防漏电采样保持电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种防漏电采样保持电路，包括采样电压输入端(VIN)、与之串联的第二开关电容电路(2)和采样电压输出端(VO)，所述第二开关电容电路(2)包括第二采样开关(S2)和与之串联的第二电压保持电容(C2)，所述第二电压保持电容(C2)一端接地，另一端与所述采样电压输出端(VO)连接，所述第二采样开关(S2)设置在所述采样电压输入端(VIN)和所述采样电压输出端(VO)之间，其特征在于：所述防漏电采样保持电路还包括至少一个电压跟随电路(1)，所述电压跟随电路(1)设置在所述采样电压输出端(VO)和所述第二开关电容电路(2)之间。(VO)和所述第二开关电容电路(2)之间。(VO)和所述第二开关电容电路(2)之间。

【技术实现步骤摘要】
防漏电采样保持电路


[0001]本技术涉及一种防漏电采样保持电路。

技术介绍

[0002]常见的采样保持电路，如图5所示，包括采样开关S和电压保持电容C。在实际应用当中，开关S通常由MOS开关管来实现，具体方式包括NMOS管和PMOS 管以及两者并联等方式。如图6所示为由NMOS管作为开关管S的采样保持电路, 具体工作方式如下:
[0003]当VG为高电平时，NMOS开启(即开关S1闭合)，经过一定稳定时间后，VO1＝VIN1，即电容C上的电压等于被采样电压VIN；当VG为低电平时，NMOS管关断(即开关S1断开)，电容C上存储的电荷保持不变，从而输出电压VO保持不变，即等于开关断开前的输出电压VIN；如果NMOS开关管断开之后VIN电压发生变化，VO电压仍然保持不变，从而实现了输入电压的采样和保持。
[0004]但是实际上，在上述采样保持电路(如图1、图2所示电路)中采用MOS管作为开关时，存在电容上的电荷在保持阶段的出现泄漏问题。如图2所示，当 VG为低电平时，NMOS管关断(即开关S1断开)，此时若VIN1发生变化，则电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防漏电采样保持电路，包括采样电压输入端(VIN)、与之串联的第二开关电容电路(2)和采样电压输出端(VO)，所述第二开关电容电路(2)包括第二采样开关(S2)和与之串联的第二电压保持电容(C2)，所述第二电压保持电容(C2)一端接地，另一端与所述采样电压输出端(VO)连接，所述第二采样开关(S2)设置在所述采样电压输入端(VIN)和所述采样电压输出端(VO)之间，其特征在于：所述防漏电采样保持电路还包括至少一个电压跟随电路(1)，所述电压跟随电路(1)设置在所述采样电压输出端(VO)和所述第二开关电容电路(2)之间。2.根据权利要求1所述的防漏电采样保持电路，其特征在于：所述电压跟随电路(1)包括第一采样开关(S1)和与之串联的第一电压保持电容(C1)以及第一节点(V1)，所述第一采样开关(S1)两端分别与所述采样电压输入端(VIN)和所述第一节点(V1)连接，所述第一节点(V1)与第二采样开关(S2)的一端连接，所述第一电压保持电容(C1)另一端接地，所述第一节点(V1)即为电压跟随电路(1)的输出端。3.根据权利要求2所述的防漏电采样保持电路，其特征在于：所述第一采样开关(S1)包括NMOS管、PMOS管、或两者组成的互补型MOS开关。4.根据权利要求2所述的防漏电采样保持电路，其特征在于：所述电压跟随电路(1)包括跟随器电路(3)，所述跟随器电路(3)的输入端(V2)连接在所述第二采样开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊晓微，张浩然，
申请(专利权)人：苏州坤元微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：