【技术实现步骤摘要】
本设计属于半导体光电子学的测量技术。近年来，各种半导体激光器发展异常迅速，输出功率达到数百毫瓦至数十瓦，但多是双瓣远场光束和多纵模光谱，因此这种激光器在很多方面还无法满足需要。人们常用注入锁定方法改善与控制激光器的空间与光谱特性，以获得大功率激光器单瓣远场分布和单纵模光谱。通常注入锁定系统是用光学透镜的注入方法，其测量装置的注入光学透镜系统通常用由若干个分立光学透镜组成，其不足之处是在调整注入光束的入射角时，每调整一次角度，注入光学透镜系统和激光器都要进行一次准直。本设计的目的是提供一种较灵活并方便的半导体激光器测量装置，只需调整注入光纤一端就可调整好注入光束的入射角，不必再调整激光器。为实现上述目的，本设计在测量装置中采用了微透镜光纤的结构。以下结合附图和实施例对本设计作具体描述。附图说明图1是本设计的示意图。图中1-单模激光器；2-量子阱大功率激光器；3-单色仪；4-双透镜系统；5-微透镜光纤。实施例、单模激光器1为主动激光器，单模激光器发射的光入射到微透镜光纤5，由光纤的另一端直接注入到InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制单量子阱大功率激光器2，注入锁定的输出光经双透镜系统4成像(双透镜系统为两个f＝7.7mm的球面透镜)经单色仪3进行光谱测量。本实施例的工作波长850nm，阀值电流Ith＝40mA，输出脉冲功率10mW，激光器列阵条宽为5um，条元数N＝5，工作波长850nm，阀值电流Ith＝130mA，多瓣远场分布，光谱半宽1埃，注入光功率3mW，注入光束角4°，单瓣峰位置离输出轴偏离1.5°，注入电流300mA，输出功率为30mW...
【技术保护点】
一种半导体激光器测量装置，包括单模激光器、量子阱大功率激光器、单色仪和双透镜系统，其特征是在单模激光器与量子阱大功率激光器之间，双透镜系统与单色仪之间采用微透镜光纤。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李丽娜，
申请(专利权)人：中国科学院长春物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：22[中国|吉林]
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