一种蜡的浅度氧化方法和装置制造方法及图纸

一种蜡的浅度氧化方法和装置，所述方法包括：将蜡加热至完全融化，并升温至140‑160℃；通过气体分布器在完全融化的蜡中通入贫氧气体，反应10‑20h得到氧化蜡。本发明专利技术的反应过程比较温和，可以保证氧化蜡的原属性可以不被破坏，可以制备特定酸值的氧化蜡。

【技术实现步骤摘要】
一种蜡的浅度氧化方法和装置
本专利技术涉及化工领域，具体涉及一种蜡的浅度氧化方法及装置。
技术介绍
目前石蜡作为重要的化工原料被广泛应用于食品、医药、日用化学、皮革、纺织等领域。我国是石蜡的生产大国，但是我国的石蜡工业比较年轻，其石蜡产品主要用于初级的传统型企业。未加工的石蜡粘度低，柔韧性差，没有延展性，难以乳化。而随着科技的进步和工业的发展，初级石蜡产品已远远不能满足工业发展的要求，因此对石蜡进行氧化改性以获得高附加值的氧化蜡受到了普遍的重视。在原料蜡氧化过程中，在石蜡烃基的非极性基团上引入-OH、-COOH、-CHO、-COC-、-COOR等极性基团，因此氧化蜡内部链的结构与表面的性质发生了变化，其溶解、乳化、润滑等性能都有了极大的改善。由于氧化蜡具有良好的乳化性、润滑性、颜料分散性，可广泛地用于生物降解材料、热塑性材料、润滑油、油墨、涂层等方面。目前，主流氧化蜡的制取方式比较单一，其制备的基本方式都为通过一种引发剂引发反应，通过催化剂在空气或纯氧的条件下进行氧化反应，在一定温度以及一定的空气流量的条件下进行一段时间的氧化反应最终得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蜡的浅度氧化方法，其特征在于，包括：/n将蜡加热至完全融化，并升温至140-160℃(例如142℃、145℃、148℃、150℃、152℃、155℃、158℃)；/n通过气体分布器在完全融化的蜡中通入贫氧气体，反应10-20h(例如12h、14h、16h、18h)得到氧化蜡。/n

【技术特征摘要】
1.一种蜡的浅度氧化方法，其特征在于，包括：
将蜡加热至完全融化，并升温至140-160℃(例如142℃、145℃、148℃、150℃、152℃、155℃、158℃)；
通过气体分布器在完全融化的蜡中通入贫氧气体，反应10-20h(例如12h、14h、16h、18h)得到氧化蜡。


2.根据权利要求1所述的蜡的浅度氧化方法，其中，所述贫氧气体为氮气与空气的混合气，优选地，所述氮气与空气的体积比为(0.5-3)∶1，例如1∶1、2∶1。


3.根据权利要求1所述的蜡的浅度氧化方法，其中，所述贫氧气体的流量为0.2L-0.6L/h/g蜡(例如0.3L/h/g蜡、0.4L/h/g蜡、0.5L/h/g蜡)。


4.根据权利要求1所述的蜡的浅度氧化方法，其中，所述浅度氧化方法还包括消除反应过程中产生的泡沫。


5.根据权利要求1所述的蜡的浅度氧化方法，其中，所述蜡为费托合成蜡。

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【专利技术属性】
技术研发人员：钱震，陈浩庭，李俊诚，高源，张晓龙，关怀，武靖为，邬学霆，王海国，
申请(专利权)人：内蒙古伊泰煤基新材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古;15