【技术实现步骤摘要】
数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
本专利技术有关于非挥发式存储器的控制。
技术介绍
非挥发式存储器有多种形式─例如,快闪存储器(flashmemory)、磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRAM)、铁电随机存取存储器(FerroelectricRAM)、电阻式随机存取存储器(ResistiveRAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(SpinTransferTorque-RAM,STT-RAM)…等,用于长时间数据保存,可做为储存媒体实现一数据储存装置。随着科技进步,数据储存装置的储存能力越发强大。本
需要足以应付大尺寸储存的映射资讯管理技术。
技术实现思路
本专利技术所采用的映射资讯格式不须特意规划无法校正标示位元(UNCbit)。映射资讯格式因而有充裕位元数用于物理地址标示。根据本专利技术一种实施方式所实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器以及一控制器。该控制器控制该非挥发式存储器,且包括一循环冗余校验(CRC)引擎。根据一主机下达的一无法校正标示指令(如NVMe的WriteUNC指令),该控制器操作该循环冗余校验引擎以一偏移编码种子对一数据样板编码,产生一偏移循环冗余校验码。该控制器将该偏移循环冗余校验码随该数据样板程式化至该非挥发式存储器。该数据样板必然无法通过循环冗余校验。该无法校正标示指令成功运作。一种实施方式中,该无法校正标示指令指示一逻辑地址。该控制器偏移该逻辑地址,产生一偏移逻辑地址。该控制器操作该循环冗余校验引擎以该偏移逻辑 ...
【技术保护点】
1.一种数据储存装置,包括:/n一非挥发式存储器;以及/n一控制器,控制该非挥发式存储器,且包括一循环冗余校验引擎,/n其中:/n根据一主机下达的一无法校正标示指令,该控制器操作该循环冗余校验引擎以一偏移编码种子对一数据样板编码,产生一偏移循环冗余校验码;且/n该控制器将该偏移循环冗余校验码随该数据样板程式化至该非挥发式存储器。/n
【技术特征摘要】
20191015 TW 108136998;20190617 US 62/862,1961.一种数据储存装置,包括:
一非挥发式存储器;以及
一控制器,控制该非挥发式存储器,且包括一循环冗余校验引擎,
其中:
根据一主机下达的一无法校正标示指令,该控制器操作该循环冗余校验引擎以一偏移编码种子对一数据样板编码,产生一偏移循环冗余校验码;且
该控制器将该偏移循环冗余校验码随该数据样板程式化至该非挥发式存储器。
2.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:
该无法校正标示指令指示一逻辑地址;
该控制器偏移该逻辑地址,产生一偏移逻辑地址;且
该控制器操作该循环冗余校验引擎以该偏移逻辑地址作为该偏移编码种子。
3.如权利要求2所述的数据储存装置,其特征在于:
该数据样板为零。
4.如权利要求2所述的数据储存装置,其特征在于:
根据该主机对该逻辑地址所发出的一读取指令,该控制器自该非挥发式存储器取得该数据样板以及该偏移循环冗余校验码;
该控制器操作该循环冗余校验引擎以该逻辑地址作为一编码种子;
该控制器操作该循环冗余校验引擎以该编码种子对该数据样板产生一循环冗余校验码;且
该控制器操作该循环冗余校验引擎比对得该循环冗余校验码不同于该偏移循环冗余校验码,并不以该数据样板回应该主机。
5.如权利要求4所述的数据储存装置,其特征在于:
该控制器是根据该逻辑地址的一映射资讯自该非挥发式存储器取得该数据样板以及该偏移循环冗余校验码;且
该映射资讯采用的一映射资讯格式不包括任何无法校正标示位元。
6.如权利要求5所述的数据储存装置,其特征在于:
该无法校正标示指令的标示单元小于该映射资讯格式管理的数据单元。
7.如权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于:
关于根据一逻辑地址取自该非挥发式存储器的一第一区域、且错误检查与纠正失败的一错误数据,该控制器将该错误数据以及一循环冗余校验码程式化至该非挥发式存储器的一第二区域;且
该循环冗余校验码是随该错误数据由该控制器自该非挥发式存储器的该第一区域读出。
8.如权利要求7所述的数据储存装置,其特征在于:
根据该主机对该逻辑地址要求的一读取指令,该控制器自该非挥发式存储器的该第二区域取得该错误数据以及该循环冗余校验码;
该控制器操作该循环冗余校验引擎以该逻辑地址作为一编码种子;
该控制器操作该循环冗余校验引擎以该编码种子对该错误数据产生一错误循环冗余校验码;且
该控制器操作该循环冗余校验引擎比对得该错误循环冗余校验码不同于该循环冗余校验码,并不以该错误数据回应该主机。
9.如权利要求7所述的数据储存装置,其特征在于:
上述错误检查与纠正源于该主机对该非挥发式存储器的一读取指令。
10.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:林婷涵,许哲玮,
申请(专利权)人:慧荣科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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