一种半模基片集成波导双带滤波器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种互补开口谐振环和U槽结构的半模基片集成波导双带滤波器。其关键在于：所述的双带滤波器包含介质基片，介质基片上有顶层金属层、底层接地金属层、开路支线结构，顶层金属层刻蚀互补开口谐振环、U槽和电容谐振器结构，底层接地金属贴片刻蚀互补开口谐振环和U槽构成缺陷地结构，缺陷地结构与开路支线中心位于一条直线，顶层金属贴片通过一排金属化通孔穿过介质基片与底层接地金属贴片相连，渐变阻抗匹配单元，输入、出微带馈电线。本用新型以互补开口谐振环和U槽结构产生通带，引入电容谐振器结构增强3dB带宽，利用开路支线与缺陷地结构的传输特性及耦合产生通带，两个通带相互独立，两者级联增强通带的选择性。

【技术实现步骤摘要】
一种半模基片集成波导双带滤波器
本技术涉及一种应用在无线通信系统的滤波，尤其是涉及一种互补开口谐振环和U槽结构的半模基片集成波导双带滤波器。
技术介绍
随着进入5G时代，通信设备不断攀升，有限频域资源受到严重冲击，各个频段的通信系统相继出现。为了每个频段相对独立，高质量滤波器的作用尤为重要。半模基片集成波导具有高性能、高Q值、低损耗、低成本、易集成的优点；缺陷地结构改变传输线的分布电感和分布电容，获得带阻特性和慢波特性等，慢波特性可以用来实现滤波器的小型化设计，带阻特性可以用来实现阻带滤波器设计。因此，利用半模基片集成波导及缺陷地技术设计双带滤波器，实现了滤波器的低损耗、低成本、易集成等优点。
技术实现思路
本技术的主要目的是采用半模基片集成波导和缺陷地技术，结合互补开口谐振环、U槽缺陷地结构以及电容谐振结构的传输特性，提供一种高选择性、低损耗的双带滤波器。本技术的目的通过以下的技术方案实现：一种半模基片集成波导双带滤波器，包括：顶层、介质基板层和底层金属地三层结构。所述的顶层设有金属平面1和开路支线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半模基片集成波导双带滤波器，其特征在于：所述的双带滤波器包含顶层、介质基板层和底层金属地三层结构；/n所述的顶层设有金属平面（1）和开路支线（9），金属平面（1）刻蚀互补开口谐振环（2），刻蚀U槽结构（3），刻蚀倒U槽结构（4），刻蚀电容谐振结构（5）；电容谐振结构（5）位于互补开口谐振环（2）内部，U槽结构（3）和倒U槽结构（4）是轴对称结构，互补开口谐振环（2）位于U槽结构（3）和倒U槽结构（4）构成的结构内；/n所述的金属平面（1）通过一排金属化通孔（11）穿过介质基板层与底层接地金属地相连，微带馈电线与金属平面（1）利用金属渐变（10）连接；/n所述的底层金属地刻蚀互补开口谐振...

【技术特征摘要】
1.一种半模基片集成波导双带滤波器，其特征在于：所述的双带滤波器包含顶层、介质基板层和底层金属地三层结构；
所述的顶层设有金属平面（1）和开路支线（9），金属平面（1）刻蚀互补开口谐振环（2），刻蚀U槽结构（3），刻蚀倒U槽结构（4），刻蚀电容谐振结构（5）；电容谐振结构（5）位于互补开口谐振环（2）内部，U槽结构（3）和倒U槽结构（4）是轴对称结构，互补开口谐振环（2）位于U槽结构（3）和倒U槽结构（4）构成的结构内；
所述的金属平面（1）通过一排金属化通孔（11）穿过介质基板层与底层接地金属地相连，微带馈电线与金属平面（1）利用金属渐变（10）连接；
所述的底层金属地刻蚀互补开口谐振环缺陷地（6），刻蚀U槽缺陷地结构（7），刻蚀倒U槽缺陷地结构（8）；U槽缺陷地结构（7）和倒U槽缺陷地结构（8）是轴对称结构，互补开口谐振环缺陷地（6）位于U槽缺陷地...

【专利技术属性】
技术研发人员：张中华，夏铭，熊荆，
申请(专利权)人：重庆安全技术职业学院，
类型：新型
国别省市：重庆;50