半导体封装基板及其制法与电子封装件制造技术

一种半导体封装基板及其制法与电子封装件，该制法包括于线路结构上形成具有第一开孔与第二开孔的金属片，使该线路结构的第一焊垫外露于该第一开孔，该线路结构的第二焊垫外露于该第二开孔，且于该金属片上及该第二开孔中的孔壁上形成绝缘层，借由接地用的第一导电元件设于该第一开孔中时能接触该金属片与该第一焊垫，以令在信号传递中所产生的热能可利用该金属片及该第一导电元件进行散逸。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装基板及其制法与电子封装件
本专利技术有关一种封装基材，特别涉及一种具散热功能的承载基板及电子封装件。
技术介绍
随着产业应用的发展，近年来逐渐朝着如人工智能(AI)芯片、高阶芯片或堆叠芯片等大尺寸芯片的封装规格的趋势进行研发，如3D或2.5DIC工艺，以应用于高密度线路/高传输速度/高叠层数/大尺寸设计的高阶产品，如人工智能(AI)芯片、GPU等。因此，业界遂改用大尺寸板面的覆晶封装基板，如40*40、70*70或其它更厚且大的结构板型，以承载如人工智能(AI)芯片、高阶芯片或堆叠芯片等大尺寸芯片。如图1A所示，现有电子封装件1包括：一封装基板1a、以及一结合于该封装基板1a上的半导体芯片19。具体地，该封装基板1a包括一核心层10、设于该核心层10上的线路增层部11、及设于该线路增层部11上的防焊层12，且令该防焊层12外露出该线路增层部11最外侧的线路层，从而供作为接点(即I/O)11a,11b，以于上侧借由焊锡凸块13a接置该半导体芯片19，并于下侧(如图1B所示的植球侧或BGA)借由焊锡球13b接置电路板(图未本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装基板，其特征在于，包括：/n线路结构，其包含至少一介电层及结合于该介电层的线路层，且该线路结构具有相对的置晶侧与植球侧，其中，该植球侧的线路层具有第一焊垫与第二焊垫；/n金属片，其借由一结合材结合于该线路结构的植球侧上，且该金属片具有第一开孔与第二开孔，其中，该第一开孔外露出该第一焊垫，该第二开孔外露出该第二焊垫；以及/n绝缘层，其设于该金属片上及该第二开孔的孔壁上，且该绝缘层未形成于该第一开孔的孔壁上。/n

【技术特征摘要】
20190610 TW 1081199071.一种半导体封装基板，其特征在于，包括：
线路结构，其包含至少一介电层及结合于该介电层的线路层，且该线路结构具有相对的置晶侧与植球侧，其中，该植球侧的线路层具有第一焊垫与第二焊垫；
金属片，其借由一结合材结合于该线路结构的植球侧上，且该金属片具有第一开孔与第二开孔，其中，该第一开孔外露出该第一焊垫，该第二开孔外露出该第二焊垫；以及
绝缘层，其设于该金属片上及该第二开孔的孔壁上，且该绝缘层未形成于该第一开孔的孔壁上。


2.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，该第一开孔中的第一焊垫上结合有第一导电元件，以令该第一导电元件接触该金属片。


3.根据权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，该第二开孔中的第二焊垫上结合有第二导电元件，以令该第二导电元件接触该绝缘层而未接触该金属片。


4.一种电子封装件，其特征在于，包括：
根据权利要求1至3中任一所述的半导体封装基板；以及
电子元件，其设于该线路结构的置晶侧上。


5.根据权利要求4所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括封装层，其设于该半导体封装基板上，以将该电子元件结合至该半导体封装基板上。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：周保宏，余俊贤，许诗滨，
申请(专利权)人：恒劲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71