带整流吸收组件的中频电源制造技术

本实用新型专利技术提出了一种带整流吸收组件的中频电源，包括：用于将交流电变为直流电的整流可控硅系统，整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2；可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管G1、阻容吸收组件以及压敏电阻R2，阻容吸收组件以及压敏电阻R2均与晶闸管G1并联。该带整流吸收组件的中频电源解决现有技术因采用阻容吸收组件而导致感应器极间形成的高脉冲谐波的问题。

【技术实现步骤摘要】
带整流吸收组件的中频电源
本技术涉及电源，具体涉及一种带整流吸收组件的中频电源。
技术介绍
如图1所示，中频电源包括：整流系统以及整流可控硅系统，整流系统的正极输出端CD+与整流可控硅系统的第一端连接，整流系统的负极输出端CD-与整流可控硅系统的第二端连接，整流可控硅系统用于将交流电变为直流电。整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2，可控硅模块KA1的负极端、可控硅模块KB1的负极端以及可控硅模块KC1的负极端均连接形成整流可控硅系统的第一端，可控硅模块KA2的正极端、可控硅模块KB2的正极端以及可控硅模块KC2的正极端均连接形成整流可控硅系统的第二端，可控硅模块KA1的正极端连接至可控硅模块KA2的负极端，可控硅模块KB1的正极端连接至可控硅模块KB2的负极端，可控硅模块KC1的正极端连接至可控硅模块KC2的负极端。可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管G1、电容C1以及电阻R1，晶闸管G1阴极与电容C1正极相连形成可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1或可控硅模块KC2的负极端，晶闸管G1阳极与电阻R1一端相连形成可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1或可控硅模块KC2的正极端，电阻R1另一端与电容C1负极连接，电容C1以及电阻R1形成阻容吸收组件，可控硅模块KA1与可控硅模块KA2的接点、可控硅模块KB1与可控硅模块KB2的接点、可控硅模块KC1与可控硅模块KC2的接点均连接至感应器一端，感应器另一端连接至电容C2负极与电容C3的接点。采用阻容吸收组件的缺点为：难以吸收因感应器极间打火形成的高脉冲谐波，这种高反压脉冲电压值往往远远高于整流可控硅系统耐压值和反向电压值，严重威胁整流可控硅系统中晶闸管的安全，引发晶闸管的大量损坏，加大中频设备维修成本。
技术实现思路
本技术要提供一种带整流吸收组件的中频电源，解决现有技术因采用阻容吸收组件而导致感应器极间形成的高脉冲谐波的问题。为实现上述目的，本技术采用了如下的技术方案：本技术提出了一种带整流吸收组件的中频电源，包括：用于将交流电变为直流电的整流可控硅系统，整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2；可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管G1、阻容吸收组件以及压敏电阻R2，阻容吸收组件以及压敏电阻R2均与晶闸管G1并联。优选的是，阻容吸收组件包括：电容C1以及电阻R1，晶闸管G1阴极与电容C1正极以及压敏电阻R2一端均相连，晶闸管G1阳极与电阻R1一端和压敏电阻R2另一端均相连，电阻R1另一端与电容C1负极连接。优选的是，阻容吸收组件安装在第一安装板上，压敏电阻R2安装在第二安装板上，第二安装板通过螺钉安装在第一安装板上，压敏电阻R2通过电接触组件与阻容吸收组件电连接。优选的是，电接触组件包括：导电片、弹片以及导电柱，第一安装板靠近第二安装板的面凹陷形成两安装槽，每一安装槽底面上固定安装有导电片，一导电片用于连接阻容吸收组件的电容C1，另一导电片用于连接阻容吸收组件的电阻R1，每一安装槽内均安装有一弹片，弹片与所在安装槽内导电片电接触，每一弹片均用于与一导电柱电接触，两导电柱安装在第二安装板上，两导电柱分别与压敏电阻R2的两端电连接。优选的是，弹片一端插入至安装槽侧壁内，弹片与第一安装板卡扣配合。优选的是，在第二安装板上安装有弹性指示组件，弹性指示组件用于仅当弹片与第二安装板连接后才允许第二安装板通过螺钉安装在第一安装板上。相比于现有技术，本技术具有如下有益效果：在阻容吸收组件基础上增加了压敏电阻(压敏电阻本身功能：吸收很强的尖峰脉冲，与吸收雷电原因一致)，将感应器极间打火形成的高压脉冲通过压敏电容释放吸收处理，有效抑制和吸收这种高压脉冲，提高整流可控硅(即是：晶闸管)的工作环境，提高晶闸管的安全，减小晶闸管损坏几率，从而有效降低中频电源设备的维修成本。本技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为现有技术中中频电源的电路图；图2为本技术中中频电源的电路图；图3为本技术中中频电源中阻容吸收组件和压敏电阻处的剖视图；图4为图3中A处的放大图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与作用更加清楚及易于了解，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步阐述：实施例1：如图2所示，本技术提出了一种带整流吸收组件的中频电源，包括：用于将交流电变为直流电的整流可控硅系统，整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2；可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管G1、阻容吸收组件以及压敏电阻R2，阻容吸收组件以及压敏电阻R2均与晶闸管G1并联。为了设计结构简单的阻容吸收组件，阻容吸收组件包括：电容C1以及电阻R1，晶闸管G1阴极与电容C1正极以及压敏电阻R2一端均相连，晶闸管G1阳极与电阻R1一端和压敏电阻R2另一端均相连，电阻R1另一端与电容C1负极连接。实施例2：本实施例在实施例1的基础上对压敏电阻的安装方式进行了改进，实现了当所有晶闸管以及阻容吸收组件已经安装在第一安装板1上后如何将压敏电阻附加上的问题，且实现了安装有压敏电阻的第二安装板2安装在第一安装板1上后即可实现压敏电阻与阻容吸收组件的电连接，方便了安装。如图3以及图4所示，阻容吸收组件安装在第一安装板1上，压敏电阻R2安装在第二安装板2上，第二安装板2通过螺钉4安装在第一安装板1上，实现了第一安装板1和第二安装板2的可拆卸连接，压敏电阻R2通过电接触组件3与阻容吸收组件电连接。为了设计结构简单的电接触组件3，且保证压敏电阻R2与阻容吸收组件电接触良好，电接触组件3包括：导电片31、弹片32以及导电柱33，第一安装板1靠近第二安装板2的面凹陷形成两安装槽，每一安装槽底面上固定安装有导电片31，一导电片31用于连接阻容吸收组件的电容C1，另一导电片31用于连接阻容吸收组件的电阻R1，每一安装槽内均安装有一弹片32，弹片32与所在安装槽内导电片31电接触，每一弹片32均用于与一导电柱33电接触，两导电柱33安装在第二安装板2上，两导电柱33分别与压敏电阻R2的两端电连接。为了方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带整流吸收组件的中频电源，其特征在于，包括：用于将交流电变为直流电的整流可控硅系统，整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2；/n可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管G1、阻容吸收组件以及压敏电阻R2，阻容吸收组件以及压敏电阻R2均与晶闸管G1并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种带整流吸收组件的中频电源，其特征在于，包括：用于将交流电变为直流电的整流可控硅系统，整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2；
可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管G1、阻容吸收组件以及压敏电阻R2，阻容吸收组件以及压敏电阻R2均与晶闸管G1并联。


2.根据权利要求1所述的带整流吸收组件的中频电源，其特征在于，阻容吸收组件包括：电容C1以及电阻R1，晶闸管G1阴极与电容C1正极以及压敏电阻R2一端均相连，晶闸管G1阳极与电阻R1一端和压敏电阻R2另一端均相连，电阻R1另一端与电容C1负极连接。


3.根据权利要求2所述的带整流吸收组件的中频电源，其特征在于，阻容吸收组件安装在第一安装板上，压敏电阻R2安装在第二安装板上，第二安装板...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄强，冯柏松，
申请(专利权)人：重庆拓仕达电气有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50