用于生产线后段加工的载体制造技术

提供了用于生产线后段加工的载体。一种载体组件被构造用于支承晶片，包括在生产线后段(BEOL)加工期间支承晶片。所述载体组件包括双重载体。第一载体包括阶梯结构以用于放置晶片。在不使用粘合剂的情况下，晶片的一侧结合到第一载体。第一载体位于第二载体的顶部，以受第二载体机械支承。每个载体通过对层压玻璃进行湿法蚀刻而不机械抛光来制造。

【技术实现步骤摘要】
用于生产线后段加工的载体本申请依据35U.S.C.§119要求于2019年6月20日提交的系列号为62/864,139的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并将其通过引用全文纳入本文。
本申请一般涉及集成电路制造。更具体地，本申请涉及电子装置的互连。
技术介绍
生产线后段(Back-end-of-the-line；“BEOL”)加工是在制造了单个装置形式的IC部件，例如，晶体管、电容器和电阻器之后，集成电路(IC)制造的第二主要步骤。进行BEOL加工以在单个装置之间沉积金属配线，从而通过金属化而使装置互连。BEOL包括多个步骤，包括使晶片与支承结构分离，其是被称为脱粘的过程。
技术实现思路
本公开涉及促进BEOL加工同时保护晶片不受损坏的技术。具体地，如下文参考以下示例性的非限制性实施方式更详细所述，本公开阐述了促进将晶片转移到用于切割的台以增加晶片产率的装置和方法，所述晶片产率即不必因制造缺陷而弃去的晶片的比例。本公开的至少一个实施方式涉及用于支承晶片的载体组件，包括在BEOL加工期间支承晶片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载体组件，其包括：/n第一载体，其包括被构造用于容纳晶片的开口，第一载体被分成第一区段和与第一区段相对的第二区段；和/n第二载体，其包括：/n被构造成支承晶片的突起；和/n设置在突起下方的基底，所述基底被构造成在突起的任何一侧上以横向方向延伸，以在突起的相对各侧支承第一载体的第一区段和第二区段。/n

【技术特征摘要】
20190620 US 62/864,1391.一种载体组件，其包括：
第一载体，其包括被构造用于容纳晶片的开口，第一载体被分成第一区段和与第一区段相对的第二区段；和
第二载体，其包括：
被构造成支承晶片的突起；和
设置在突起下方的基底，所述基底被构造成在突起的任何一侧上以横向方向延伸，以在突起的相对各侧支承第一载体的第一区段和第二区段。


2.如权利要求1所述的载体组件，其中，第二载体被设置成在晶片的底部与第二载体之间无粘合剂的情况下支承晶片。


3.如权利要求1所述的载体组件，其中，第一载体的第一区段包括：
第一包覆层；
第二包覆层；和
在第一包覆层与第二包覆层之间的芯体层，
其中，第一包覆层的尺寸被设置成比第二包覆层和芯体层各自的长度均更短。


4.如权利要求3所述的载体组件，其中，第一包覆层、第二包覆层和芯体层各自包含玻璃，芯体层的热膨胀系数大于第一包覆层或第二包覆层的热膨胀系数。


5.如权利要求1所述的载体组件，其中，所述开口被构造成，使得第一区段的第一包覆层与第二区段的第一包覆层之间的距离超过第一区段的第二包覆层与第二区段的第二包覆层之间的距离。


6.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，第一载体的第一区段和第二区段各自包括：
第一包覆层；
第二包覆层；和
在第一包覆层与第二包覆层之间的芯体层，
其中，第一包覆层的尺寸被设置成比第二包覆层和芯体层各自的长度均更短。


7.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，第一载体被构造成当第二载体从第一载体脱离时，第一载体支承晶片。


8.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，所述开口成形为T形。


9.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，第一载体被构造成当倒置第一载体时，第一载体维持晶片的位置，并且晶片被容纳在开口中。


10.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其还包括多个开口。


11.如权利要求3所述的组件，其中，芯体层的厚度与第一载体的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：金勳，金榛洙，V·赛，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US