【技术实现步骤摘要】
一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路
本技术涉及半导体电子器件
，具体涉及一种倍压整流模块及采用该模块的倍压整流电路。
技术介绍
在交流或直流的高压电路变换中。通常会把低压的直流电（电池供电方式）或交流电整流滤波后的直流电，通过自激震荡电路，由高压变压器把电压升高，变换成高频、高压交流电，再经过整流输出高压直流电。但往往这个电压远达不到最终是使用要求，还需要继续升高电压，变成超高压直流电，这就还需要进行倍压整流，如图1-图5所示的倍压整流电路。现有的倍压整流电路方式通常会采用3个以上的高压整流二极管，加上N个高压电容组成，且采用的每个高压二极通常会由2-3个芯片组成，这种高压二极管通常采用了酸洗工艺，工艺中采用了大量的强酸，污染严重。随着集成电路生产工艺的发展，电子产品对小型化、集成化、可靠性以及绿色环保要求越来越高。现有高压技术中仍采用分立的多个器件进行倍压整流，而且，作为关键的高压二极管，采用酸洗工艺，满足不了对环保的要求。这样就势必造成电路板的体积以及成本不能很好的得以控制，影响了整个产品的...
【技术保护点】
1.一种倍压整流模块，其特征在于，包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组，每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成，所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片，第二芯片采用N型衬底二极管芯片；所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内，所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接，所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组，其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘。/n
【技术特征摘要】
1.一种倍压整流模块，其特征在于，包括多个焊盘及至少两个串联连接的芯片组，每个芯片组由第一芯片和第二芯片串联而成，所述第一芯片采用P型衬底二极管芯片，第二芯片采用N型衬底二极管芯片；所述芯片组集成于具有多个引脚的封装体内，所述第一芯片和第二芯片通过相关焊盘与所述封装体的相关引脚相连接，所述串联连接的芯片组沿电流方向依次命为第N芯片组、第N+1芯片组，其中第N芯片组中的第二芯片与第N+1芯片组中的第一芯片采用同一焊盘。
2.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，所述第一芯片采用玻璃钝化GPP芯片、光阻钝化芯片、外延平面二极管芯片、电性普通高压二极管芯片或高压开关二极管芯片。
3.根据权利要求1所述的倍压整流模块，其特征在于，同一芯片组中的第一芯片与第二芯片之间通过其正面采用金属引线相连。
4.根据权利要求3所述的倍压整流模块，其特征在于，所述金属引线采用硅铝丝、粗铝线、金线或铜线。
5.根据权利要求1所述的倍压整...
【专利技术属性】
技术研发人员：代勇敏，段花山，贺先忠，
申请(专利权)人：山东晶导微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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