一种IGBT退饱和故障的检测装置制造方法及图纸

本申请公开了一种IGBT退饱和故障的检测装置，包括与信号通道连接的逻辑处理电路、MOS管、第一二极管和信号输出电路。逻辑处理电路与信号通道连接，用于在脉宽调制信号为低电平时向MOS管的门极输出导通控制信号、高电平时向MOS管的门极输出截止控制信号；MOS管的漏极与第一二极管的正极连接、源极接地；第一二极管的负极与待检测IGBT的C极连接、正极与信号输出电路连接，第一二极管的正极的高电平信号用于作为退饱和故障信号；信号输出电路用于将第一二极管的正极与待检测IGBT的保护处理单元信号连接。本方案由于在脉宽调制信号为低电平时通过MOS管将用于输出退饱和故障信号的二极管的正极强制拉低，从而保证了在对IGBT进行退饱和故障检查时不会发生误报。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT退饱和故障的检测装置
本申请涉及电气
，更具体地说，涉及一种IGBT退饱和故障的检测装置。
技术介绍
IGBT在正常工作时一般是要工作在饱和区和截止区，其相当于一个开关的作用，当工作在保护区时Vce较低且变化很小，当外电路发生短路时流过IGBT的C级和E级之间的电流会增大到一定程度，IGBT就会退出饱和区重新进入到线性区，这个时候Vce会突变很大同时又有很大的Ice流过，通过功率公式可知此时IGBT的损耗会很大，如果不及时封锁IGBT就会很快烧毁。一般IGBT的驱动模块会设置有保护电路，用于在发生退饱和时将相应IGBT予以关断，避免其烧毁。当然，对IGBT的退饱和保护的关键是及时发现退饱和的发生。本申请的专利技术人通过检索发现了一种退饱和检测电路，用于检测相应IGBT是否发生退饱和，该退饱和检测电路具体如图1所示。其中，输入信号PWM经过光耦U2’传输到副边，经过信号处理单元控制IGBTQ1’的开通和关断，当Q’导通阶段外电路发生短路时Q1’发生退饱和，Q1’的C极电压上升到VBUS’，二极管D1’截止，A’点电压上升本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT退饱和故障的检测装置，应用于待检测IGBT，所述待检测IGBT通过信号通道接收控制模块输出的脉宽调制信号，其特征在于，所述检测装置包括与所述信号通道连接的逻辑处理电路、MOS管、第一二极管和信号输出电路，其中：/n所述逻辑处理电路与所述信号通道连接，用于从所述信号通道获取的所述脉宽调制信号和反向脉宽调制信号，并在所述脉宽调制信号为低电平时向所述MOS管的门极输出导通控制信号、在所述反向脉宽调制信号为低电平时向所述MOS管的门极输出截止控制信号；/n所述MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接、源极接地；/n所述第一二极管的负极与所述待检测IGBT的C极连接、正极与所述信号输出电...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT退饱和故障的检测装置，应用于待检测IGBT，所述待检测IGBT通过信号通道接收控制模块输出的脉宽调制信号，其特征在于，所述检测装置包括与所述信号通道连接的逻辑处理电路、MOS管、第一二极管和信号输出电路，其中：
所述逻辑处理电路与所述信号通道连接，用于从所述信号通道获取的所述脉宽调制信号和反向脉宽调制信号，并在所述脉宽调制信号为低电平时向所述MOS管的门极输出导通控制信号、在所述反向脉宽调制信号为低电平时向所述MOS管的门极输出截止控制信号；
所述MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接、源极接地；
所述第一二极管的负极与所述待检测IGBT的C极连接、正极与所述信号输出电路连接，所述第一二极管的正极的高电平信号用于作为退饱和故障信号；
所述信号输出电路的输入端与所述第一二极管的正极连接、输出端与所述待检测IGBT的保护处理单元信号连接。


2.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述信号通道包括第一光耦、上拉电阻和反相器，其中：
所述第一光耦的输入端用于接收所述脉宽调制信号；
所述第一光耦的发射极接地、集电极与所上拉电阻的一端连接，并用于输出所述反向脉宽调制信号；
所述上拉电阻的另一端用于接收上拉电压；
所述反相器的输入端与所述第一光耦的集电极连接、输出端与所述待检测IGBT的门极连接，所述反相器的输出端还用于输出所述脉宽调制信号。


3.如权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述逻辑处理电路包括第一比较器、第一分压电阻、...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓彬，施贻蒙，李军，王文广，
申请(专利权)人：杭州飞仕得科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33