一种芯片封装结构及其封装方法技术

技术编号:26795500 阅读:29 留言:0更新日期:2020-12-22 17:12
本发明专利技术涉及芯片封装技术领域,公开一种芯片封装结构及其封装方法。芯片封装结构包括基板,基板的正面设有至少一个凹槽,凹槽内贴装有至少一个芯片,基板的正面还设有第一电性导出结构,芯片的电性通过第一金属重布线引至第一电性导出结构;基板的背面设有第二电性导出结构,基板还设有贯穿其正面和背面的导电通孔,芯片的电性通过第一金属重布线及导电通孔引出至第二电性导出结构,且第一电性导出结构和第二电性导出结构分设于导电通孔的两端。本发明专利技术缩小了互连节距,降低了损耗,减小了布线面积或在面积一定的情况下实现更高密度地布线;通过两次临时键合工艺,避免了基板背面加工中的高温对第一电性导出结构的影响,有助于后续焊接工序。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构及其封装方法
本专利技术涉及芯片封装
,尤其涉及一种芯片封装结构及其封装方法。
技术介绍
当前的半导体行业,电子封装已经成为行业发展的一个重要方向,在数十年的封装技术发展过程中,高密度、小尺寸、低损耗和低成本的封装要求成为封装的主流方向。埋入基板晶圆级三维封装是在晶圆级实现芯片的三维扇出封装,是一种I/O数多、集成灵活性好的先进封装工艺,可实现一个封装体内垂直和水平方向多芯片集成。随着临时键合技术的发展与成熟,薄晶圆及其表面结构可以通过承载片支撑和保护,因此,扇出型晶圆级封装正在发展成为下一代封装技术。从目前公开的封装结构看,封装体积还有待进一步缩小,互连节距有待进一步缩短,重布线密度有待进一步提升。另外,从目前公开的技术看,还有以下两个问题需要解决:一是临时键合技术并未能完全成熟,有两个方面的子问题:1.由于粘合胶本身的理化性质,较难适应高温高真空制程;2.金属凸点需要更厚的临时键合胶层来覆盖和保护,目前的胶层厚度难以满足各种类型(主要是高度方面)的金属凸点的需求,另外临时键合粘合胶层厚度会影响制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括基板(1),所述基板(1)的正面设有至少一个凹槽(11),所述凹槽(11)内贴装有至少一个芯片(2),所述基板(1)的正面还设有第一电性导出结构(3),所述芯片(2)的电性通过第一金属重布线(4)引至所述第一电性导出结构(3);所述基板(1)的背面设有第二电性导出结构(5),所述基板(1)还设有贯穿其正面和背面的导电通孔(6),所述芯片(2)的电性通过所述第一金属重布线(4)及所述导电通孔(6)引出至所述基板(1)的背面的所述第二电性导出结构(5),且所述第一电性导出结构(3)和所述第二电性导出结构(5)分设于所述导电通孔(6)的两端。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括基板(1),所述基板(1)的正面设有至少一个凹槽(11),所述凹槽(11)内贴装有至少一个芯片(2),所述基板(1)的正面还设有第一电性导出结构(3),所述芯片(2)的电性通过第一金属重布线(4)引至所述第一电性导出结构(3);所述基板(1)的背面设有第二电性导出结构(5),所述基板(1)还设有贯穿其正面和背面的导电通孔(6),所述芯片(2)的电性通过所述第一金属重布线(4)及所述导电通孔(6)引出至所述基板(1)的背面的所述第二电性导出结构(5),且所述第一电性导出结构(3)和所述第二电性导出结构(5)分设于所述导电通孔(6)的两端。


2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述导电通孔(6)包括垂直于所述基板(1)的直孔,所述导电通孔(6)两端的所述第一电性导出结构(3)和所述第二电性导出结构(5)分别位于所述直孔的正上方和正下方。


3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一电性导出结构(3)为焊球、金属凸点和导电胶中的一种;所述第二电性导出结构(5)为焊球、金属凸点和导电胶中的一种。


4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述金属凸点远离所述基板(1)的一端面设有槽状握抱结构。


5.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,相邻两个所述芯片封装结构堆叠时,两所述芯片封装结构内的所述芯片(2)以面对面、面对背或背对背的形式电连接。


6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述基板(1)的正面设有一个所述凹槽(11),所述凹槽(11)内贴装有两个所述芯片(2);或者,所述基板(1)的正面设有两个所述凹槽(11),每个所述凹槽(11)内贴装有一个所述芯片(2)。


7.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片(2)的表面具有第一焊垫(21),所述第一金属重布线(4)包括位于所述芯片(2)正面上方的第二焊垫(41)和位于所述导电通孔(6)朝向所述基板(1)正面的一端的第二焊垫(41),所述第一焊垫(21)的电性通过所述第一金属重布线(4)引至所述第二焊垫(41),所述第一金属重布线(4)与所述芯片(2)及所述基板(1)之间以及所述芯片(2)与所述凹槽(11)的侧壁之间设有绝缘层,所述第一金属重布线(4)外包覆有第一钝化层(103),所述第一电性导出结构(3)设置于所述第一钝化层(103)上的第三预留开口(1031)内的所述第二焊垫(41)上;所述基板(1)背面设有绝缘层,所述基板(1)背面的绝缘层上设有第二金属重布线(7),所述第二金属重布线(7)包括位于所述芯片(2)背面下方的第三焊垫(71)和位于所述导电通孔(6)朝向所述基板(1)背面的一端的第三焊垫(71),所述第二金属重布线(7)外包覆有第二钝化层(107),所述第二电性导出结构(5)设置于所述第二钝化层(107)上的第四预留开口内的所述第三焊垫(71)上。


8.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:
S1、在基板(1)的正面设置至少一个凹槽(11),在所述基板(1)的正面及所述凹槽(11)表面设置第一绝缘层(101);<...

【专利技术属性】
技术研发人员:常健伟周小磊康文彬
申请(专利权)人:立讯电子科技昆山有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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