有机电致发光装置制造方法及图纸

有机电致发光装置包括第一电极、在第一电极上的空穴传输区域、在空穴传输区域上的发射层、在发射层上的电子传输区域以及在电子传输区域上的第二电极。电子传输区域包括在发射层上的第一电子传输层和在第一电子传输层上的第二电子传输层。发射层的最高占据分子轨道(HOMO)能级与第一电子传输层的HOMO能级之间的差值的绝对值是大约0.3eV至大约1.5eV。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光装置相关申请的交叉引用在2015年10月27日提交于韩国知识产权局的名称为“有机电致发光装置以及包括该有机电致发光装置的显示器”的第10-2015-0149603号韩国专利申请通过引用以其整体并入本文。
实施方式涉及有机电致发光装置以及包括该有机电致发光装置的有机发光显示器。
技术介绍
平面显示器主要分为发光型和非发光型。发光型的示例包括平面阴极射线管显示器、等离子体显示面板显示器和有机电致发光显示器(有机发光显示器，OLED)等。OLED是具有宽视角、良好对比度以及快速响应速度的优点的自发光显示器。相应地，OLED可应用在用于移动设备(诸如远程相机、视频相机、摄录机、个人数字助手、智能手机、超薄笔记本计算机、平板个人计算机或者柔性显示器)的显示器，或者应用在用于大型电子产品或者大型电器(诸如超薄电视机)的显示器以引起公众注意。在OLED中，从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合以及发光，从而实现颜色。注入的空穴和电子结合以形成激子，激子从激发态跃迁回基态，从而发光。
技术实现思路
实施方式涉及有机电致发光装置，该有机电致发光装置包括第一电极、在第一电极上的空穴传输区域、在空穴传输区域上的发射层、在发射层上的电子传输区域以及在电子传输区域上的第二电极。电子传输区域包括在发射层上的第一电子传输层和在第一电子传输层上的第二电子传输层。发射层的最高占据分子轨道(HOMO)能级与第一电子传输层的HOMO能级之间的差值的绝对值是大约0.3eV至大约1.5eV。发射层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级与第一电子传输层的LUMO能级之间的差值的绝对值可以是大约0eV至大约0.2eV。第一电子传输层的LUMO能级与第二电子传输层的LUMO能级之间的差值的绝对值可以是大约0eV至大约0.2eV。发射层的HOMO能级与第一电子传输层的HOMO能级之间的差值的绝对值可以是大约0.5eV至大约1.5eV。第一电子传输层可包括第一电子传输材料和第一n型掺杂物。第二电子传输层可包括第二电子传输材料和第二n型掺杂物。第一电子传输材料和第二电子传输材料可彼此相同。第一n型掺杂物与第二n型掺杂物可彼此相同，以及基于第一电子传输层的总重量的第一n型掺杂物的重量百分数(wt％)与基于第二电子传输层的总重量的第二n型掺杂物的重量百分数(wt％)可彼此不同。第一n型掺杂物与第二n型掺杂物可彼此不同。第一n型掺杂物和第二n型掺杂物可各自包括从以下群组中选出的至少一种：喹啉锂(Liq)、LiF、Li2O、CsF、BaF、BaO、Al2O3、NaCl、RbCl、RbI、Ca、Cs和Yb。第一电子传输层的厚度可以是大约至大约实施方式也涉及包括多个像素的有机电致发光显示器。每个像素均可包括第一电极、在第一电极上的空穴传输区域、在空穴传输区域上的发射层、在发射层上的电子传输区域以及在电子传输区域上的第二电极。电子传输区域包括在发射层上的第一电子传输层和在第一电子传输层上的第二电子传输层。发射层的最高占据分子轨道(HOMO)能级与第一电子传输层的HOMO能级之间的差值的绝对值是大约0.3eV至大约1.5eV。发射层的最低未占据分子轨道(LUMO)能级与第一电子传输层的LUMO能级之间的差值的绝对值可以是大约0eV至大约0.2eV。第一电子传输层的LUMO能级与第二电子传输层的LUMO能级之间的差值的绝对值可以是大约0eV至大约0.2eV。第一电子传输层可包括第一电子传输材料和第一n型掺杂物。第二电子传输层可包括第二电子传输材料和第二n型掺杂物。第一电子传输材料与第二电子传输材料可彼此相同。第一n型掺杂物与第二n型掺杂物可彼此相同。基于第二电子传输层的总重量的第二n型掺杂物的重量百分数(wt％)可低于基于第一电子传输层的总重量的第一n型掺杂物的重量百分数(wt％)。第一电子传输层可包括第一电子传输材料和第一n型掺杂物。第二电子传输层可包括第二电子传输材料和第二n型掺杂物。第一电子传输材料与第二电子传输材料可彼此相同，以及第一n型掺杂物与第二n型掺杂物可彼此不同。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施方式，对于本领域技术人员来说特征将变得显而易见，其中：图1示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光装置剖视图；图2示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光装置剖视图；图3示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光装置剖视图；图4示意性地示出了根据实施方式的有机电致发光装置的能量转移机制；图5示意性地示出了根据实施方式的有机电致发光装置的能量转移机制；图6示意性地示出了根据实施方式的有机电致发光装置的能量转移机制；图7示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光显示器的立体图；图8示出了根据实施方式的有机电致发光显示器中所包括的像素中的一个的电路图；图9示出了根据实施方式的有机电致发光显示器中所包括的像素中的一个的平面图；以及图10示出了沿图9的线I-I’作出的示意剖视图。具体实施方式现将参照附图在下文中更充分地描述示例性实施方式；然而，这些示例性实施方式可具体表现为不同的形式并且不应当理解为限制于本文所述的实施方式。相反，这些实施方式被提供以使得本公开将是彻底和完整的，以及将向本领域技术人员充分表达示例性实现方式。在附图中，为了图示清晰起见，层和区域的尺寸可被夸大。还将理解，当层或元件称为在另一层或者衬底“上”时，该层或元件可直接位于该另一层或者衬底上，或者也可存在中间层。此外，也将理解，当层称为在两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一层，或者也可存在一个或多个中间层。全文中相同的附图标记表示相同的元件。下文中，将描述根据实施方式的有机电致发光装置。图1示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光装置的剖视图。图2示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光装置的剖视图。图3示出了示意性地展示根据实施方式的有机电致发光装置的剖视图。参照图1至图3，根据实施方式的有机电致发光装置OEL可包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发射层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。空穴传输区域HTR、发射层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2可在某个方向(例如，DR2)上依次设置在第一电极EL1上。第一电极EL1与第二电极EL2可彼此相对。第一电极EL1可具有导电性。第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极(transmissiveelectrode)、半透射电极(semi-transmissiveelectrode)或者反射电极(reflectiveelectrode)。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可使用透明金属氧化物形成，例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.有机电致发光装置，包括：/n第一电极；/n空穴传输区域，位于所述第一电极上；/n发射层，位于所述空穴传输区域上；/n电子传输区域，位于所述发射层上；以及/n第二电极，位于所述电子传输区域上，/n其中：/n所述电子传输区域包括位于所述发射层上的第一电子传输层和位于所述第一电子传输层上的第二电子传输层，/n所述发射层的最高占据分子轨道能级与所述第一电子传输层的最高占据分子轨道能级之间的差值的绝对值为0.3eV至1.5eV，/n所述第一电子传输层包括第一电子传输材料和第一n型掺杂物，以及/n所述第二电子传输层包括第二电子传输材料和第二n型掺杂物。/n

【技术特征摘要】
20151027 KR 10-2015-01496031.有机电致发光装置，包括：
第一电极；
空穴传输区域，位于所述第一电极上；
发射层，位于所述空穴传输区域上；
电子传输区域，位于所述发射层上；以及
第二电极，位于所述电子传输区域上，
其中：
所述电子传输区域包括位于所述发射层上的第一电子传输层和位于所述第一电子传输层上的第二电子传输层，
所述发射层的最高占据分子轨道能级与所述第一电子传输层的最高占据分子轨道能级之间的差值的绝对值为0.3eV至1.5eV，
所述第一电子传输层包括第一电子传输材料和第一n型掺杂物，以及
所述第二电子传输层包括第二电子传输材料和第二n型掺杂物。


2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述发射层的最低未占据分子轨道能级与所述第一电子传输层的最低未占据分子轨道能级之间的差值的绝对值为0eV至0.2eV。


3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述第一电子传输层的最低未占据分子轨道能级与所述第二电子传输层的最低未占据分子轨道能级之间的差值的绝对值为0eV至0.2eV。


4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述发射层的所述最高占据分子轨道能级与所述第一电子传输层的所述最高占据分子轨道能级之间的差值的所述绝对值为0.5eV至1.5eV。


5.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述第一电子传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴彦锡，金相烈，金贞延，赵珉庆，崔宝美，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR