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文档序号:26759368
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本发明的分析装置包括:电子发射元件、检测部、电场形成部、静电栅电极和控制部,所述电子发射元件设置为具有下部电极、表面电极以及中间层,且在电子发射元件和静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接地生成阴离子,静电栅电极被设置为控制阴离...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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