一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法技术

一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法，传感器包括若干阵列布置的电容式碳化硅高温压力传感单元，每个电容式碳化硅高温压力传感单元包括衬底，衬底的两侧连接有支柱，衬底的中部连接有多个阵列布置的下电极，下电极和碳化硅薄膜上连接的多个阵列布置的上电极配合形成多个子电容，碳化硅薄膜两侧连接在支柱顶部，上电极顶部和上电极引线连接，上电极引线的上方设有玻璃盖板；相邻支柱之间与碳化硅薄膜、衬底形成空腔；上电极、下电极为竖直布置，通过改变上电极、下电极间面积来反应压力变化；制备方法采用刻蚀、溅射、腐蚀、键合等工艺，本发明专利技术增大输出信号，提高信噪比，提高线性度，提高压力传感器的工作温度。

【技术实现步骤摘要】
一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法
本专利技术属于压力传感器
，具体涉及一种电容式碳化硅高温压力传感器及其制备方法。
技术介绍
压力传感器是能感受压力信号，并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的电信号输出的器件或装置，广泛应用于机载大气数据测试系统、航空大气数据校验仪、机舱压力测试、航空航天地面测试系统和高性能风洞等领域。同时，在现代先进战机上，常用来实现翼面和起落传动装置的液体高压控制、自动系统的液压控制、航空电子设备冷却气体气压测试、去冰系统的吹气压力测量、备用电源发动机油气进口端压力测试、座舱压力测量以及机上氧气系统监测等，为战机的控制和执行系统提供基础数据。电容式压力传感器是一种利用电容敏感元件将被测压力转换成与之成一定关系的电量输出的压力传感器，其主要优点在于输入能量低，动态响应快，环境适应性好。通常情况下，电容式压力传感器按照极距变化型电容式传感器，可分为单电容式压力传感器和差动电容式压力传感器；当薄膜感受压力而变形时，两种电容式压力传感器的薄膜与固定电极之间形成的电容量发生变化，通过测量电路即可输出与电压成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容式碳化硅高温压力传感器，其特征在于：包括若干阵列布置的电容式碳化硅高温压力传感单元(100)，每个电容式碳化硅高温压力传感单元(100)包括衬底(6)，衬底(6)的两侧连接有支柱(8)，衬底(6)的中部连接有多个阵列布置的下电极(5)，下电极(5)和碳化硅薄膜(4)上连接的多个阵列布置的上电极(3)配合形成多个子电容，碳化硅薄膜(4)两侧连接在支柱(8)顶部，上电极(3)顶部和上电极引线(2)连接，上电极引线(2)的上方设有玻璃盖板(1)；通过支柱(8)将电容式碳化硅高温压力传感器分割为若干电容式碳化硅高温压力传感单元(100)，相邻支柱(8)之间与碳化硅薄膜(4)、衬底(6)形成...

【技术特征摘要】
1.一种电容式碳化硅高温压力传感器，其特征在于：包括若干阵列布置的电容式碳化硅高温压力传感单元(100)，每个电容式碳化硅高温压力传感单元(100)包括衬底(6)，衬底(6)的两侧连接有支柱(8)，衬底(6)的中部连接有多个阵列布置的下电极(5)，下电极(5)和碳化硅薄膜(4)上连接的多个阵列布置的上电极(3)配合形成多个子电容，碳化硅薄膜(4)两侧连接在支柱(8)顶部，上电极(3)顶部和上电极引线(2)连接，上电极引线(2)的上方设有玻璃盖板(1)；通过支柱(8)将电容式碳化硅高温压力传感器分割为若干电容式碳化硅高温压力传感单元(100)，相邻支柱(8)之间与碳化硅薄膜(4)、衬底(6)形成空腔(7)；
上电极(3)、下电极(5)为竖直布置，通过改变上电极(3)、下电极(5)间面积来反应压力变化。


2.根据权利要求1所述的一种电容式碳化硅高温压力传感器，其特征在于：所述的上电极(3)和对应的下电极(5)形成平板电容压力感应单元(9)，若干电容式碳化硅高温压力传感单元(100)中的上电极(3)产生的信号由上电极引线(2)并联输出，下电极(5)产生的信号由衬底(6)并联输出。


3.根据权利要求1所述的一种电容式碳化硅高温压力传感器，其特征在于：所述的空腔(7)区域长度为10μm～200μm，宽度为10μm～200μm。


4.根据权利要求1所述的一种电容式碳化硅高温压力传感器，其特征在于：所述的支柱(8)高度为1μm～10μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：方续东，
申请(专利权)人：绍兴精传传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33