电磁屏蔽膜制造技术

本发明专利技术公开一种电磁屏蔽膜，其包括承载层和N层导电层。承载层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，N层导电层层叠设置于第一侧面和/或第二侧面，其中N≥2。其中，导电层具有导电网格，导电网格包括网格状沟槽及填充于沟槽内的导电材料，N层导电层中至少有两层导电层具有屏蔽不同波段的导电材料。不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽膜
本专利技术涉及电子技术，更具体地讲，本专利技术涉及一种电磁屏蔽膜。
技术介绍
近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，对航天航空设备、先进光学仪器、通讯设备、医疗诊断仪器等的电磁屏蔽要求越来越高。然而，现有的电磁屏蔽膜的屏蔽波段窄，随着电磁干扰技术的不断更新，容易被干扰信号击透而失去屏蔽效果。鉴于此，本专利技术通过改善电磁屏蔽膜以解决所存在的技术问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。本专利技术的一个技术方案是：一种电磁屏蔽膜，其包括：承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；N层导电层，层叠设置于所述第一侧面和/或第二侧面，N≥2；其中，所述导电层具有导电网格，所述导电网格包括网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料，所述N层导电层中至少有两层所述导电层具有屏蔽不同波段的导电材料。在其中一实施例中，所述沟槽的深宽比≥2。在其中一实施例中，所述N层导电层的导电材料均不同。在其中一实施例中，所述导电网格为随机网格。在其中一实施例中，所述导电网格的网格形状和/或网格分布随机设置。在其中一实施例中，所述N层导电层中每一层导电层的导电网格均为随机网格，任意两层的随机网格均不同。在其中一实施例中，所述N层导电层中任意两层的导电层的导电网格的对准偏离不小于20μm。在其中一实施例中，所述导电网格包括复数圆形格和/或椭圆形格。在其中一实施例中，所述导电网格包括复数圆形格，所述N层导电层叠加后的复数所述圆形格规则排布。在其中一实施例中，所述N层导电层叠加后的复数所述圆形格按正六边形排布。在其中一实施例中，3≤N≤20，且总厚度不大于180μm。在其中一实施例中，所述导电材料为金属、金属氧化物、化合物导电材料或有机导电材料。在其中一实施例中，至少两层所述导电层的导电材料的种类和/或含量不同。在其中一实施例中，所述N层导电层中至少其中两层的所述导电层的导电网格的平均孔径不同。在其中一实施例中，所述沟槽的截面形状为矩形、倒梯形、三角形、弧形或部分弧形。在其中一实施例中，所述承载层为玻璃、有机玻璃、PET、PC、PMMA或复合板材，所述承载层为透明基材。在其中一实施例中，所述N层导电层中每一层所述导电层分别设有外接导电部。在其中一实施例中，至少两层所述导电层的导电网格的电导率和/或磁导率不同。在其中一实施例中，所述沟槽包括两侧壁及连接两侧壁的底壁，其中至少一所述侧壁倾斜设置。在其中一实施例中，其中至少一所述侧壁为倾斜弧形侧壁。在其中一实施例中，相邻所述导电层之间具有融合部分，具有融合部分的导电层为一体结构。在其中一实施例中，所述沟槽中填充有两层或以上填充材料，其中至少一层为导电材料。在其中一实施例中，所述沟槽的深度范围为1-20μm，所述沟槽的宽度范围为1-20μm，所述导电层的厚度范围为3-50μm。在其中一实施例中，所述导电材料在所述沟槽的平均填充深度不超过所述沟槽深度的4/5。本专利技术的有益效果：不同层具有不同的导电材料从而具有不同的屏蔽波段，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。附图说明图1为本专利技术电磁屏蔽膜的截面示意图；图2为图1所示电磁屏蔽膜的第一导电层的平面示意图；图3为图1所示电磁屏蔽膜的第二导电层的平面示意图；图4为图1所示电磁屏蔽膜的平面示意图；图5为本专利技术电磁屏蔽膜的原理示意图；图6为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图7为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图8为图7所示电磁屏蔽膜的第一导电层的平面示意图；图9为图7所示电磁屏蔽膜的第二导电层的平面示意图；图10为图7所示电磁屏蔽膜的第三导电层的平面示意图；图11为图7所示电磁屏蔽膜的平面示意图；图12为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图13为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图14为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图15为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图16为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图17为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种截面示意图；图18为本专利技术电磁屏蔽膜的另一种平面示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术揭示一种电磁屏蔽膜，其包括承载层和N层导电层。承载层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，N层导电层层叠设置于第一侧面和/或第二侧面，其中N≥2。其中，导电层具有导电网格，导电网格包括网格状沟槽及填充于沟槽内的导电材料，N层导电层中至少有两层导电层具有屏蔽不同波段的导电材料。不同层具有不同的导电材料，不同导电材料对于不同波段的吸收率不同，此处不同，是指一种导电材料对于一波段的吸收率大于其他波段，则两种导电材料对于吸收率大的波段范围不同，则认为电磁屏蔽膜的有效屏蔽波段就是这两种导电材料的屏蔽波段的叠加，从而加宽了电磁屏蔽膜的屏蔽波段，更能满足市场需求。其中一个实施例中，每一层沟槽的深宽比≥2，大的深宽比设置可减少电阻并增加透过率。其中一个实施例中，N层导电层的导电材料均不同，每层的导电材料不同，能屏蔽的波段不同，从而使得整个电磁屏蔽膜的波段较宽。其中一个实施例中，导电网格为随机网格，具体的，导电网格的网格形状和/或网格分布随机设置。N层导电层中每一层导电层中的导电网格均为随机网格，且任意两层的随机网格均不同，制作简单，保证每层的透过率。其中一个实施例中，N层导电层中任意两层的导电层的导电网格的对准偏离不小于20μm，比如为30μm、50μm或70μm。其中一个实施例中，导电网格包括复数圆形格和/或椭圆形格。比如，导电网格包括复数圆形格，各圆形格按照正三角形、正四边形或正六边形排布；各圆形格分布于正三角形、正四边形或正六边形的各顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括：/n承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；/nN层导电层，层叠设置于所述第一侧面和/或第二侧面，N≥2；/n其中，所述导电层具有导电网格，所述导电网格包括网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料，所述N层导电层中至少有两层所述导电层具有屏蔽不同波段的导电材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，其包括：
承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；
N层导电层，层叠设置于所述第一侧面和/或第二侧面，N≥2；
其中，所述导电层具有导电网格，所述导电网格包括网格状沟槽及填充于所述沟槽内的导电材料，所述N层导电层中至少有两层所述导电层具有屏蔽不同波段的导电材料。


2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述沟槽的深宽比≥2。


3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述N层导电层的导电材料均不同。


4.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电网格为随机网格。


5.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电网格的网格形状和/或网格分布随机设置。


6.根据权利要求4所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述N层导电层中每一层导电层的导电网格均为随机网格，任意两层的随机网格均不同。


7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述N层导电层中任意两层的导电层的导电网格的对准偏离不小于20μm。


8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电网格包括复数圆形格和/或椭圆形格。


9.根据权利要求8所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电网格包括复数圆形格，所述N层导电层叠加后的复数所述圆形格规则排布。


10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述N层导电层叠加后的复数所述圆形格按正六边形排布。


11.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，3≤N≤20，且总厚度不大于180μm。


12.根据权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述导电材料为金属、金属氧化物、化合物导电材料或有机导电材...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晟，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32