一种氘化锂的抗腐蚀处理方法技术

本发明专利技术涉及一种氘化锂的抗腐蚀处理方法，属于材料科学与核技术交叉领域。目的是为了解决当下氘化锂表面化学活性高，容易受到空气腐蚀而难以应用的问题，本发明专利技术所得氘化锂表面能够很好地覆盖一层薄薄的碳化硅陶瓷涂层，有效降低了氘化锂的表面活性，使其表面拥有了碳化硅的优良性能，抗腐蚀性能优异；制备方法简洁，辅助试剂易得，操作方便，装置简单；制备过程无三废排放，并具有普适性，适合大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种氘化锂的抗腐蚀处理方法
本专利技术涉及一种氘化锂的抗腐蚀处理方法，属于材料科学与核技术交叉领域。
技术介绍
氘化锂是一种重要的核能材料，主要应用于核化学和能源工业，是氢弹装料的主要部分，也可做受控核聚变装置的装料。氘化锂类材料(LiD)具有低密度、低原子序数等优良的独特性质，可作为低能量X光散射及输运材料、轻质中子减速剂等，在天文学研究及核效应测试等领域具有重要的研究和应用价值。而且氘化锂储氘量丰富，氘化锂含氘量达22.48％，更为优异的是，不同于镁、钛等金属氘化物，氘化锂是唯一能生成稳定而不分解的碱金属氘化物，这使得氘化锂在储氘方面有着很好的应用前景；而且1kg锂燃烧后可释放42998kJ的热量，是用来作为火箭燃料的最佳金属之一，氘化锂拥有很高的化学能量水平，有望作为含能组分在猛炸药、推进剂等中添加使用，以大大增强含能材料的做功能力。刘吉平、刘晓波提出了一种高温直接法制备氘化锂的方法，让金属锂在高温下与氘气直接反应生成氘化锂，解决了氘化锂工业化规模制备技术和制备纯度问题(CN104176749A)；车荣睿、陈昱等提出了一种氘化锂的生产工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氘化锂的抗腐蚀处理方法，其特征在于：具体步骤如下：/n步骤一、将碳化硅粉末、氘化锂粉末进行预处理，并按(0.1～0.3):(3～5)的质量比称取预处理后的碳化硅粉末、氘化锂粉末；/n步骤二、按碳化硅、钛酸酯偶联剂与丙酮的质量比为1:(0.3～0.5):20分别称取钛酸酯偶联剂和丙酮，并将钛酸酯偶联剂加入到丙酮中，机械搅拌20～30分钟，转速为80～100r/min；然后将碳化硅粉末加入，超声状态下机械搅拌1～2小时，转速为120～160r/min，得碳化硅悬浮液；/n步骤三、按硫脲、氘化锂粉末与丙酮的质量比为(0.1～0.3):5:20分别称取硫脲和丙酮；在高温高压反应釜中持续通入氩气...

【技术特征摘要】
1.一种氘化锂的抗腐蚀处理方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、将碳化硅粉末、氘化锂粉末进行预处理，并按(0.1～0.3):(3～5)的质量比称取预处理后的碳化硅粉末、氘化锂粉末；
步骤二、按碳化硅、钛酸酯偶联剂与丙酮的质量比为1:(0.3～0.5):20分别称取钛酸酯偶联剂和丙酮，并将钛酸酯偶联剂加入到丙酮中，机械搅拌20～30分钟，转速为80～100r/min；然后将碳化硅粉末加入，超声状态下机械搅拌1～2小时，转速为120～160r/min，得碳化硅悬浮液；
步骤三、按硫脲、氘化锂粉末与丙酮的质量比为(0.1～0.3):5:20分别称取硫脲和丙酮；在高温高压反应釜中持续通入氩气，并将硫脲、氘化锂粉末与丙酮加入到反应釜中，继而将步骤三所得的碳化硅悬浮液加入到反应釜中，迅速将反应釜密封并抽真空，真空度为1～3pa，并设置反应釜的反应温度为30～40℃，搅拌转速为200～300r/min，搅拌3～5小时；继而设置反应釜的反应温度为370～400℃，搅拌转速为400～500r/min，搅拌8～12小时；然后取出产物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，李年华，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京;11