带斩波逆变吸收组件的中频电源制造技术

本实用新型专利技术提出了一种带斩波逆变吸收组件的中频电源，包括：用于将交流电变为直流电的整流可控硅系统，整流可控硅系统包括：可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2；可控硅模块KA1、可控硅模块KA2、可控硅模块KB1、可控硅模块KB2、可控硅模块KC1以及可控硅模块KC2均包括：晶闸管T、阻容吸收组件以及斩波吸收组件，阻容吸收组件以及斩波吸收组件均与晶闸管T并联。该带斩波逆变吸收组件的中频电源解决现有技术因采用阻容吸收组件而导致感应器极间形成的高脉冲谐波的问题。

【技术实现步骤摘要】
带斩波逆变吸收组件的中频电源
本技术涉及电源，具体涉及一种带斩波逆变吸收组件的中频电源。
技术介绍
如图1所示，现有技术中，中频电源电路包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4以及感应器L5，逆变可控硅模块KA1输入端通过电感L1连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端连接至逆变可控硅模块KB1输入端，逆变可控硅模块KB1的输出端通过电感L3连接至电源负极CD-；逆变可控硅模块KA2输入端通过电感L2连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA2输出端连接至逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB2的输出端通过电感L4连接至电源负极CD-；电阻RJ1一端连接至电源正极CD+，电阻RJ1另一端连接至电阻RJ2一端，电阻RJ2另一端连接至电源负极CD-，电容C1正极连接至电源正极CD+，电容C1负极连接至电容C2正极，电容C2负极连接至电源负极CD-；感应器L5一端连接至逆变可控硅模块KA1与逆变可控硅模块KB1接点、且连接至逆变可控硅模块KA2与逆变可控硅模块KB2接点，感应器L5另一端连接至电容C1与电容C2接点。如图2所示，逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1以及逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、二极管D1、电容C3以及电阻RJ3，晶闸管T阳极、二极管D1负极、电容C3正极相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输入端，晶闸管T阴极、二极管D1正极、电阻RJ3一端相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输出端，电阻RJ3另一端连接至电容C3负极。电容C3以及电阻RJ3形成阻容吸收组件，采用阻容吸收组件的缺点为：难以吸收逆变可控硅模块关断时形成的高反压脉冲谐波，这种高反压脉冲严重威胁逆变可控硅模块的安全，引发逆变可控硅模块中晶闸管的大量损坏，加大中频设备维修成本。
技术实现思路
本技术要提供一种带斩波逆变吸收组件的中频电源，解决现有技术因采用阻容吸收组件而导致难以吸收逆变可控硅模块关断时形成的高反压脉冲谐波的问题。为实现上述目的，本技术采用了如下的技术方案：本技术提出了一种带斩波逆变吸收组件的中频电源，包括：可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2；可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、阻容吸收组件以及斩波吸收组件，阻容吸收组件与晶闸管T并联，斩波吸收组件与阻容吸收组件中的电阻并联。优选的是，阻容吸收组件包括：电容C3以及电阻RJ3，晶闸管T阳极与电容C3正极相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输入端，晶闸管T阴极与电阻RJ3一端相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输出端，电阻RJ3另一端连接至电容C3负极，电阻RJ3为阻容吸收组件中的电阻。优选的是，斩波吸收组件包括：电阻RJ4以及二极管D2，电容C3负极通过电阻RJ4连接至二极管D2阳极，二极管D2阴极连接至晶闸管T阴极。优选的是，可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2均还包括：二极管D1，二极管D1负极连接至晶闸管T阳极，二极管D1正极连接至晶闸管T阴极。优选的是，阻容吸收组件安装在第一安装板上，斩波吸收组件安装在第二安装板上，第二安装板通过螺钉安装在第一安装板上，斩波吸收组件通过电接触组件与阻容吸收组件电连接。优选的是，电接触组件包括：导电片、弹片以及导电柱，第一安装板靠近第二安装板的面凹陷形成两安装槽，每一安装槽底面上固定安装有导电片，一导电片用于连接阻容吸收组件的电阻RJ3一端，另一导电片用于连接阻容吸收组件的电阻RJ3另一端，每一安装槽内均安装有一弹片，弹片与所在安装槽内导电片电接触，每一弹片均用于与一导电柱电接触，两导电柱安装在第二安装板上，两导电柱分别与斩波吸收组件的两端电连接。优选的是，弹片一端插入至安装槽侧壁内，弹片与第一安装板卡扣配合。优选的是，在第二安装板上安装有弹性指示组件，弹性指示组件用于仅当弹片与第二安装板连接后才允许第二安装板通过螺钉安装在第一安装板上。相比于现有技术，本技术具有如下有益效果：在阻容吸收组件基础上增加了斩波吸收组件，将逆变可控硅模块关断时形成的高反压通过高速二极管D2进行斩波吸收处理，有效抑制和吸收这种高反压，使得逆变可控硅(关断产生反向电压，降低至少30％)的关断环境变好，提高晶闸管的安全，减小晶闸管损坏几率，从而有效降低中频电源设备的维修成本。本技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为现有技术中中频电源的电路图；图2为图1中逆变可控硅模块的电路图；图3为本技术中中频电源的电路图；图4为本技术中中频电源中阻容吸收组件以及斩波吸收组件处的剖视图；图5为图4中A处的放大图。附图标记：具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与作用更加清楚及易于了解，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步阐述：实施例1：如图3所示，本技术提出了一种带斩波逆变吸收组件的中频电源，包括：可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2；可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、阻容吸收组件以及斩波吸收组件，阻容吸收组件与晶闸管T并联，斩波吸收组件与阻容吸收组件中的电阻并联。为了设计电路简单且使用有效的阻容吸收组件，阻容吸收组件包括：电容C3以及电阻RJ3，晶闸管T阳极与电容C3正极相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输入端，晶闸管T阴极与电阻RJ3一端相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输出端，电阻RJ3另一端连接至电容C3负极，电阻RJ3为阻容吸收组件中的电阻。为了设计电路简单且使用有效的斩波吸收组件，斩波吸收组件包括：电阻RJ4以及二极管D2，电容C3负极通过电阻RJ4连接至二极管D2阳极，二极管D2阴极连接至晶闸管T阴极。可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2均还包括：二极管D1，二极管D1负极连接至晶闸管T阳极，二极管D1正极连接至晶闸管T阴极。实施例2：本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带斩波逆变吸收组件的中频电源，其特征在于，包括：可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2；/n可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、阻容吸收组件以及斩波吸收组件，阻容吸收组件与晶闸管T并联，斩波吸收组件与阻容吸收组件中的电阻并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种带斩波逆变吸收组件的中频电源，其特征在于，包括：可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2；
可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1和逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、阻容吸收组件以及斩波吸收组件，阻容吸收组件与晶闸管T并联，斩波吸收组件与阻容吸收组件中的电阻并联。


2.根据权利要求1所述的带斩波逆变吸收组件的中频电源，其特征在于，阻容吸收组件包括：电容C3以及电阻RJ3，晶闸管T阳极与电容C3正极相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输入端，晶闸管T阴极与电阻RJ3一端相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输出端，电阻RJ3另一端连接至电容C3负极，电阻RJ3为阻容吸收组件中的电阻。


3.根据权利要求2所述的带斩波逆变吸收组件的中频电源，其特征在于，斩波吸收组件包括：电阻RJ4以及二极管D2，电容C3负极通过电阻RJ4连接至二极管D2阳极，二极管D2阴极连接至晶闸管T阴极。


4.根据权利要求3所述的带斩波逆变吸收组件的中频电源，其特征在于，可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯柏松，黄强，
申请(专利权)人：重庆拓仕达电气有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50