【技术实现步骤摘要】
具有一体式器件的嵌入式桥衬底
技术介绍
集成电路(IC)封装可包括用于耦合两个或更多个IC管芯的嵌入式桥(诸如，嵌入式多管芯互连桥(EMIB))、以及用于管理向IC管芯的功率递送的其他器件(诸如，电容器和电阻器)。典型地，IC封装可包括表面贴装在管芯的背侧或电路板的焊盘侧(landside)的器件。附图说明通过下列具体实施方式并结合所附附图，可容易地理解实施例。为了便于该描述，同样的附图标记指示同样的结构元件。在所附附图的图中，以示例方式而不以限制方式说明实施例。图1是根据各实施例的示例微电子组件的截面侧视图。图2A是根据各实施例的微电子组件的示例互连区域的透明俯视图。图2B和图2C是根据各实施例的图2A的微电子组件的示例互连区域的截面侧视图。图3A是根据各实施例的示例微电子组件的透明俯视图。图3B是根据各实施例的图3A的示例微电子组件的截面侧视图。图3C是根据各实施例的图3A的微电子组件的管芯的示例互连的透明俯视图。图4A是根据各实施例的示例微电子组件的截面侧视图。...
【技术保护点】
1.一种微电子组件，包括：/n衬底；/n桥，具有第一表面和相对的第二表面，所述桥被嵌入在所述衬底中，其中，所述桥包括一体式无源部件，并且其中，所述桥的所述第二表面包括第一桥互连区域中的第一接触部以及第二桥互连区域中的第二接触部；/n第一管芯，经由所述第一桥互连区域中的所述第一接触部被耦合到所述一体式无源部件；以及/n第二管芯，被耦合到所述第二桥互连区域中的所述第二接触部。/n
【技术特征摘要】
20190620 US 16/446,9201.一种微电子组件，包括：
衬底；
桥，具有第一表面和相对的第二表面，所述桥被嵌入在所述衬底中，其中，所述桥包括一体式无源部件，并且其中，所述桥的所述第二表面包括第一桥互连区域中的第一接触部以及第二桥互连区域中的第二接触部；
第一管芯，经由所述第一桥互连区域中的所述第一接触部被耦合到所述一体式无源部件；以及
第二管芯，被耦合到所述第二桥互连区域中的所述第二接触部。
2.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述一体式无源部件是薄膜电阻器TFR。
3.如权利要求2所述的微电子组件，其中，所述TFR是校准电路的部分。
4.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述一体式无源部件是电容器阵列。
5.如权利要求4所述的微电子组件，其中，所述电容器阵列中的各个电容器是以下之一：沟槽电容器、金属-氧化物-半导体MOS电容器、金属-绝缘体-金属MIM电容器、或平行平板电容器。
6.如权利要求4所述的微电子组件，其中，所述电容器阵列是输入/输出电路的部分。
7.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述一体式无源部件是第一一体式无源部件，并且其中，所述桥进一步包括第二一体式无源部件，所述第二一体式无源部件经由所述第一桥互连区域中的所述第一接触被耦合到所述第一管芯。
8.如权利要求7所述的微电子组件，其中，所述第一一体式无源部件是TFR，并且所述第二一体式无源部件是电容器。
9.如权利要求7所述的微电子组件，其中，所述第一一体式无源部件在所述桥的所述第二表面处。
10.如权利要求7所述的微电子组件，其中，所述第二一体式无源部件在所述桥的所述第一表面与所述第二表面之间。
11.一种计算设备，包括：
电路板；以及
集成电路IC封装，设置在所述电路板上，其中，所述IC封装包括：
封装衬底；
桥，具有相对的第一面和第二面，其中，所述第二面包括第一互连区域中的第一接触部以及第二互连区域中的第二接触部，其中，所述桥被嵌入在所述封装衬底中，并且其中，所述桥包括：
薄膜电阻器TFR，在所述第二面处，其中，所述TFR的导电部分设置在所述第一面与所述第二面之间的绝缘材料层上；以及
管芯，经由所述第一接触部被耦合到所述TFR。
12.如权利要求11所述的计算设备，其中，所述TFR是校准电路的部分。
13.如权利要求11所述的计算设备，其中，所述桥进一步包括：
所述第一面与所述第二面之间的电容器。
14.如权利要求11所述的计算设备，其中，所述TFR是所述桥的所述第二面处的多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·K·简恩，S·谢卡尔，C·L·宽，K·J·多兰，DH·韩，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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