用于生产线后段加工的载体制造技术

提供了用于生产线后段加工的载体。一种载体组件被构造用于支承晶片，包括在生产线后段(BEOL)加工期间支承晶片。所述载体组件包括双重载体。第一载体包括阶梯结构以用于放置晶片。在不使用粘合剂的情况下，晶片的一侧结合到第一载体。第一载体位于第二载体的顶部，以受第二载体机械支承。每个载体通过对层压玻璃进行湿法蚀刻而不机械抛光来制造。

【技术实现步骤摘要】
用于生产线后段加工的载体本申请依据35U.S.C.§119要求于2019年6月20日提交的系列号为62/864,139的美国临时申请的优先权权益，本文以该申请的内容为基础并将其通过引用全文纳入本文。
本申请一般涉及集成电路制造。更具体地，本申请涉及电子装置的互连。
技术介绍
生产线后段(Back-end-of-the-line；“BEOL”)加工是在制造了单个装置形式的IC部件，例如，晶体管、电容器和电阻器之后，集成电路(IC)制造的第二主要步骤。进行BEOL加工以在单个装置之间沉积金属配线，从而通过金属化而使装置互连。BEOL包括多个步骤，包括使晶片与支承结构分离，其是被称为脱粘的过程。
技术实现思路
本公开涉及促进BEOL加工同时保护晶片不受损坏的技术。具体地，如下文参考以下示例性的非限制性实施方式更详细所述，本公开阐述了促进将晶片转移到用于切割的台以增加晶片产率的装置和方法，所述晶片产率即不必因制造缺陷而弃去的晶片的比例。本公开的至少一个实施方式涉及用于支承晶片的载体组件，包括在BEOL加工期间支承晶片。所述载体组件包括双重载体。第一载体包括阶梯状结构以用于放置晶片。在不使用粘合剂的情况下，晶片的一侧结合到第一载体。第一载体位于第二载体的顶部，以受第二载体机械支承。每个载体通过对层压玻璃进行湿法蚀刻而不是通过机械抛光来制造。本公开的至少一个实施方式涉及用于在加工期间支承晶片的方法。所述方法包括将晶片定位在第一载体中，以及由至少部分设置在第一载体下方的第二载体支承第一载体。第一载体和第二载体提供了晶片被置于其中的双重载体。所述方法还包括：在晶片位于双重载体中时将晶片原位转移到切割台，对晶片进行切割。另外，本公开的至少一个实施方式涉及一种制造载体组件的方法。所述方法包括：构造载体组件的第一载体，这通过下述步骤进行：将第一载体的第一包覆层附加于第一芯体层；以及将第一载体的第二包覆层附加于第一芯体层，使得第一芯体层被夹在第一载体的第一包覆层与第二包覆层之间。所述方法还包括：对第一载体进行第一蚀刻过程以暴露一部分的第一芯体层，以及对第一载体进行第二蚀刻过程以形成穿孔。穿孔的形成将第一载体分成第一区段和第二区段。当结合附图时，根据以下详细描述，这些特征和其他特征，连同其组织和操作方式将变得显而易见，其中，在下文所述的几个附图中，相同的要素具有相同的附图标记。应理解，下文更具体论述的前述构思和另外的构思的组合(前提是这些构思不相互矛盾)被认为是本文公开的主题的部分。具体地，在本公开结尾出现的要求保护的主题的所有组合被认为是本文公开的主题的部分。附图说明结合附图，根据以下描述和所附权利要求书，本公开的前述特征和其他特征将变得更彻底地显而易见。应理解，这些附图仅描绘了本公开的几个实施方式，因此不被认为是对其范围的限制，本公开将通过利用附图以另外的特殊性和细节来描述本公开。根据至少一个实施方式，图1为其中定位有晶片的双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图2A为图案化前的双重载体中的第一载体的截面图。根据至少一个实施方式，图2B为图案化后的双重载体中的第一载体的截面图。根据至少一个实施方式，图2C为蚀刻后的双重载体中的第一载体的截面图。根据至少一个实施方式，图2D为图2B所示的第一载体的顶视图。根据至少一个实施方式，图2E为图2C所示的第一载体的顶视图。根据至少一个实施方式，图3A为描绘了用于形成穿孔的图案化后的第一载体的截面图。根据至少一个实施方式，图3B为描绘了在蚀刻和穿孔形成后的第一载体的截面图。根据至少一个实施方式，图3C为图3A所示的第一载体的顶视图。根据至少一个实施方式，图3D为图3B所示的第一载体的顶视图。根据至少一个实施方式，图4A为图案化后的双重载体中的第二载体的截面图。根据至少一个实施方式，图4B为蚀刻以形成平台之后的第二载体的截面图。根据至少一个实施方式，图4C为图4A所示的第二载体的顶视图。根据至少一个实施方式，图4D为图4B所示的第二载体的顶视图。根据至少一个实施方式，图5A为附接有晶片的双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图5B为晶片抛光后的双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图5C为晶片与双重载体的第二载体分离后，双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图5D为晶片分离后，一部分双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图6A为定位在平台上的一部分双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图6B为晶片切割期间，定位在平台上的一部分双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图6C为定位在平台上并且晶片处于经切割状态的一部分双重载体的截面图。根据至少一个实施方式，图7为一种玻璃制品的截面图。根据至少一个实施方式，图8为可用于形成玻璃制品的溢流分配器的截面图。根据至少一个实施方式，图9描绘了制造双重载体的方法。在以下具体实施方式中参考附图。除非上下文另有所指，否则在附图中，相似的符合通常表示相似的部件。在具体实施方式、附图和权利要求书中描述的示例性实施方式不意味着限制。可以采用其他实施方式，并且进行其他改变而不偏离本文提出的主题的精神和范围。应易于理解，本公开的方面，如在本文中一般性描述的以及附图中例示的，可以各种不同构造进行排列、替换、组合和设计，对它们全部均进行了构想并成为本公开的部分。具体实施方式各个示例性实施方式提供了双重载体以用于在BEOL加工期间支承晶片，例如硅(Si)晶片。更具体地，如下所述，所述双重载体由两个载体件形成，第一载体位于第二载体的顶部。在BEOL加工的多个阶段期间，至少一部分的双重载体支承晶片。另外，至少一部分的双重载体在切割期间支承晶片并且在切割之后支承单独的裸片，因此不需要单独的脱粘过程。在至少一个实施方式中，所述双重载体100是玻璃制品。在至少一个实施方式中，所述玻璃制品可以是如2017年6月22日公开的第2017/0174564号美国专利申请公开中所述的玻璃制品，该美国专利申请公开是2015年3月25日提交的美国系列号15/129,278的申请公开，所述文献的全部内容通过引用纳入本文，包括其中阐述的组合物和方法。图7描绘了至少一个实施方式中的玻璃制品。如本文所用，术语“平均热膨胀系数”是指给定材料或层在0℃至300℃之间的平均热膨胀系数。如本文所用，除非另有说明，否则术语“热膨胀系数”是指平均热膨胀系数。本文所述的至少一种玻璃制品的强度根据ASTMC1499-08的环境温度下高级陶瓷单调等双轴挠曲强度的标准试验方法中所述的测试方法，使用环上环载荷来确定。一般来说，环上环载荷测试方法用于在单调双轴载荷下，通过同心环构造，在环境温度下确定高级碱金属材料的双轴强度，并且作为评价玻璃制品的表面强度的方法而被广泛接受。本文所述的环上环载荷结果在2平方英寸的玻璃片上使用1英寸直径的支承本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载体组件，其包括：/n第一载体，其包括被构造用于容纳晶片的开口，第一载体被分成第一区段和与第一区段相对的第二区段；和/n第二载体，其包括：/n被构造成支承晶片的突起；和/n设置在突起下方的基底，所述基底被构造成在突起的任何一侧上以横向方向延伸，以在突起的相对各侧支承第一载体的第一区段和第二区段。/n

【技术特征摘要】
20190620 US 62/864,1391.一种载体组件，其包括：
第一载体，其包括被构造用于容纳晶片的开口，第一载体被分成第一区段和与第一区段相对的第二区段；和
第二载体，其包括：
被构造成支承晶片的突起；和
设置在突起下方的基底，所述基底被构造成在突起的任何一侧上以横向方向延伸，以在突起的相对各侧支承第一载体的第一区段和第二区段。


2.如权利要求1所述的载体组件，其中，第二载体被设置成在晶片的底部与第二载体之间无粘合剂的情况下支承晶片。


3.如权利要求1所述的载体组件，其中，第一载体的第一区段包括：
第一包覆层；
第二包覆层；和
在第一包覆层与第二包覆层之间的芯体层，
其中，第一包覆层的尺寸被设置成比第二包覆层和芯体层各自的长度均更短。


4.如权利要求3所述的载体组件，其中，第一包覆层、第二包覆层和芯体层各自包含玻璃，芯体层的热膨胀系数大于第一包覆层或第二包覆层的热膨胀系数。


5.如权利要求1所述的载体组件，其中，所述开口被构造成，使得第一区段的第一包覆层与第二区段的第一包覆层之间的距离超过第一区段的第二包覆层与第二区段的第二包覆层之间的距离。


6.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，第一载体的第一区段和第二区段各自包括：
第一包覆层；
第二包覆层；和
在第一包覆层与第二包覆层之间的芯体层，
其中，第一包覆层的尺寸被设置成比第二包覆层和芯体层各自的长度均更短。


7.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，第一载体被构造成当第二载体从第一载体脱离时，第一载体支承晶片。


8.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，所述开口成形为T形。


9.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其中，第一载体被构造成当倒置第一载体时，第一载体维持晶片的位置，并且晶片被容纳在开口中。


10.如权利要求1-5中任一项所述的载体组件，其还包括多个开口。


11.如权利要求3所述的组件，其中，芯体层的厚度与第一载体的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：金勳，金榛洙，V·赛，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US