一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法技术

本发明专利技术涉及一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，所述方法包括：在陶瓷基体表面沉积第一致密层；在所述第一致密层表面沉积第一银层；在所述第一银层表面沉积金属层；在所述金属层表面沉积第二银层；在所述第二银层表面沉积第二致密层。本发明专利技术中的上述方法成本低，致密性好。

【技术实现步骤摘要】
一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法
本专利技术涉及陶瓷滤波器领域，特别是涉及一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法。
技术介绍
5G陶瓷滤波器是由金属钙镁钛等金属氧化物材料制成的，把这种陶瓷材料制成片状，两面涂银作为电极，经过直流高压极化后就具有压电效应。起滤波的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点，广泛应用于5G基站、电视机、录像机、收音机等各种电子产品中作选频元件。它具有性能稳定、无需调整、价格低等优点，取代了传统的LC滤波网络。原理为利用陶瓷材料压电效应实现电信号→机械振动→电信号的转化，从而取代部分电子电路中的LC滤波电路，使其工作更加稳定。现陶瓷滤波器有部分基于物理气相沉积(PVD)的方法进行银金属沉积，具体是通过磁控溅射和多弧离子镀技术进行组合，但基于该方法存在着成本偏高的关键难点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，降低制作成本，提高致密性。为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，所述方法包括：在陶瓷基体表面沉积第一致密层；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，所述方法包括：/n在陶瓷基体表面沉积第一致密层；/n在所述第一致密层表面沉积第一银层；/n在所述第一银层表面沉积金属层；/n在所述金属层表面沉积第二银层；/n在所述第二银层表面沉积第二致密层。/n

【技术特征摘要】
1.一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，所述方法包括：
在陶瓷基体表面沉积第一致密层；
在所述第一致密层表面沉积第一银层；
在所述第一银层表面沉积金属层；
在所述金属层表面沉积第二银层；
在所述第二银层表面沉积第二致密层。


2.根据权利要求1所述的一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，所述在陶瓷基体表面沉积第一致密层具体包括：
采用高功率脉冲偏压技术在陶瓷基体表面沉积第一致密层，脉冲偏压为10-50kv，起弧电流为20-100A，所述第一致密层的沉积厚度为1-100nm，膜层为Ag或Au。


3.根据权利要求1所述的一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，在所述第一致密层表面沉积第一银层具体包括：
采用多弧技术在所述第一致密层表面沉积第一银层，起弧电流为30-90A。


4.根据权利要求1所述的一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，所述第一银层的沉积厚度为1-3μm。


5.根据权利要求1所述的一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，在所述第一银层表面沉积金属层具体包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖斌，
申请(专利权)人：廖斌，
类型：发明
国别省市：广东;44