一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)制造技术

本发明专利技术涉及一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)

【技术实现步骤摘要】
一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED及制备方法
本专利技术涉及一种新型量子点发光二极管的制备，具体涉及一种基于苯乙基氯化胺（PEACl）修饰CsPb(Cl/Br)3钙钛矿量子点的电致发光二极管（Light-EmittingDiode,LED）制备方法，属于电致发光器件领域。
技术介绍
全无机钙钛矿量子点由于其载流子寿命长，量子效率高以及发光光谱可调等优越的光学和光电性能,而被认为是显示和照明应用领域里最有前途的材料之一。近年来，研究人员通过材料的优化和器件结构的改进使得绿光和红光的钙钛矿量子点LED外量子效率(EQE)已经达到了16.48%和21.3%。然而，对于满足显示应用(460-470nm)的蓝光LED，器件性能仍然远远低于绿光和红光。中国专利CN107978688A公开了一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法，该专利基于硫化铅包覆钙钛矿量子点提升了红光的钙钛矿量子点LED外量子效率。中国专利CN107104194B公开了一种双面发光的无机钙钛矿量子点LED及其制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)

【技术特征摘要】
1.一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED，其特征在于：采用PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点提升蓝光钙钛矿量子点的量子效率及稳定性，并以此量子点材料作为发光层制备蓝光钙钛矿量子点的电致发光LED；所述基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED的结构包括：底部电极以及依次设置在底部电极上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和顶部电极；所述发光层为采用PEACl修饰的CsPb(Cl/Br)3量子点。


2.根据权利要求1所述的一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED，其特征在于：所述底部电极为ITO玻璃。


3.根据权利要求1所述的一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED，其特征在于：所述空穴注入层为聚乙撑二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸盐)薄膜。


4.根据权利要求1所述的一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED，其特征在于：所述空穴传输层为聚[[(4-丁基苯基)亚氨基][1,1'-联苯]]和聚(9-乙烯咔唑)薄膜。


5.根据权利要求1所述的一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED，其特征在于：所述电子传输层为3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1''-三联苯]-3,3''-二基]二吡啶薄膜。


6.根据权利要求1所述的一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED，其特征在于：所述顶部电极为LiF/Al。


7.一种如权利要求1-6任一项所述的基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点LED的制备方法，具体步骤如下：
步骤1：将碳酸铯，十八烯，油酸加入到容积为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：白雪，邵赫，宋宏伟，徐文，董彪，徐琳，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：吉林;22