逆变电感后置的中频电源电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种逆变电感后置的中频电源电路，包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2以及电感L3；逆变可控硅模块KA1输入端和逆变可控硅模块KA2输入端均连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端和逆变可控硅模块KA2输出端均连接至电感L1一端，电感L1另一端连接至电感L2一端，电感L2另一端连接至逆变可控硅模块KB1输入端和逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB1输出端和逆变可控硅模块KB2输出端均连接至电源负极CD‑。减少逆变可控硅的损坏，节约两只电感的材料，减少了成本。

【技术实现步骤摘要】
逆变电感后置的中频电源电路
本技术涉及电源电路，具体涉及一种逆变电感后置的中频电源电路。
技术介绍
如图1所示，现有技术中，逆变电感后置的中频电源电路包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2、电感L3、电感L4以及感应器L5，逆变可控硅模块KA1输入端通过电感L1连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端连接至逆变可控硅模块KB1输入端，逆变可控硅模块KB1的输出端通过电感L3连接至电源负极CD-；逆变可控硅模块KA2输入端通过电感L2连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA2输出端连接至逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB2的输出端通过电感L4连接至电源负极CD-；电阻RJ1一端连接至电源正极CD+，电阻RJ1另一端连接至电阻RJ2一端，电阻RJ2另一端连接至电源负极CD-，电容C1正极连接至电源正极CD+，电容C1负极连接至电容C2正极，电容C2负极连接至电源负极CD-；感应器L5一端连接至逆变可控硅模块KA1与逆变可控硅模块KB1接点、且连接至逆变可控硅模块KA2与逆变可控硅模块KB2接点，感应器L5另一端连接至电容C1与电容C2接点。该逆变电感后置的中频电源电路存在的缺点为：电感L1、电感L2、电感L3、电感L4一共采用了四个电感来抑制通过可控硅的急剧电流变化，导致材料浪费，导致整个生产成本增加。
技术实现思路
本技术要提供一种逆变电感后置的中频电源电路，解决现有技术采用了四个电感来抑制通过可控硅的急剧电流变化而导致电感用量较多的问题。为实现上述目的，本技术采用了如下的技术方案：本技术提出了一种逆变电感后置的中频电源电路，包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2以及电感L3；逆变可控硅模块KA1输入端和逆变可控硅模块KA2输入端均连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端和逆变可控硅模块KA2输出端均连接至电感L1一端，电感L1另一端连接至电感L2一端，电感L2另一端连接至逆变可控硅模块KB1输入端和逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB1输出端和逆变可控硅模块KB2输出端均连接至电源负极CD-；电阻RJ1一端连接至电源正极CD+，电阻RJ1另一端连接至电阻RJ2一端，电阻RJ2另一端连接至电源负极CD-；电容C1正极连接至电源正极CD+，电容C1负极连接至电容C2正极，电容C2负极连接至电源负极CD-；电感L3一端连接至电感L1与电感L2的接点、且连接至电阻RJ1与电阻RJ2的接点，电感L3另一端连接至电容C1与电容C2接点。优选的是，逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1以及逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、二极管D1、电容C3、电阻RJ3、电阻RJ4以及二极管D2，晶闸管T阳极、二极管D1负极、电容C3正极相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输入端，晶闸管T阴极、二极管D1正极、电阻RJ3一端相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输出端，电阻RJ3另一端连接至电容C3负极，电容C3负极通过电阻RJ4连接至二极管D2阳极，二极管D2阴极连接至晶闸管T阴极。相比于现有技术，本技术具有如下有益效果：该电路中只需要连接两只逆变电感(即是：电感L1和电感L2)，以当负载电流急剧变化时能有效利用电感L1和电感L2产生的反电动势抑制通过可控硅的急剧电流变化，在电源正极CD+和电源负极CD-各分别一只逆变电感，有效保护晶闸管(即是：逆变可控硅)，减少逆变可控硅的损坏，同时在一个电源电路中节约两只电感的材料，减少了成本，提高了市场竞争力。本技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为现有技术中逆变电感后置的中频电源电路的电路图；图2为本技术中逆变电感后置的中频电源电路的电路图；图3为图2中逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2内的电路图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与作用更加清楚及易于了解，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步阐述：如图1所示，本技术提出了一种逆变电感后置的中频电源电路，包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2以及电感L3；逆变可控硅模块KA1输入端和逆变可控硅模块KA2输入端均连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端和逆变可控硅模块KA2输出端均连接至电感L1一端，电感L1另一端连接至电感L2一端，电感L2另一端连接至逆变可控硅模块KB1输入端和逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB1输出端和逆变可控硅模块KB2输出端均连接至电源负极CD-；电阻RJ1一端连接至电源正极CD+，电阻RJ1另一端连接至电阻RJ2一端，电阻RJ2另一端连接至电源负极CD-；电容C1正极连接至电源正极CD+，电容C1负极连接至电容C2正极，电容C2负极连接至电源负极CD-；电感L3一端连接至电感L1与电感L2的接点、且连接至电阻RJ1与电阻RJ2的接点，电感L3另一端连接至电容C1与电容C2接点。如图2所示，逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1以及逆变可控硅模块KB2均包括：晶闸管T、二极管D1、电容C3、电阻RJ3、电阻RJ4以及二极管D2，晶闸管T阳极、二极管D1负极、电容C3正极相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输入端，晶闸管T阴极、二极管D1正极、电阻RJ3一端相连形成逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1或逆变可控硅模块KB2的输出端，电阻RJ3另一端连接至电容C3负极，电容C3负极通过电阻RJ4连接至二极管D2阳极，二极管D2阴极连接至晶闸管T阴极。传统技术中，逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1以及逆变可控硅模块KB2的逆变吸收多采用阻容吸收(即是：电容C3、电阻RJ3的合并使用)，缺点是：难以吸收逆变可控硅关断时形成的高反压脉冲谐波，这种高反压脉冲严重威胁逆变可控硅的安全，引发逆变可控硅的大量损坏，加大逆变电感后置的中频电源电路的维修成本。本申请中，在阻容吸收基础上增加了斩波吸收电路(即是：电阻RJ4以及二极管D2的合并使用)，将逆变可控硅关断时形成的高反压通过高速二极管D2进行斩波吸收处理，有效抑制和吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种逆变电感后置的中频电源电路，其特征在于，包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2以及电感L3；/n逆变可控硅模块KA1输入端和逆变可控硅模块KA2输入端均连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端和逆变可控硅模块KA2输出端均连接至电感L1一端，电感L1另一端连接至电感L2一端，电感L2另一端连接至逆变可控硅模块KB1输入端和逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB1输出端和逆变可控硅模块KB2输出端均连接至电源负极CD-；/n电阻RJ1一端连接至电源正极CD+，电阻RJ1另一端连接至电阻RJ2一端，电阻RJ2另一端连接至电源负极CD-；/n电容C1正极连接至电源正极CD+，电容C1负极连接至电容C2正极，电容C2负极连接至电源负极CD-；/n电感L3一端连接至电感L1与电感L2的接点、且连接至电阻RJ1与电阻RJ2的接点，电感L3另一端连接至电容C1与电容C2接点。/n

【技术特征摘要】
1.一种逆变电感后置的中频电源电路，其特征在于，包括：逆变可控硅模块KA1、逆变可控硅模块KA2、逆变可控硅模块KB1、逆变可控硅模块KB2、电阻RJ1、电阻RJ2、电容C1、电容C2、电感L1、电感L2以及电感L3；
逆变可控硅模块KA1输入端和逆变可控硅模块KA2输入端均连接至电源正极CD+，逆变可控硅模块KA1输出端和逆变可控硅模块KA2输出端均连接至电感L1一端，电感L1另一端连接至电感L2一端，电感L2另一端连接至逆变可控硅模块KB1输入端和逆变可控硅模块KB2输入端，逆变可控硅模块KB1输出端和逆变可控硅模块KB2输出端均连接至电源负极CD-；
电阻RJ1一端连接至电源正极CD+，电阻RJ1另一端连接至电阻RJ2一端，电阻RJ2另一端连接至电源负极CD-；
电容C1正极连接至电源正极CD+，电容C1负极连接至电容C2正极，电容C2负极连接至电源负极CD-；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄强，冯柏松，
申请(专利权)人：重庆拓仕达电气有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50