开关器件及电子电路制造技术

开关器件（1）包含：SiC半导体芯片（11），其具有栅极焊盘（14）、源极焊盘（13）及漏极焊盘（12），在向源极－漏极间提供电位差的状态下向栅极－源极间提供驱动电压，从而对源极－漏极间进行导通/截止控制；读出源极端子（4），其与源极焊盘（13）电连接，用于提供驱动电压；以及既定大小的外部电阻（源极用线（16）），其介于读出源极端子（4）与源极焊盘（13）之间的电流路径，从读出源极端子（4）分离。

【技术实现步骤摘要】
开关器件及电子电路
本专利技术涉及使用SiC的开关器件以及具备其的电子电路（例如，逆变器电路、转换器电路等）。
技术介绍
用于逆变器电路、转换器电路等的电子电路的开关器件，一般为了增大电流容量而由并联连接的多个开关元件构成。作为开关元件，除了Si开关元件之外，还知道SiC开关元件。SiC开关元件例如包含SiC-MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor）、SiC-双极型晶体管（BipolarTransistor）、SiC-JFET（结型场效应晶体管：JunctionFieldEffectTransistor）、SiC-IGBT（绝缘栅双极型晶体管：InsulatedGateBipolarTransistor）等。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-137072号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题在装入SiC开关器件（MOSFET）的电子电路中，例如，若对器件直接供给电源电压而发生短路，则有在器件流过过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关器件，具备：/nSiC开关元件，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；/n漏极端子，与所述漏极电极电连接，并且，具有搭载所述SiC开关元件的岛部；/n栅极端子，与所述栅极电极电连接；/n源极端子，与所述源极电极电连接；/n读出源极端子，与所述源极电极电连接，并且与所述源极端子分离；以及/n树脂封装，将所述SiC开关元件、所述栅极端子的一部分、所述源极端子的一部分、所述读出源极端子的一部分以及所述漏极端子的一部分密封，/n所述栅极端子、所述源极端子、所述读出源极端子以及所述漏极端子分别具有被所述树脂封装密封的密封部分和相对于所述树脂封装在同一方向延伸而突出的端子部分，/n所述源极端子的...

【技术特征摘要】
20131120 JP 2013-2401051.一种开关器件，具备：
SiC开关元件，具有栅极电极、源极电极以及漏极电极；
漏极端子，与所述漏极电极电连接，并且，具有搭载所述SiC开关元件的岛部；
栅极端子，与所述栅极电极电连接；
源极端子，与所述源极电极电连接；
读出源极端子，与所述源极电极电连接，并且与所述源极端子分离；以及
树脂封装，将所述SiC开关元件、所述栅极端子的一部分、所述源极端子的一部分、所述读出源极端子的一部分以及所述漏极端子的一部分密封，
所述栅极端子、所述源极端子、所述读出源极端子以及所述漏极端子分别具有被所述树脂封装密封的密封部分和相对于所述树脂封装在同一方向延伸而突出的端子部分，
所述源极端子的端子部分与所述漏极端子的端子部分的间隔比所述读出源极端子的端子部分与所述栅极端子的端子部分的间隔大。


2.如权利要求1所述的开关器件，其中，
所述源极端子的端子部分与所述漏极端子的端子部分的间隔比所述源极端子的密封部分与所述漏极端子的密封部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林口匡司，伊野和英，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP