量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置制造方法及图纸

公开了一种量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置。本公开提供了一种量子点QD发光二极管，其包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括QD和有机材料的QD发光材料层；位于所述第一电极和所述QD发光材料层之间的空穴辅助层；以及位于所述QD发光材料层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中，所述有机材料的最高占据分子轨道HOMO能级高于所述空穴辅助层的材料的HOMO能级。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制造方法和量子点发光显示装置
本公开涉及量子点(QD)发光二极管，更具体地，涉及具有改善的电荷平衡的QD发光二极管和QD发光显示装置以及制造QD发光二极管的方法。
技术介绍
近来，随着社会已经正式进入信息时代，将各种电信号表示为可视图像的显示装置的领域已经得到迅速发展。例如，已经引入了诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光二极管(OLED)装置的平板显示装置。另一方面，已经研发或研究了在显示装置上使用量子点(QD)。在QD中，处于不稳定状态的电子从导带跃迁到价带，从而发射光。由于QD具有高消光系数和优异的量子产率，因此从QD发射强荧光。另外，由于通过QD的大小来控制来自QD的光的波长，所以可以通过控制QD的大小来发射整体可见光。使用QD的QD发光二极管包括阳极、面对阳极的阴极和QD发光层。QD发光层设置在阳极和阴极之间并且包括QD。当空穴和电子分别从阳极和阴极注入到QD发光层中时，从QD发光层发出光。然而，在现有技术QD发光二极管中，不能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.量子点QD发光二极管，该QD发光二极管包括：/n第一电极；/n面对所述第一电极的第二电极；/nQD发光材料层，该QD发光材料层位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括QD和有机材料；/n空穴辅助层，该空穴辅助层位于所述第一电极和所述QD发光材料层之间；以及/n电子辅助层，该电子辅助层位于所述QD发光材料层和所述第二电极之间，/n其中，所述有机材料的最高占据分子轨道HOMO能级高于所述空穴辅助层的材料的HOMO能级。/n

【技术特征摘要】
20190624 KR 10-2019-00748691.量子点QD发光二极管，该QD发光二极管包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；
QD发光材料层，该QD发光材料层位于所述第一电极和所述第二电极之间并且包括QD和有机材料；
空穴辅助层，该空穴辅助层位于所述第一电极和所述QD发光材料层之间；以及
电子辅助层，该电子辅助层位于所述QD发光材料层和所述第二电极之间，
其中，所述有机材料的最高占据分子轨道HOMO能级高于所述空穴辅助层的材料的HOMO能级。


2.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，在所述QD发光材料层中，所述有机材料的重量小于所述QD的重量。


3.根据权利要求2所述的QD发光二极管，其中，所述有机材料相对于所述QD具有3至6的重量％。


4.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，所述有机材料的HOMO能级具有-5.5eV至-5.0eV的范围，并且所述空穴辅助层的材料的HOMO能级具有-6.0eV至-5.5eV的范围，并且
其中，所述QD的价带能级具有-6.5eV至-6.0eV的范围。


5.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，所述有机材料是三(4-咔唑基-9-基苯基)胺(TCTA)或4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)，并且所述空穴辅助层的材料是聚-N-乙烯基咔唑(PVK)或聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB)。


6.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，所述有机材料的最低未占据分子轨道LUMO能级高于所述QD的导带能级。


7.一种QD发光显示装置，该QD发光显示装置包括：
基板；
根据权利要求1至6中的任一项所述的QD发光二极管，该QD发光二极管位于所述基板上或位于所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：金奎男，田德荣，赵贤珍，朴宣重，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR