【技术实现步骤摘要】
基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路
本技术涉及功率转换系统中的保护电路,特别涉及一种基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路、监测电路及屏蔽信号产生电路。例如充电器等电能转换的器件中都需要类似的保护电路。
技术介绍
图1为传统硅功率器件中较为常见的三种过流保护示意图。请参阅图1a所示,图1a为精密电阻测试法,需将一个精密电阻放入功率回路之中,通过监测该电阻上的电压值来实时监测主回路中的电流大小是否超过限定值。但是该方法会给主回路增加一些额外的寄生参数,限制了电路的高频特性同时增加功耗。因此不适合用于高速高功率的电路中。请参阅图1b所示,图1b为电流镜监测法,通过在功率器件的附近集成一个辅助器件,在同样的电压偏置条件下,功率器件中的电流将会和辅助器件中的电路成比例。这样就可以在不增加寄生参数的条件下,监测主回路电流。但当精度要求较高时,辅助器件的尺寸也也会变大,随之而来的是更大的芯片面积以及功率损耗。请参阅图1c所示,图1c为“去饱和”电路,其通过二极管去监测功率器件的漏端电压值来实时监控开态下的电流 ...
【技术保护点】
1.一种基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,其特征在于,包括监测电路⑴、屏蔽信号产生电路⑵和逻辑控制模块⑶,所述监测电路⑴通过所述逻辑控制模块⑶分别电连接屏蔽信号产生电路⑵和栅极驱动器,所述栅极驱动器电连接高电子迁移率功率晶体管M
【技术特征摘要】
1.一种基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,其特征在于,包括监测电路⑴、屏蔽信号产生电路⑵和逻辑控制模块⑶,所述监测电路⑴通过所述逻辑控制模块⑶分别电连接屏蔽信号产生电路⑵和栅极驱动器,所述栅极驱动器电连接高电子迁移率功率晶体管M1,所述高电子迁移率功率晶体管M1顺序连接监测电路⑴和负载。
2.根据权利要求1所述基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,其特征在于,所述监测电路⑴包括串联的第一反相器、第二反相器和二极管DS,以及二极管DS与第二反相器的连线与单极器件工作电压VDD之间电连接的电阻R1,所述第一反相器与第二反相器分别接入单极器件工作电压VDD与接地端。
3.根据权利要求1所述基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,其特征在于,所述逻辑控制模块⑶由串联的第一与门和第二与门构成。
4.根据权利要求1所述基于集成型氮化镓功率器件的过流保护电路,其特征在于,所述屏蔽信号产生电路⑵包括电阻R2和电容C,所述电阻R2的一端连接VDR(PWM)与栅极驱动器的公共端,所述电阻R2的另一端连接第一与门的输入端和...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈敬,徐涵,唐高飞,
申请(专利权)人:香港科技大学深圳研究院,
类型:新型
国别省市:广东;44
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