一种密集型光波复用滤光片制造技术

本发明专利技术公开了一种密集型光波复用滤光片，包括基体及分别覆设在基体两个相对表面的滤光层、抗放射层，滤光层相对于基体的表面还设有抗刮层，当后续需要进行抛光操作时，能够防止滤光层因摩擦受损，确保滤光片的良率；同时，组成滤光层的一号介质亚层的构成材料采用了氢化硅，使滤光层的总层数得以降至不大于84层，且层厚得以不大于20μm，与现有技术相比，极大地减小了滤光层的厚度，有效抑制了因滤光层过厚造成的光损失、光通路迷和应力累积，实现整体制造成本的降低。

【技术实现步骤摘要】
一种密集型光波复用滤光片
本专利技术涉及光通讯器件领域，特别涉及一种密集型光波复用滤光片。
技术介绍
传统的密集型光波复用(DWDM:DenseWavelengthDivisionMultiplexing)系统用的滤波片膜层高达150层左右，膜厚可达近38μm，膜层本体会随镀膜条件产生结构性瑕疵，从而使密集型光波复用系统发生光散乱与吸收；而若膜层中附著Submicron粒子，附着处会形成核包并长成所谓的球粒(Nodule)，如果球粒表面的积层形成明显弯曲，当光线通过球粒众多的膜层时会在膜层的内部及表面散乱，造成光损失与光通路迷，该现象会随镀膜层数愈多而愈加明显。真空镀膜时，原子或分子急速的冷却拟附在基体上，分子在基体上的排列并非在最低能位置，且有不规则之微观结构，故其间必是有应力存在，一旦膜层内部应力变大时，基体会产生扭曲，使光产生复折射，造成PMD(PolarizationModeDispersion)及PDL(PolarizationDependentLoss)等问题。当镀膜层数多时，将使基体发生弯曲，造成监控中心位置与周围膜层不均，导致中心波长偏离，分光波形无法符合设计值的窘境，为了减小密集型光波复用滤波片的基体的弯曲程度，一般会在基体上镀膜后，再进行抛光减薄至所要求的厚度。但是，抛光工序的作业容易造成滤波片的摩擦损伤，导致不良率上升。
技术实现思路
本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够减少镀膜层数的密集型光波复用滤光片。根据本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片，包括基体；滤光层，覆盖在所述基体的一表面上，所述滤光层包括多个交替堆叠的一号介质亚层和二号介质亚层；抗刮层，盖设在所述滤光层相对于所述基体的表面上；以及抗反射层，覆设在所述基体的另一表面，所述抗反射层具备多个交替叠置的三号介质亚层和四号介质亚层；其中，所述一号介质亚层的构成材料为氢化硅，且所述一号介质亚层的折射率高于所述二号介质亚层的折射率，所述一号介质亚层和所述二号介质亚层的层数总和不大于84层，所述滤光层的层厚不大于20μm。根据本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片，至少具有如下有益效果：此密集型光波复用滤光片，包括基体及分别覆设在基体两个相对表面的滤光层、抗反射层，滤光层相对于基体的表面还设有抗刮层，当后续需要进行抛光操作时，能够防止滤光层因摩擦受损，确保滤光片的良率；同时，组成滤光层的一号介质亚层的构成材料采用了氢化硅，使滤光层的总层数得以降至不大于84层，且层厚得以不大于20μm，与现有技术相比，极大地减小了滤光层的厚度，有效避免了因滤光层过厚导致基体扭曲的问题发生，并抑制因滤光层过厚造成的光损失、光通路迷和应力累积，实现整体制造成本的降低。根据本专利技术的一些实施例，所述一号介质亚层的厚度为10nm～1500nm。根据本专利技术的一些实施例，所述二号介质亚层的构成材料为二氧化硅或者氟化镁。根据本专利技术的一些实施例，所述二号介质亚层的厚度为10nm～450nm。根据本专利技术的一些实施例，各所述三号介质亚层的所在层为奇数层，所述三号介质亚层的折射率高于所述四号介质亚层的折射率。根据本专利技术的一些实施例，所述三号介质亚层通过氢化硅、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、五氧化三钛、钛酸镧中的至少一种混合组成。根据本专利技术的一些实施例，所述四号介质亚层的构成材料为二氧化硅或者氟化镁。根据本专利技术的一些实施例，所述三号介质亚层与所述四号介质亚层的层数相加总和为4～12层，所述三号介质亚层的厚度为30nm～300nm，所述四号介质亚层的厚度为20nm～400nm。根据本专利技术的一些实施例，所述抗刮层的制作材质为硅铝化合物，所述抗刮层的厚度为50nm～200nm。根据本专利技术的一些实施例，所述基体的制作材料采用透明材料，所述基体的厚度范围在0.1mm至20mm之间。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步地说明；图1为本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片的结构示意图；图2为现有技术的密集型光波复用滤光片的滤光层插入损耗(IL)光谱图；图3为本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片的滤光层+抗刮层的插入损耗(IL)光谱图；图4为本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片的抗反射叠层反射率光谱图。具体实施方式本部分将详细描述本专利技术的具体实施例，本专利技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本专利技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本专利技术保护范围的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义。参照图1、图3和图4，本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片，包括基体1、滤光层2、抗反射层4及抗刮层3；其中，滤光层2覆盖在基体1的一表面上，此滤光层2包括多个交替堆叠的一号介质亚层和二号介质亚层；抗刮层3盖设在滤光层2相对于基体1的表面上；抗反射层4则覆设在基体1的另一表面，且该抗反射层4具备多个交替叠置的三号介质亚层和四号介质亚层。具体地，一号介质亚层的构成材料为氢化硅，且一号介质亚层的折射率高于二号介质亚层的折射率，一号介质亚层和二号介质亚层的层数总和不大于84层，滤光层2的层厚不大于20μm。根据本专利技术实施例的密集型光波复用滤光片，包括有基体1及分别覆设在基体1两个相对表面的滤光层2、抗放射层，滤光层2相对于基体1的表面还设有抗刮层3，当后续需要进行抛光操作时，能够防止滤光层2因摩擦受损，确保滤光片的良率；同时，组成滤光层2的一号介质亚层的构成材料采用了氢化硅，使滤光层2的总层数得以降至不大于84层，并使滤光层2的层厚得以不大于20μm，与现有技术相比，极大地减小了滤光层2的厚度，有效避免了因滤光层2过厚导致基体1扭曲的问题发生，并抑制因滤光层2过厚造成的光损失、光通路迷和应力累积，实现整体制造成本的降低。如图1所示，该具体实施例中，抗刮层3、滤光层2、基体1和抗反射层4自上而下依次叠置，可以理解的是，基体1的制作材料需为透明材料，以确保光能够正常从基体1通过。需要说明的是，在其他实施例中，抗刮层3、滤光层2、基体1和抗反射层4还可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种密集型光波复用滤光片，其特征在于：包括/n基体；/n滤光层，覆盖在所述基体的一表面上，所述滤光层包括多个交替堆叠的一号介质亚层和二号介质亚层；/n抗刮层，盖设在所述滤光层相对于所述基体的表面上；以及/n抗反射层，覆设在所述基体的另一表面，所述抗反射层具备多个交替叠置的三号介质亚层和四号介质亚层；/n其中，所述一号介质亚层的构成材料为氢化硅，且所述一号介质亚层的折射率高于所述二号介质亚层的折射率，所述一号介质亚层和所述二号介质亚层的层数总和不大于84层。/n

【技术特征摘要】
1.一种密集型光波复用滤光片，其特征在于：包括
基体；
滤光层，覆盖在所述基体的一表面上，所述滤光层包括多个交替堆叠的一号介质亚层和二号介质亚层；
抗刮层，盖设在所述滤光层相对于所述基体的表面上；以及
抗反射层，覆设在所述基体的另一表面，所述抗反射层具备多个交替叠置的三号介质亚层和四号介质亚层；
其中，所述一号介质亚层的构成材料为氢化硅，且所述一号介质亚层的折射率高于所述二号介质亚层的折射率，所述一号介质亚层和所述二号介质亚层的层数总和不大于84层。


2.根据权利要求1所述的密集型光波复用滤光片，其特征在于：所述一号介质亚层的厚度为10nm～1500nm。


3.根据权利要求2所述的密集型光波复用滤光片，其特征在于：所述二号介质亚层的构成材料为二氧化硅或者氟化镁。


4.根据权利要求3所述的密集型光波复用滤光片，其特征在于：所述二号介质亚层的厚度为10nm～450nm。


5.根据权利要求1所述的密集型光波复用滤光片，其特征在于：各所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信源，何伟峰，温勇健，
申请(专利权)人：广州市佳禾光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44