一种多孔CoSn(OH)制造技术

本发明专利技术公开了一种多孔CoSn(OH)

【技术实现步骤摘要】
一种多孔CoSn(OH)6纳米立方体的制备方法
本专利技术属于材料制备及应用
，具体涉及采用一步水热法制备一种多孔CoSn(OH)6纳米立方体，该材料可应用于储能电容器方面。
技术介绍
双金属氢氧化物半导体纳米材料由于具有多种理化性质，包括电容性质、光催化性质及其他潜在应用而成为当前研究的热点。这种材料大多具有独特的形貌和大量纳米孔隙,不仅提高了材料的比表面积,而且有利于活性位点的接触、催化反应的进行以及电子传输的速率，有利于促进反应中传质过程和产物的释放,因而这种材料表现出优异的电化学性能。双金属氢氧化物CoSn(OH)6具有高的吸收系数，良好的耐光性，低毒性，高的催化效率。文献大多采用原位聚合法、共沉淀法和溶剂热法合成CoSn(OH)6，虽然这些方法很容易制备CoSn(OH)6纳米颗粒，但是不能实现形貌均一，因而本专利技术探索出一种新的方法合成多孔CoSn(OH)6纳米材料。相关专利有：（1）申请号CN201210052994.2，名称：一种采用层状双金属氢氧化物回收利用污水中重金属离子的方法，采用层状双金属氢氧化物吸附重金属离子或大分子有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多孔CoSn(OH)

【技术特征摘要】
1.一种多孔CoSn(OH)6纳米立方体的制备方法，具体的步骤为：将0.714g六水合二氯化钴和1.052g五水合四氯化锡加入100mL反应釜，同时加入0.2g二水合柠檬酸三钠作为形貌调节剂，并加入60mL去离子水，室温下磁力搅拌至完全溶解，向溶液中滴加适量2M氢氧化钠溶液，调节溶液pH=12，持续搅拌半小时，然后将反应釜放入烘箱，180℃反应12小时，取出反应釜，冷却至室温，离心洗涤，放入60℃烘箱干燥一整夜，得到多孔CoSn(OH)6纳米立方体。


2.如权利要求1所述制备方法得到的多孔CoSn(OH)6纳米立方体，测试其电化学性质，具体实验步骤如下：（Ⅰ）泡沫镍的清洗：将泡沫镍剪成长和宽均为1cm的大小，实际测试面积为1cm2，取若干于烧杯中，放入超声波清洗机用水和乙醇各清洗10分钟，再用8%的稀盐酸，清洗15分钟，然后各用去离子水和乙醇各洗5分钟，将洗好的泡沫镍放入60℃真空干燥箱，干燥一整夜，待用；（Ⅱ）涂样：称取24mg实施例1合成的CoSn(OH)6纳米立方体、3mg乙炔黑和3mg聚偏氟乙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋吉明，韩荣蓉，陈京帅，牛和林，毛昌杰，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34