小体积高衰减晶体滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种小体积高衰减晶体滤波器，包括基座、外壳、PCB板、滤波晶体、片式电容器和电感线圈，滤波晶体的数量为两只，其技术要点是：两只滤波晶体叠落于基座上且两只滤波晶体壳体的相对面全面焊接，下方滤波晶体的壳体与基座的相对面全面焊接，PCB板立设于基座上表面，滤波晶体的接线端侧与PCB板装配焊接，电感线圈为采用φ4.0环型磁芯绕制的电感线圈，数量为两个，外部分别设有屏蔽盒，在水平方向上，两个屏蔽盒对称设于滤波晶体的两侧且与滤波晶体的壳体利用焊锡全面焊接，电感线圈的接线端穿过屏蔽盒与PCB板装配焊接。本实用新型专利技术结构紧凑、使用可靠，解决了现有滤波器难以满足小型化与衰减指标双重要求的问题。

【技术实现步骤摘要】
小体积高衰减晶体滤波器
本技术涉及压电石英晶体滤波器
，具体涉及一种小体积高衰减晶体滤波器。
技术介绍
石英晶体滤波器由滤波晶体作为主要元件构成，起滤波的作用，与LC谐振回路构成的滤波器相比，晶体滤波器在频率选择性、频率稳定性、过渡带陡度和插入损耗等方面都优越得多，已广泛用于通信、导航、测量等电子设备。目前，石英晶体滤波器虽然理论上采用多节级联，可以有效的提高带外衰减，以及减小矩形系数，如外形尺寸为19.4mm×14.4mm×7mm（L×W×H）的滤波器，其带外衰减可达到60dB。但由于产品小型化的外形尺寸要求限制，只能采用两节单片晶体滤波器级联的结构，而两节级联的滤波器通常会造成成品带外衰减差的问题，一般两节级联的滤波器带外衰减可达到40dB～50dB，同时在小体积外形尺寸指标要求下，滤波器输入端和输出端的距离势必会比大体积输入、输出端的间距更近，产生的电磁干扰强度大，势必更加恶化带外衰减的指标。
技术实现思路
本技术的目的是为了提供一种结构紧凑、使用可靠的小体积高衰减晶体滤波器，解决现有滤波器难以满足小型化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小体积高衰减晶体滤波器，包括基座、与基座焊接的外壳、设于外壳中的PCB板、滤波晶体、片式电容器和电感线圈，所述滤波晶体的数量为两只，其特征在于：两只滤波晶体叠落于基座上表面中部且两只滤波晶体壳体的相对面利用焊锡全面焊接，下方滤波晶体的壳体与基座的相对面利用焊锡全面焊接，所述PCB板立设于基座上表面且与基座的引线电连，所述滤波晶体的接线端侧与PCB板装配焊接，所述电感线圈为采用φ4.0环型磁芯绕制的电感线圈，数量为两个，外部分别设有对电感线圈灌胶封装的屏蔽盒，在水平方向上，两个屏蔽盒对称设于滤波晶体的两侧且与滤波晶体的壳体利用焊锡全面焊接，电感线圈的接线端穿过屏蔽盒与PCB板装配焊接，所...

【技术特征摘要】
1.一种小体积高衰减晶体滤波器，包括基座、与基座焊接的外壳、设于外壳中的PCB板、滤波晶体、片式电容器和电感线圈，所述滤波晶体的数量为两只，其特征在于：两只滤波晶体叠落于基座上表面中部且两只滤波晶体壳体的相对面利用焊锡全面焊接，下方滤波晶体的壳体与基座的相对面利用焊锡全面焊接，所述PCB板立设于基座上表面且与基座的引线电连，所述滤波晶体的接线端侧与PCB板装配焊接，所述电感线圈为采用φ4.0环型磁芯绕制的电感线圈，数量为两个，外部分别设有对电感线圈灌胶封装的屏蔽盒，在水平方向上，两个屏蔽盒对称设于滤波晶体的两侧且与滤波晶体的壳体利用焊锡全面焊接，电感线圈的接线端穿过屏蔽盒与PCB板装配焊接，所述片式电容器的数量为五个且布置于PCB板背向滤波晶体侧，所述滤波晶体、片式电容器和电感线圈构成滤波电路。


2.根据权利要求1所述的小体积高衰减晶体滤波器，其特征在于：所述滤波晶体为三引线滤波晶体，具有一个接地引线，一个输入引线，一个输出引线。


3.根据权利要求1所述的小体积高衰减晶体滤波器，其特征在于：所述滤波电路由滤波晶体MCF1、滤波晶体MC...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐雨，
申请(专利权)人：辽阳鸿宇晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21