一种晶硅电池激光Mark点图案制造技术

技术编号:26811445 阅读:32 留言:0更新日期:2020-12-22 17:46
本实用新型专利技术涉及一种晶硅电池激光Mark点图案。一种晶硅电池激光Mark点图案,包括半径为0.3‑0.5mm的环形激光刻蚀槽(2)和处于环形激光刻蚀槽(2)内部的平行直线激光刻蚀槽(1)。本激光Mark点为圆形,圆内由直线填充,不同直线之间无重叠。本实用新型专利技术的有益效果是:不仅易于后续丝印工序的精准定位,而且避免产生Mark区域漏电问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅电池激光Mark点图案
本技术涉及一种晶硅电池激光Mark点图案。
技术介绍
PERC+作为PERC电池的升级技术,主要通过PERC电池叠加其提效工艺,从而提高转换效率,LDSE叠加PERC提效明显,成本较低,且工艺调试简单。当前,LDSE工艺已经进入量产阶段,但在具体应用中,激光定位用Mark点的图案设计及激光参数设定,在一定程度上,会影响产品的质量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:如何在保证Mark点区域具有较好的平整度条件下避免此处PN结短路。本技术所采用的技术方案是:一种晶硅电池激光Mark点图案,包括半径为0.3-0.5mm的环形激光刻蚀槽(2)和处于环形激光刻蚀槽(2)内部的平行直线激光刻蚀槽(1)。本激光Mark点为圆形,圆内由直线填充,不同直线之间无重叠。Mark点图案的平行直线激光刻蚀槽(1)间距为65-75μm。本技术的有益效果是:不仅易于后续丝印工序的精准定位,而且避免产生Mark区域漏电问题。本技术通过合理设计,一方面保证Mark点区域较好的平整度,从而提供较高的反射,另一方面维持较低的刻蚀深度,避免此处PN结短路造成的漏电。附图说明图1是本技术的示意图;其中,1、平行直线激光刻蚀槽,2、环形激光刻蚀槽。具体实施方式如图1所示,激光Mark点由环形激光刻蚀槽2和内部填充平行直线激光刻蚀槽1组成,其中环形激光刻蚀槽2的半径为0.3-0.5mm,平行直线激光刻蚀槽1的线间距为65-75μm。打标激光波长为532nm的绿光,激光光斑大小为120um,功率40W,调制频率为200-240Khz。其中环形激光刻蚀槽2打标能量为80%,打标速度为18000-20000mm/min;平行直线激光刻蚀槽1打标能量为80%,打标速度为15000-18000mm/min。本激光Mark点为圆形,圆内由直线填充,激光Mark点的激光能量、打标速度充分考虑光斑之间的重叠率,不仅易于后续丝印工序的精准定位,而且避免产生Mark区域漏电问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅电池激光Mark点图案,其特征在于:包括半径为0.3-0.5mm的环形激光刻蚀槽(2)和处于环形激光刻蚀槽(2)内部的平行直线激光刻蚀槽(1)。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池激光Mark点图案,其特征在于:包括半径为0.3-0.5mm的环形激光刻蚀槽(2)和处于环形激光刻蚀槽(2)内部的平行直线激光刻蚀槽(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨飞飞郭丽张云鹏杨旭彪李雪方吕爱武杜泽霖李陈阳张波赵科魏鲁贵林
申请(专利权)人:山西潞安太阳能科技有限责任公司
类型:新型
国别省市:山西;14

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