上电复位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种上电复位电路。包括：第一阻性元件、第二阻性元件、第三阻性元件、第四阻性元件、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一反相器和第二反相器；第一阻性元件与上电复位电路的输入端电连接，第二端与第一三极管集电极及第一三极管的基极电连接；第一三极管发射极接地；第二阻性元件的第一端与第一阻性元件的第一端电连接，第二端与第二三极管的集电极电连接；第二三极管的基极与第一三极管的基极电连接，发射极与第三阻性元件的第一端电连接，第三阻性元件的第二端接地；第三三极管的基极与第二三极管的集电极电连接，发射极接地，集电极与第一反相器的输入端电连接。本发明专利技术能够无需带隙基准即可产生精确的阈值电压。

【技术实现步骤摘要】
上电复位电路
本专利技术实施例涉及上电复位技术，尤其涉及一种上电复位电路。
技术介绍
随着上电复位电路(PowerOnReset，POR)在各类芯片系统中的应用越来越广泛，对上电复位电路的性能要求也越来越高。现有的上电复位电路一般采用基于MOS管的结构，然而基于MOS管结构的上电复位电路阈值电压受MOS管工艺影响较大，精度范围较低；或者采用基于bandgap(带隙基准)的结构，然而，bandgap的结构复杂，且需要先启动bandgap，使用较为不便。
技术实现思路
本专利技术提供一种上电复位电路，无需带隙基准即可产生精确的阈值电压。本专利技术实施例提供了一种上电复位电路，所述上电复位电路包括：第一阻性元件、第二阻性元件、第三阻性元件、第四阻性元件、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一反相器和第二反相器；所述第一阻性元件与所述上电复位电路的输入端电连接，所述第一阻性元件的第二端与所述第一三极管的集电极及所述第一三极管的基极电连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第二阻性元件的第一端与所述第一阻性元件的第一端电连接，所述第一阻性元件的第二端与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极电连接，所述第二三极管的发射极与所述第三阻性元件的第一端电连接，所述第三阻性元件的第二端接地；所述第四阻性元件的第一端与所述第一阻性元件的第一端电连接，所述第四阻性元件的第二端与所述第三三极管的集电极电连接；所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第三三极管的集电极与所述第一反相器的输入端电连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端电连接，所述第二反相器的输出端与所述上电复位电路的输出端电连接。可选地，所述第二三极管的发射极面积大于所述第一三极管的发射极面积，所述第三三极管的发射极面积等于所述第一三极管的发射极面积。可选地，所述第一阻性元件与所述第二阻性元件的阻值相同。可选地，所述第一阻性元件、第二阻性元件及所述第三阻性元件均为可调电阻。可选地，所述第一三极管的集电极与所述第一阻性元件的第二端之间串联有N个第四三极管，所述第三三极管与所述第二阻性元件的第二端之间串联有N个第五三极管；N为正整数；其中，当N为1时，所述第四三极管的集电极与所述第一阻性元件的第二端电连接，所述第四三极管的发射极与所述第一三极管的集电极电连接，所述第四三极管的集电极与所述第四三极管的基极电连接；所述第五三极管的集电极与所述第二阻性元件的第二端电连接，所述第五三极管的发射极与所述第三阻性元件的第一端电连接，所述第五三极管的基极与所述第四三极管的基极电连接；当N大于等于2时，第1个所述第四三极管的集电极与所述第一阻性元件的第二端电连接，第N个所述第四三极管的发射极与所述第一三极管的集电极电连接，所述第四三极管的集电极与其基极电连接，第m个所述第四三极管的发射极与第m+1个所述第四三极管的集电极电连接；第1个所述第五三极管的集电极与所述第二阻性元件的第二端电连接，第N个所述第五三极管的发射极与所述第三阻性元件的第一端电连接，第m个所述第五三极管的发射极与第m+1个所述第五三极管的集电极电连接；第k个所述第四三极管的基极与第k个所述第五三极管的基极电连接；1≤m＜N，1≤k≤N；m，N均为整数。可选地，所述第四三极管的发射极面积与所述第一三极管的发射极面积相同；所述第五三极管的发射机面积与所述第二三极管的发射极面积相同。可选地，所述上电复位电路还包括：第五阻性元件和第六阻性元件；所述第五阻性元件的第一端与所述第一三极管的集电极电连接，所述第五阻性元件的第二端接地；所述第六阻性元件的第一端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第六阻性元件的第二端接地。可选地，所述第五阻性元件与所述第六阻性元件的阻值相同。可选地，所述第五阻性元件及所述第六阻性元件均为可调电阻。可选地，所述第一三极管、所述第二三极管和所述第三三极管中至少一个的基极通过电容接地。本实施例的技术方案，上电复位电路的阈值电压仅与三极管的VBE、第一阻性元件及第三阻性元件的阻值有关，且由于三极管的VBE受工艺影响较小，因而上电复位电路无需带隙基准即可实现精确地阈值电压，能够极大的增加上电复位电路的应用范围。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种上电复位电路的电路结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的又一种上电复位电路的电路结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的又一种上电复位电路的电路结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的又一种上电复位电路的电路结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。图1为本专利技术实施例提供的一种上电复位电路的电路结构示意图，参考图1，上电复位电路包括：第一阻性元件R1、第二阻性元件R2、第三阻性元件R3、第四阻性元件R4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一反相器INV1和第二反相器INV2；第一阻性元件R1与上电复位电路的输入端Vin电连接，第一阻性元件R1的第二端与第一三极管Q1的集电极及第一三极管Q1的基极电连接；第一三极管Q1的发射极接地；第二阻性元件R2的第一端与第一阻性元件R1的第一端电连接，第一阻性元件R1的第二端与第二三极管Q2的集电极电连接；第二三极管Q2的基极与第一三极管Q1的基极电连接，第二三极管Q2的发射极与第三阻性元件R3的第一端电连接，第三阻性元件R3的第二端接地；第四阻性元件R4的第一端与第一阻性元件R1的第一端电连接，第四阻性元件R4的第二端与第三三极管Q3的集电极电连接；第三三极管Q3的基极与第二三极管Q2的集电极电连接，第三三极管Q3的发射极接地，第三三极管Q3的集电极与第一反相器INV1的输入端电连接，第一反相器INV1的输出端与第二反相器INV2的输入端电连接，第二反相器INV2的输出端与上电复位电路的输出端Vout电连接。具体地，上电复位电路可用于在系统刚刚上电，电源电压还未达到预期的稳定状态时，产生一个复位信号，从而初始化系统，防止系统中各个节点电压和逻辑电平因处于未知状态而受到破坏。阻性元件例如可以是电阻，三极管例如可以采用NPN型三极管，第一反相器INV1和第二反相器INV2可用于将第三三极管Q3集电极的输出的模拟电压经过滤波后，变为标准电压，即恒定的数字信号后输出，使得系统开始初始化。当上电复位电路的输出端Vout恰好有输出时，也即此时上电复位电路的输入端Vin输入的电压为上电复位电路的阈值电压；以下对上电复位电路阈值电压的计算进行详细说明，为便于计算，可设置第二三极管Q2的发射极面积大于第一三极管Q1的面积，例如可设置第二三极管Q2的发射即面积为第一三极管Q1发射极面积的n倍，设置第一三极管Q1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括：/n第一阻性元件、第二阻性元件、第三阻性元件、第四阻性元件、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一反相器和第二反相器；/n所述第一阻性元件与所述上电复位电路的输入端电连接，所述第一阻性元件的第二端与所述第一三极管的集电极及所述第一三极管的基极电连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第二阻性元件的第一端与所述第一阻性元件的第一端电连接，所述第一阻性元件的第二端与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极电连接，所述第二三极管的发射极与所述第三阻性元件的第一端电连接，所述第三阻性元件的第二端接地；所述第四阻性元件的第一端与所述第一阻性元件的第一端电连接，所述第四阻性元件的第二端与所述第三三极管的集电极电连接；所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第三三极管的集电极与所述第一反相器的输入端电连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端电连接，所述第二反相器的输出端与所述上电复位电路的输出端电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路包括：
第一阻性元件、第二阻性元件、第三阻性元件、第四阻性元件、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一反相器和第二反相器；
所述第一阻性元件与所述上电复位电路的输入端电连接，所述第一阻性元件的第二端与所述第一三极管的集电极及所述第一三极管的基极电连接；所述第一三极管的发射极接地；所述第二阻性元件的第一端与所述第一阻性元件的第一端电连接，所述第一阻性元件的第二端与所述第二三极管的集电极电连接；所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极电连接，所述第二三极管的发射极与所述第三阻性元件的第一端电连接，所述第三阻性元件的第二端接地；所述第四阻性元件的第一端与所述第一阻性元件的第一端电连接，所述第四阻性元件的第二端与所述第三三极管的集电极电连接；所述第三三极管的基极与所述第二三极管的集电极电连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第三三极管的集电极与所述第一反相器的输入端电连接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端电连接，所述第二反相器的输出端与所述上电复位电路的输出端电连接。


2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，
所述第二三极管的发射极面积大于所述第一三极管的发射极面积，所述第三三极管的发射极面积等于所述第一三极管的发射极面积。


3.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，
所述第一阻性元件与所述第二阻性元件的阻值相同。


4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，
所述第一阻性元件、第二阻性元件及所述第三阻性元件均为可调电阻。


5.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一三极管的集电极与所述第一阻性元件的第二端之间串联有N个第四三极管，所述第三三极管与所述第二阻性元件的第二端之间串联有N个第五三极管；N为正整数；
其中，当N为1时，所述第四三极管的集电极与所述第一阻性元件的第二端电连接，所述第四三极管的发射...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙波，杨逢春，
申请(专利权)人：苏州坤元微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32