一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法
本专利技术涉及光刻掩膜版
，具体是一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。
技术介绍
众所周知的：光刻技术是微电子产业中最关键的和最重要的一环，其所具备的大面积小尺寸加工能力很好的契合微电子的发展需求，因而成为了所有微电子芯片和器件的基础。其中，光刻技术将版图的图形转移到晶圆片上，需要经过一个重要的步骤——制版，即制备相应图形的光刻掩膜版。在芯片或器件制造过程中需要多次使用光刻，每次光刻都需要一块光刻掩膜版，因此光刻掩膜版是制造工艺里不可替代的关键工序，需求也极其大。目前，市场上的掩膜版分为铬版、干版、菲林、凸版(APR)，相比于菲林的性能差和凸版的专用性，干板价格适中但是精度和耐用性一般，铬版精度和耐用性较强但是价格很高。尤其在涉及到结构微小，图案复杂的掩膜版，一块铬版光刻掩膜版就需要上千或者上万元。随着光刻技术发展到纳米级别，特征尺寸越小，制备光刻掩膜版的成本也越高。如今，人类的加工能力已经发展到3纳米最小工艺节点，然而其所凭借的加工技术，如极紫外光刻(EUV)和纳米压印技术(N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、以进行PMMA层(1)旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO层(2)表面镀一层金属层(3)，得到PMMA-AAO-金属复合结构；/nS2、将S1步骤中得到的PMMA-AAO-金属复合结构放置到中间基片(5)上，并且放入到有机溶液(6)中，去除PMMA层(1)，利用中间基片将AAO-金属复合结构从溶液中取出；/nS3、将S2步骤中得到的AAO-金属复合结构浸没到酸性溶液(7)中，去除AAO层(2)，再利用玻璃基片(8)将具有纳米结构的金属层从混合溶液中取出；/nS4、将S3步骤中得到的金属-玻璃复合结构进行外延...

【技术特征摘要】
1.一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、以进行PMMA层(1)旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO层(2)表面镀一层金属层(3)，得到PMMA-AAO-金属复合结构；
S2、将S1步骤中得到的PMMA-AAO-金属复合结构放置到中间基片(5)上，并且放入到有机溶液(6)中，去除PMMA层(1)，利用中间基片将AAO-金属复合结构从溶液中取出；
S3、将S2步骤中得到的AAO-金属复合结构浸没到酸性溶液(7)中，去除AAO层(2)，再利用玻璃基片(8)将具有纳米结构的金属层从混合溶液中取出；
S4、将S3步骤中得到的金属-玻璃复合结构进行外延生长工艺，生长一层透明的覆盖层(9)将金属层(3)固定在玻璃基片(8)上，得到由纳米结构金属-玻璃组成的亚微米级光刻掩膜版。


2.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，AAO层(2)的孔间距为20nm-1μm。


3.如权利要求1所述的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，在AAO层(2)表面镀一层金属得到金属层(3)的厚度为10-500nm。


4.如权利要求1所述的基于AAO纳米结...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙堂友，刘云，涂杰，石卉，李海鸥，傅涛，刘兴鹏，陈永和，肖功利，李琦，张法碧，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西;45