【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种制造阵列波导光栅器件的方法及装置，其利用离子束溅射或高密度等离子体(SHDP，super high density plasma)镀覆，并通过四步骤制作阵列波导光栅(AWG，Arrayed WaveGuide)，从而消除传统化学环境污染。
技术介绍
已知阵列波导光栅器件是采用热氧化、金属有机化学气相沉积(MOCVD，Metal Organic Chemical Vapor Deposition)和等离子体增强型化学气相沉积(PECVD，Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)制作。金属有机化学气相沉积和等离子体增强型化学气相沉积均为化学方法，在工厂内必需要求复杂的设备和废气处理设施。参照图1，已知阵列波导光栅层结构至少包括四层，Si或SiO2基底1、热氧化SiO22、核心层3和等离子体增强型化学气相沉积SiO2外层4。15μm厚的热氧化物SiO22沉积于Si或SiO2基底1，核心层3包括两种材料，掺有GeO2的SiO25和SiO2+P2O5+B2O36，两者均通过金属有机化学气相沉积或等离子体增强型化...
【技术保护点】
一制造阵列波导光栅器件的方法，其特征在于它包括以下步骤： １）将ＳｉＯ↓［２］薄膜以离子束溅射或离子镀覆于基底； ２）将掺有ＧｅＯ↓［２］的ＳｉＯ↓［２］薄膜以离子束溅射或离子镀覆于ＳｉＯ↓［２］薄膜，其中，经掩膜及反应离子蚀刻将掺有ＧｅＯ↓［２］的ＳｉＯ↓［２］薄膜区分为几个隔开的片段； ３）将ＳｉＯ↓［２］＋Ｐ↓［２］Ｏ↓［５］＋Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］薄膜以离子束溅射或离子镀覆于掺有ＧｅＯ↓［２］的ＳｉＯ↓［２］薄膜上以隔离掺有ＧｅＯ↓［２］的ＳｉＯ↓［２］薄膜； ４）将ＳｉＯ↓［２］外覆层以离子束溅射或离子镀覆于基底上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰良，吕昌岳，姚一鼎，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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