分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术的分析装置包括：电子发射元件、检测部、电场形成部、静电栅电极和控制部，所述电子发射元件设置为具有下部电极、表面电极以及中间层，且在电子发射元件和静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接地生成阴离子，静电栅电极被设置为控制阴离子向静电栅电极和检测部之间的漂移区域的注入，检测部被设置为检测通过上述电位梯度在漂移区域可移动的阴离子，控制部被设置为在下部电极和表面电极之间施加脉冲电压，且设置为在脉冲电压为导通的时间内向静电栅电极施加电压，以使静电栅电极将阴离子注入漂移区域。

【技术实现步骤摘要】
分析装置
本专利技术涉及一种分析装置。
技术介绍
已知，离子迁移分析(IonMobilitySpectrometry，MIS)在施加了电场的气体中通过移动试样中所含的成分离子化后的阴离子来分离和检测阴离子(例如，参考专利文献1)。通常，在离子迁移分析中，利用电晕放电使试样中含有的成分离子化。此外，已知一种设置在电极基板和表面电极之间的中间层的电子发射元件(例如，参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：WO2016/079780A1专利文献2：日本专利特开2015-18637号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题当试样所含的成分离子化使用电晕放电时，由于电晕放电的特性，特别是当产生负离子时，会产生大量的氮氧化物、臭氧、电磁波等在以IMS方式的气体分析时成为噪音源的物质。另一方面，已知使用电子发射元件的离子源可以大幅地抑制上述成为噪音源的物质的产生。但是，由于在大气中使用电子发射元件的离子化中，电子发射元件寿命比电晕放电的寿命短，因此难本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分析装置，其特征在于，包括:/n电子发射元件；/n检测部；/n电场形成部，其设置为在所述电子发射元件和所述检测部之间的区域形成电位梯度；/n静电栅电极，其配置在所述电子发射元件和所述检测部之间；以及/n控制部，/n所述电子发射元件具有下部电极、表面电极以及配置在所述下部电极和所述表面电极之间的中间层，并所述电子发射元件设置为通过在所述下部电极和所述表面电极之间施加电压来发射电子，且在所述电子发射元件和所述静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接生成阴离子，/n所述静电栅电极被设置为控制阴离子向所述静电栅电极和所述检测部之间的漂移区域的注入，/n所述检测部被设置为检测通过上述电...

【技术特征摘要】
20190617 JP 2019-1121231.一种分析装置，其特征在于，包括:
电子发射元件；
检测部；
电场形成部，其设置为在所述电子发射元件和所述检测部之间的区域形成电位梯度；
静电栅电极，其配置在所述电子发射元件和所述检测部之间；以及
控制部，
所述电子发射元件具有下部电极、表面电极以及配置在所述下部电极和所述表面电极之间的中间层，并所述电子发射元件设置为通过在所述下部电极和所述表面电极之间施加电压来发射电子，且在所述电子发射元件和所述静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接生成阴离子，
所述静电栅电极被设置为控制阴离子向所述静电栅电极和所述检测部之间的漂移区域的注入，
所述检测部被设置为检测通过上述电位梯度在所述漂移区域可移动的阴离子，
所述控制部被设置为在所述下部电极和所述表面电极之间施加脉冲电压，且设置为在所述脉冲电压为导通的时间内向所述静电栅电极施加电压，以使所述静电栅电极将阴离子注入所述漂移区域。


2.根据权利要求1所述的分析装置，其特征在于，
所述控制部设置为，在阴离子注入所述漂移区域后且在阴离子下一次注入所述漂移区域前的时间内，施加在所述下部电极和所述表面电极之间的脉冲电压处于断开的状态。


3.根据权利要求1或2所述的分析装置，其特征在于，
所述控制部设置为，在从阴离子注入所述漂移区域后到10毫秒后的时间内所述脉冲电压处于断开的状态。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的分析装置，其特征在于，
施加在所述下部电极和所述表面电极之间的脉冲电压的脉冲宽度为1毫秒以上且30毫秒以下。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的分析装置，其特征在于，
所述控制部被设置为，在所述脉冲电压从断开切换为导通之后到经过了脉冲宽度的一半时间后的时刻，向所述静电栅电极施加电压，使得所述静电栅电极向所述漂移区域注入阴离子。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的分析装置，其特征在于，
所述分析装置还...

【专利技术属性】
技术研发人员：平川千佳，岩松正，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP