碲化砷靶材及其制备方法技术

本公开提供一种碲化砷靶材及其制备方法。所述碲化砷靶材的制备方法包括以下步骤：步骤S1，混合碲粉和砷粉，得到混合粉末；步骤S2，将混合粉末在氮气或惰性气体氛围中进行两段式加热，冷却，制得三碲化二砷；步骤S3，将三碲化二砷进行破碎筛分，得到的三碲化二砷粉末经真空热压烧结，制得碲化砷靶材；其中，两段式加热包括：第一阶段，将混合粉末以5‑10℃/min的升温速率加热至200‑300℃，保温20‑40min；以及第二阶段，以5‑10℃/min升温速率加热至350‑450℃，保温20‑40min；真空热压烧结的温度为300‑380℃，压力为35‑50MPa。本申请的制备方法能够在保证产品纯度和密度的前提下，使用较低的温度与压力，降低物料的损失与对模具的要求。

【技术实现步骤摘要】
碲化砷靶材及其制备方法
本专利技术涉及溅射靶材制备领域，特别是一种碲化砷靶材及其制备方法。
技术介绍
20世纪90年代以来，微电子行业新器件和新材料发展迅速，电子、磁性、光学、光电和超导薄膜等已经广泛应用于高新技术和工业领域，促使溅射靶材市场规模日益扩大。如今，靶材已蓬勃发展成为一个专业化产业。常见的靶材制备方法有真空熔炼、等静压、热压烧结等。其中热压烧结由于其工艺简单、成本较低，能在较短时间内得到致密度较高的烧结体，因此被广泛使用。碲化砷作为一种半导体材料，具有应用于薄膜太阳能电池的潜力，但是，目前在行业中未见报道使用或制备碲化砷靶材。上文的说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“
技术介绍
”构成本公开的现有技术。
技术实现思路
在一些实施例中，本公开提供了一种碲化砷靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，混合碲粉和砷粉，得到混合粉末；步骤S2，将所述混合粉末在氮气或惰性气体氛围中进行两段式加热，冷却，制得三碲化二砷；步骤S3，将所述三碲化二砷进行破碎筛分，得到的三碲化二砷粉末经真空热压烧结，制得碲化砷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碲化砷靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S1，混合碲粉和砷粉，得到混合粉末；/n步骤S2，将所述混合粉末在氮气或惰性气体氛围中进行两段式加热，冷却，制得三碲化二砷；/n步骤S3，将所述三碲化二砷进行破碎筛分，得到的三碲化二砷粉末经真空热压烧结，制得碲化砷靶材；/n其中，/n在步骤S2中，所述两段式加热包括：/n第一阶段：将所述混合粉末以5-10℃/min的升温速率加热至200-300℃，保温20-40min；以及，/n第二阶段：以5-10℃/min升温速率加热至350-450℃，保温20-40min；/n在步骤S3中，所述真空热压烧结的温度为300-380℃，压力为35...

【技术特征摘要】
1.一种碲化砷靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1，混合碲粉和砷粉，得到混合粉末；
步骤S2，将所述混合粉末在氮气或惰性气体氛围中进行两段式加热，冷却，制得三碲化二砷；
步骤S3，将所述三碲化二砷进行破碎筛分，得到的三碲化二砷粉末经真空热压烧结，制得碲化砷靶材；
其中，
在步骤S2中，所述两段式加热包括：
第一阶段：将所述混合粉末以5-10℃/min的升温速率加热至200-300℃，保温20-40min；以及，
第二阶段：以5-10℃/min升温速率加热至350-450℃，保温20-40min；
在步骤S3中，所述真空热压烧结的温度为300-380℃，压力为35-50MPa。


2.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法，其特征在于，步骤S3中真空热压烧结的温度低于步骤S2中第二阶段的保温温度。


3.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法，其特征在于，
在步骤S1中，砷粉和碲粉的质量比1:1.5-1.9。


4.根据权利要求1所述的碲化砷靶材的制备方法，其特征在于，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏飞，曾成亮，吴彩红，文崇斌，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44