磁场屏蔽片及其制造方法、无线电力接收模块及其便携终端设备技术

技术编号:26769517 阅读:37 留言:0更新日期:2020-12-18 23:47
提供一种磁场屏蔽片及其制造方法、无线电力接收模块及其便携终端设备,本发明专利技术一个实施例的磁场屏蔽片作为配置在中央部上形成有具有预定面积的中空部的天线的一面上的磁场屏蔽片,包括:片本体,其由包括经热处理的非晶合金及纳米晶粒合金中至少一种以上的多个带片以第一粘合层为介质层叠多层的多层片材形成;多个贯通部,其在与所述天线的中空部对应的对应区域贯通形成,以具有预定宽度和长度的线形形成;及多个裂隙,其以从所述贯通部的边缘向所述片本体侧延长的方式在所述对应区域形成。

【技术实现步骤摘要】
磁场屏蔽片及其制造方法、无线电力接收模块及其便携终端设备
本专利技术涉及一种磁场屏蔽片及其制造方法、无线电力接收模块及其便携终端设备。
技术介绍
近距离无线通信(NFC)及无线充电在本质上是非接触式传输方式。这种非接触式传输方式通过送出或接收磁场的天线、配置于天线的一面而使得能够顺利发射或接收磁场的磁场屏蔽片体现。通常而言,作为磁场屏蔽片,使用由诸如非晶带片、铁氧体材或聚合物片材的磁性材质构成的片材。另一方面,磁场屏蔽片使用由多个碎片分离形成的形态的片材,以便能够大大地减小涡电流(EddyCurrent)导致的损失或改善片材本身的柔软性。作为一个示例,所述磁场屏蔽片可以通过制片工序而分离成多个碎片。即,制片工序使磁场屏蔽片多次穿过在外面具备多个凸凹或圆形球的金属辊和与金属辊相向配置的橡胶辊之间,从而可以将磁场屏蔽片分离成多个碎片。因此,为了制造由多个碎片分离形成的磁场屏蔽片,附加了用于将屏蔽片本身分离成多个碎片的另外的制片工序,因而存在使生产单价增加的问题。另一方面,通过一对辊执行的制片工序由于在磁场屏蔽片穿过一对辊之间的同时,片材的全体面积被加压,因而通过制片工序而生产的磁场屏蔽片的全部片必然由多个碎片分离形成。另外,通过以往制片工序而由多个碎片分离形成的磁场屏蔽片,只有制片工序执行多次,才能体现为表现出均一特性的屏蔽片。但是,越是反复执行制片工序,彼此分离的碎片的尺寸越小,另一方面,分离的碎片的全体个数增加,因而越是反复执行制片工序,屏蔽片的阻抗越增加,能够减小涡电流导致的影响,但存在屏蔽片的磁导率降低到1500以下的问题。因此,为了体现在增加屏蔽片本身阻抗的同时具有2000以上高磁导率的磁场屏蔽片,存在需增加磁场屏蔽片的全体厚度的问题。
技术实现思路
解决的技术问题本专利技术正是鉴于如上所述的问题而研发的,其目的在于提供一种可以只在全体面积中磁束集中的一部分区域形成裂隙并在具有很薄厚度的同时体现2000以上高磁导率的磁场屏蔽片及其制造方法。另外,本专利技术另一目的在于提供一种磁场屏蔽片的制造方法,即使不执行另外的制片工序,也可以只在全体面积中磁束集中的一部分区选择性地形成裂隙。技术方案为了达成上述目的,本专利技术提供一种磁场屏蔽片,其作为配置在中央部上形成有具有预定面积的中空部的天线的一面上的磁场屏蔽片,包括:片本体,其由包括经热处理的非晶合金及纳米晶粒合金中至少一种以上的多个带片以第一粘合层为介质层叠多层的多层片材形成;多个贯通部,其在与所述天线的中空部对应的对应区域贯通形成,以具有预定宽度和长度的线形形成;及多个裂隙,其以从所述贯通部的边缘向所述片本体侧延长的方式在所述对应区域形成。另外,所述贯通部可以形成得使宽度具有长度的3倍以上的大小。作为一个示例,所述多个贯通部可以彼此设置间隔地隔开配置。在这种情况下,所述多个贯通部可以以包围所述对应区域的中心点的方式配置,所述对应区域中包括中心点的一部分区域通过从所述多个贯通部延长的多个裂隙而分离成多个碎片。作为另一示例,所述多个贯通部可以形成得至少一部分彼此连接。在这种情况下,所述多个贯通部可以形成得使一端部在所述对应区域的中心点彼此连接。作为又一示例,所述多个贯通部可以包括下面贯通部中至少一种以上:第一贯通部,其沿相对于所述片本体的宽度方向或长度方向垂直的方向形成;第二贯通部,其沿相对于所述片本体的宽度方向或长度方向平行的方向形成;及第三贯通部,其相对于所述片本体的宽度方向或长度方向倾斜既定角度地形成。另外,所述片本体可以包括在上部面和下部面中至少任意一面以第二粘合层为介质附着的保护膜。另外,所述磁场屏蔽片的全体厚度可以为55μm至85μm。另一方面,本专利技术提供一种无线电力接收模块,包括:无线电力接收用天线,其在中央部形成具有预定面积的中空部;及上述的磁场屏蔽片,其配置于所述无线电力接收用天线的一面。另外,上述无线电力接收模块可以包括于便携终端设备。另一方面,本专利技术作为配置在中央部上形成有具有预定面积的中空部的天线的一面上的磁场屏蔽片的制造方法,包括:准备由包括经热处理的非晶合金及纳米晶粒合金中至少一种以上的多个带片以第一粘合层为介质层叠多层的第一面积的多层片材的步骤;及利用模具冲压所述屏蔽片,使得在具有比所述第一面积相对更窄的第二面积的屏蔽片从所述多层片材分离的同时,能够在所述屏蔽片的内侧区域贯通形成多个具有预定宽度和长度的线形贯通部的步骤;所述冲压多层片材的步骤在形成所述贯通部的同时,在所述屏蔽片形成从所述贯通部的边缘延长的多个裂隙。另外,所述线形贯通部可以在与所述天线的中空部对应的对应区域贯通形成。另外,所述模具可以包括用于加工所述屏蔽片边缘的环状的第一边缘刀刃、在所述第一边缘刀刃的内侧配置并用于形成所述贯通部的边缘的环状的第二边缘刀刃,及在所述第二边缘刀刃的内侧形成并对通过所述第二边缘刀刃而从所述屏蔽片切开的切开片加压的分离构件。另外,所述切开片可以通过所述分离构件而从所述屏蔽片分离。另外,在所述多层片材的上部面和下部面中至少任意一面,可以包括以在基材的两面涂覆有粘合剂的第二粘合层为介质附着的保护膜,所述贯通部可以以全部贯通所述多层片材及保护膜的方式形成。专利技术效果根据本专利技术,可以在具有很薄的厚度的同时体现2000以上的高磁导率。另外,本专利技术即使不执行另外的制片工序,也可以只在全体面积中磁束集中的一部分区域选择性地形成裂隙。由此,本专利技术可以简化制造工序、降低生产单价。附图说明图1是显示本专利技术一个实施例的磁场屏蔽片的图,图2是显示在图1中磁场屏蔽片的剖面图,图3是作为放大在图1中与天线的中空部对应的对应区域的图,是从概念上显示贯通部及从贯通部诱发的裂隙的图,图4是从概念上显示可以在图1中与天线的中空部对应的对应区域形成的另一形态的贯通部及从贯通部诱发的裂隙的图,图5是从概念上显示可以在图1中与天线的中空部对应的对应区域形成的多样形态的贯通部及由此诱发的裂隙的图,图6是显示本专利技术一个实施例的无线电力接收模块的图,图7是显示本专利技术一个实施例的磁场屏蔽片的制造方法的顺序图,图8是从概念上显示本专利技术一个实施例的磁场屏蔽片的制造方法中进行冲压的步骤的图,图9a及图9b是显示本专利技术一个实施例的磁场屏蔽片的制造方法可以使用的模具的一个形态的图,而且,图10是显示本专利技术一个实施例的磁场屏蔽片的制造方法可以使用的模具中的第二边缘刀刃的多样形态的图。附图标记的说明100:磁场屏蔽片110:片本体111a:带片111b:第一粘合层112:第二粘合层113:保护膜120、120a、120b、120c:贯通部130:裂隙200:无线电力接收模块210:电路基板211:天线、无线电力接收用天线212:MST天线213:NFC天线本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种磁场屏蔽片,其作为配置在中央部上形成有具有预定面积的中空部的天线的一面上的磁场屏蔽片,其包括:/n片本体,其由包括非晶合金及纳米晶粒合金中至少一种以上的多个带片以第一粘合层为介质层叠多层的多层片材形成;/n多个贯通部,其在与所述天线的中空部对应的对应区域贯通形成,以具有预定宽度和长度的线形形成;及/n多个裂隙,其以从所述贯通部的边缘向所述片本体侧延长的方式在所述对应区域形成。/n

【技术特征摘要】
20190618 KR 10-2019-00721061.一种磁场屏蔽片,其作为配置在中央部上形成有具有预定面积的中空部的天线的一面上的磁场屏蔽片,其包括:
片本体,其由包括非晶合金及纳米晶粒合金中至少一种以上的多个带片以第一粘合层为介质层叠多层的多层片材形成;
多个贯通部,其在与所述天线的中空部对应的对应区域贯通形成,以具有预定宽度和长度的线形形成;及
多个裂隙,其以从所述贯通部的边缘向所述片本体侧延长的方式在所述对应区域形成。


2.根据权利要求1所述的磁场屏蔽片,其中,
所述贯通部形成得使宽度具有长度的3倍以上的大小。


3.根据权利要求1所述的磁场屏蔽片,其中,
所述多个贯通部彼此设置间隔地隔开配置。


4.根据权利要求3所述的磁场屏蔽片,其中,
所述多个贯通部以包围所述对应区域的中心点的方式配置,所述对应区域中包括所述对应区域的中心点的一部分区域,通过从所述多个贯通部延长的多个裂隙而分离成多个碎片。


5.根据权利要求1所述的磁场屏蔽片,其中,
所述多个贯通部形成得至少一部分彼此连接。


6.根据权利要求5所述的磁场屏蔽片,其中,
所述多个贯通部形成得使一端部在所述对应区域的中心点彼此连接。


7.根据权利要求1所述的磁场屏蔽片,其中,
所述片本体包括在上部面和下部面中至少任意一面以第二粘合层为介质附着的保护膜。


8.根据权利要求1所述的磁场屏蔽片,其中,
所述磁场屏蔽片的全体厚度为55μm至85μm。


9.根据权利要求1所述的磁场屏蔽片,其中,
所述多个贯通部包括下面贯通部中至少一种以上:
第一贯通部,其沿相对于所述片本体的宽度方向或长度方向垂直的方向形成;
第二贯通部,其沿相对于所述片本体的宽度方向或长度方向平行的方向形成;及
第三贯通部,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:张吉在
申请(专利权)人:阿莫先恩电子电器有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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