半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。在基板设置有至少一个晶体管。该晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管。在基板设置有与发射极或源极连接的至少一个第1凸块。还设置有与集电极或漏极连接的至少3个第2凸块。在俯视下，在以第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧配置有至少一个第1凸块的几何中心。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
对于功率放大器的放大级，使用发射极接地的双极晶体管(特别是，异质结双极晶体管)或源极接地的场效应晶体管(FET)。在被面朝下安装(face-downmounted)的半导体芯片中，在基板上设置与双极晶体管的发射极或FET的源极连接的接地凸块、以及与双极晶体管的集电极或FET的漏极连接的输出凸块(例如，下述的专利文献1)。一般地，发射极或源极的寄生电感会使功率放大器的增益、频带特性劣化，因此期望使寄生电感降低。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2005-327805号公报为了使发射极或源极的寄生电感降低，通过将接地凸块配置在晶体管的附近，从而使发射极电流或源极电流所流过的电流路径的自电感降低。随着晶体管的动作频率变高，期望发射极或源极的寄生电感的进一步降低。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种能够谋求发射极或源极的寄生电感的降低的半导体装置。用于解决课题的手段根据本专利技术的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有设置于基板的至少一个晶体管，所述晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管，/n所述半导体装置还具有：/n至少一个第1凸块，设置于所述基板，并与所述发射极或所述源极连接；和/n至少3个第2凸块，设置于所述基板，并与所述集电极或所述漏极连接，/n在俯视下，在以所述第2凸块各自的几何中心为顶点的多边形的内侧，配置有至少一个所述第1凸块的几何中心。/n

【技术特征摘要】
20190621 JP 2019-1153971.一种半导体装置，具有设置于基板的至少一个晶体管，所述晶体管是包括发射极、基极以及集电极的双极晶体管、或者包括源极、栅极以及漏极的场效应晶体管，
所述半导体装置还具有：
至少一个第1凸块，设置于所述基板，并与所述发射极或所述源极连接；和
至少3个第2凸块，设置于所述基板，并与所述集电极或所述漏极连接，
在俯视下，在以所述第2凸块各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳原真悟，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP