显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种分辨率高的显示装置。缩减将微型LED用于显示元件的显示装置的制造成本。该显示装置包括衬底、多个晶体管及多个发光二极管。在衬底上以矩阵状设置多个发光二极管。多个晶体管的每一个与多个发光二极管中的至少一个电连接。多个发光二极管位于与多个晶体管相比更靠近衬底一侧。多个发光二极管向与衬底相反一侧发光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置、显示模块、电子设备及它们的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入输出装置(例如，触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。
技术介绍
近年来，已提出了将微型发光二极管(MicroLED(LightEmittingDiode))用于显示元件的显示装置(例如，专利文献1)。将微型LED用于显示元件的显示装置具有高亮度、高对比度、长使用寿命等优点，因此作为新一代显示装置，对其的研究开发非常活跃。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]美国专利申请公开第2014/0367705号说明书
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在将微型LED用于显示元件的显示装置中，LED芯片的安装所需要的时间极长，所以制造成本的缩减是要解决的课题。例如，在取放方式中，在不同的晶片上分别制造红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的LED，逐一切割出LED，并将其安装于电路板上。因此，显示装置的像素数越多，要安装的LED的个数越多，导致安装所需要的时间变长。此外，显示装置的分辨率越高，安装LED的难易度越高。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种分辨率高的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种显示质量高的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是实现显示装置的薄型化及轻量化。本专利技术的一个方式的目的之一是缩减将微型LED用于显示元件的显示装置的制造成本。本专利技术的一个方式的目的之一是以高成品率制造将微型LED用于显示元件的显示装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图及权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。解决技术问题的手段本专利技术的一个方式的显示装置包括衬底、多个晶体管及多个发光二极管。多个发光二极管以矩阵状设置在衬底上。多个晶体管的每一个与多个发光二极管中的至少一个电连接。多个发光二极管位于与多个晶体管相比更靠近衬底一侧。多个发光二极管向与衬底相反一侧发射光。多个发光二极管中的至少一个优选是微型发光二极管。多个晶体管中的至少一个优选在沟道形成区域中包括金属氧化物。多个发光二极管优选包括呈现互不相同的颜色的光的第一发光二极管及第二发光二极管。此外，多个发光二极管优选呈现白色光。多个晶体管中的至少一个优选包括使可见光透过的半导体层。半导体层包括沟道形成区域和一对低电阻区域。一对低电阻区域的电阻比沟道形成区域的电阻低。发光二极管所发射的光穿过一对低电阻区域中的至少一个发射到衬底一侧。本专利技术的一个方式是一种包括具有上述任何结构的显示装置的模块，该模块安装有柔性印刷电路板(Flexibleprintedcircuit，以下记为FPC)或TCP(TapeCarrierPackage：带载封装)等连接器或者利用COG(ChipOnGlass：玻璃覆晶封装)方式或COF(ChipOnFilm：薄膜覆晶封装)方式等安装有集成电路(IC)。本专利技术的一个方式是一种包括上述模块、天线、电池、外壳、照相机、扬声器、麦克风及操作按钮中的至少一个的电子设备。本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底上以矩阵状形成多个晶体管；在第二衬底上以矩阵状形成多个发光二极管；在第一衬底或第二衬底上形成与多个晶体管中的至少一个或多个发光二极管中的至少一个电连接的第一导电体；以及以通过第一导电体使多个晶体管中的至少一个和多个发光二极管中的至少一个电连接的方式贴合第一衬底和第二衬底。优选在第一衬底上形成第一导电体，使第一导电体与多个晶体管中的至少一个电连接，在第二衬底上形成与多个发光二极管中的至少一个电连接的第二导电体，来以使第一导电体和第二导电体接触的方式贴合第一衬底和第二衬底。此外，也可以在贴合第一衬底和第二衬底后剥离第一衬底。本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底上形成剥离层；在剥离层上形成绝缘层；在绝缘层的一部分形成开口；在绝缘层上以矩阵状形成多个晶体管；在剥离层上以与绝缘层的开口重叠的方式形成导电层；密封多个晶体管；使用剥离层剥离第一衬底，并使导电层从剥离层一侧露出；在第二衬底上以矩阵状形成多个发光二极管；以通过导电层使多个晶体管中的至少一个与多个发光二极管中的至少一个电连接的方式将多个晶体管转置到第二衬底上；以及导电层与多个晶体管中的至少一个电连接或者用作多个晶体管中的至少一个的源极或漏极。本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底上形成剥离层；在剥离层上形成绝缘层；在绝缘层的一部分形成开口；在绝缘层上以矩阵状形成多个晶体管；密封多个晶体管；多个晶体管的半导体层的每一个包括沟道形成区域和一对低电阻区域；沟道形成区域形成在绝缘层上；以在剥离层上与绝缘层的开口重叠的方式形成一对低电阻区域中的一个；使用剥离层剥离第一衬底，并使一对低电阻区域中的一个从剥离层一侧露出；在第二衬底上以矩阵状形成多个发光二极管；以及以通过一对低电阻区域中的一个使多个晶体管中的至少一个和多个发光二极管中的至少一个电连接的方式将多个晶体管转置到第二衬底上。专利技术效果根据本专利技术的一个方式可以提供一种分辨率高的显示装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种显示质量高的显示装置。根据本专利技术的一个方式，可以实现显示装置的薄型化及轻量化。根据本专利技术的一个方式，可以缩减将微型LED用于显示元件的显示装置的制造成本。根据本专利技术的一个方式，可以以高成品率制造将微型LED用于显示元件的显示装置。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。可以从说明书、附图及权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。附图说明[图1]图1(A)是说明显示装置的结构例子的截面图。图1(B)是说明LED衬底的结构例子的截面图。图1(C)是说明电路板的结构例子的截面图。[图2]图2(A)是说明显示装置的结构例子的截面图。图2(B)、图2(C)及图2(D)是说明显示装置的制造方法的一个例子的截面图。[图3]图3(A)是说明显示装置的结构例子的截面图。图3(B)是说明LED衬底的结构例子的截面图。图3(C)是说明电路板的结构例子的截面图。[图4]图4(A)是说明显示装置的结构例子的截面图。图4(B)是说明LED衬底的结构例子的截面图。[图5]图5(A)和图5(B)是说明电路阵列的制造方法的一个例子的截面图。[图6]是说明显示装置的结构例子的截面图。[图7]是说明显示装置的结构例子的截面图。[图8]图8(A)和图8(B)是示出晶体管的一个例子的截面图。[图9]图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n衬底；/n多个晶体管；以及/n多个发光二极管,/n其中，所述多个发光二极管以矩阵状设置在所述衬底上，/n所述多个晶体管的每一个与所述多个发光二极管中的至少一个电连接，/n所述多个发光二极管位于与所述多个晶体管相比更靠近衬底一侧，/n并且，所述多个发光二极管向与所述衬底相反一侧发光。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180518 JP 2018-0958721.一种显示装置，包括：
衬底；
多个晶体管；以及
多个发光二极管,
其中，所述多个发光二极管以矩阵状设置在所述衬底上，
所述多个晶体管的每一个与所述多个发光二极管中的至少一个电连接，
所述多个发光二极管位于与所述多个晶体管相比更靠近衬底一侧，
并且，所述多个发光二极管向与所述衬底相反一侧发光。


2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中所述多个发光二极管中的至少一个是微型发光二极管。


3.根据权利要求1或2所述的显示装置，
其中所述多个晶体管中的至少一个在沟道形成区域中包括金属氧化物。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，
其中所述多个发光二极管包括第一发光二极管及第二发光二极管，
并且所述第一发光二极管与所述第二发光二极管呈现互不相同的颜色的光。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，
其中所述多个发光二极管包括呈现白色光的发光二极管。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置，
其中所述多个晶体管中的至少一个包括使可见光透过的半导体层，
所述半导体层包括沟道形成区域及一对低电阻区域，
所述一对低电阻区域的电阻比所述沟道形成区域的电阻低，
并且所述发光二极管所发射的光穿过所述一对低电阻区域中的至少一个发射到所述衬底一侧。


7.一种显示模块，包括：
权利要求1至6中任一项所述的显示装置；以及
连接器或集成电路。


8.一种电子设备，包括：
权利要求7所述的显示模块；以及
天线、电池、外壳、照相机、扬声器、麦克风及操作按钮中的至少一个。


9.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一衬底上以矩阵状形成多个晶体管；
在第二衬底上以矩阵状形成多个发光二极管；
在所述第一衬底或所述第二衬底上形成与所述多个晶体管中的至少一个或所述多个发光二极管中的至少一个电连接的第一导电体；以及
以通过所述第一导电体使所述多个晶体管中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：楠纮慈，江口晋吾，塚本洋介，渡边一德，丰高耕平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP