氧化聚合法原位生成聚吡咯纳米管/二茂铁修饰多壁碳纳米管的复合物，作为二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料。


2.根据权利要求1所述的二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料，其特征在于：所述的二茂铁为二茂铁单甲醛、二茂铁单甲酸或1,1’-二茂铁二甲酸。


3.根据权利要求1所述的二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料，其特征在于：所述的碳纳米管为羟基化的多壁碳纳米管MWCNTs-OH或羧基化的多壁碳纳米管MWCNTs-COOH。


4.根据权利要求1所述的二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料，其特征在于：所述的模板法中的模板剂为甲基橙，化学氧化聚合法中的氧化剂为六水合三氯化铁FeCl3·6H2O。


5.二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料的制备方法，其特征在于：方法具体包括以下步骤：
步骤1)将模板剂溶解在去离子水中，然后将氧化剂和二茂铁修饰的多壁碳纳米管，并搅拌分散；
步骤2)用注射器将吡咯单体加到步骤1)分散后的溶液中，在氧化剂作用下于常温下搅拌反应；
步骤3)反应停止后，依次经抽滤、洗涤、干燥后得到二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料。


6.根据权利要求5所述的二茂铁修饰的多壁碳纳米管-聚吡咯纳米管吸波材料的制备方法，其特征在于：
所述步骤1)中，二茂铁修饰的多壁碳纳米管是由二茂铁单甲醛、二茂铁单甲酸或1,1’-二茂铁二甲酸与多壁碳纳米管制备得到，二茂铁单甲醛、二茂铁单甲酸或1,1’-二茂铁二甲酸与多壁碳纳米管的质量比为为0.75-10:1。


7.根据权利要求6所述的二茂铁修饰的多...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞豪杰，林腾飞，王立，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33