一种氯硝盐制备导体铜的方法技术

本发明专利技术公开一种氯硝盐制备导体铜的方法。吸收氯硝盐气体的原料加入到反应室中；在反应室上加装振动器，使反应室发生一定频率运动，反应室底面上设置一定密度细长条状或点状齿牙，使溶液不产生沉淀阳极泥，控制反应温度，控制氯硝盐气流进入速度，使氯硝盐气体与原料充分反应，不使原料飞溅或沉淀，气体流速不高于2M/N2.S，混合气体中的氯氧气与原料反应生成氧化物固体，在持续加入的原料推动下，从反应室最低端的出口排出，从而制备得到高纯铜。本发明专利技术利用氯硝盐类似金属或非金属还原性物质，或含有此类物质的混合物，在固体形态下吸收铜液金属，提纯过程采用在常温下进行电解铜。

【技术实现步骤摘要】
一种氯硝盐制备导体铜的方法
本专利技术涉及一种氯硝盐制备导体铜的方法，属于化工及冶金行业领域。
技术介绍
氯硝盐和铜反应后抵消了氯气有毒气体、使铜的其它元素得有效的分离，从而使铜的纯度能够迅速的提升3-4％以上。有色金属的精炼离不开很多试剂，而在使用试剂的过程自然会产生氯气，而氯气的危害性很多不多赘述。[氯硝盐在使用过程按1比2比4的关系。氯酸铜1、硝酸2、蒸馏水、3工业盐。4的配比进行混合溶液，过程在敞开的玻璃滋溶器里混合搅拌好，在用磁力泵抽进电解槽子使用。有色金属精炼都会或多或少产生氯气，氯气的毒害性很大但是加上工业盐进行调质后，无论在何种情况下，何种温度下都会清除这种气味，对于生产超纯铜的环境会有很大改善。这种混合试剂是环保性很强的持产超纯铜的试剂。在使用上述试剂的过程要在全封闭的无尘、无菌、无风的车间里生产。过去国际上处理高纯铜全采用浸渗法处理99.9％的氧化电解过程，必须要加热至65度的基础上才能达到电解的目地。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种氯硝盐制备导体铜的方法，利用氯硝盐类似金属或非金属还原性物质，或含有此类物质的混合物，在固体形态下吸收铜液金属，提纯过程采用在常温下进行电解铜，使铜的纯度从原来的99.9％逐步上升到99.9999-99.99999％。本专利技术通过以下技术手段解决上述技术问题：一种氯硝盐制备导体铜的方法，其为以下步骤：1)吸收氯硝盐气体的原料连续均匀地加入到由上到下10-25°倾斜的反应室中，原料由上端加入；2)在反应室上加装振动器，使反应室发生一定频率运动，反应室底面上设置一定密度细长条状或点状齿牙，使溶液不产生沉淀阳极泥；3)控制原料加入速度，使反应室的底面上至少三分之二的面积布满原料；4)反应室外壁四周设置增大原料与氯硝盐之间接触面积的装置，在磁场作用下固定原料，使原料不飞溅起来；5)控制反应温度，当温度过高时，引入排气管放出的不参与反应的气体来稀释反应物浓度的方式来控制，使得反应体系温度保持20-23℃，反应时采用微辐射或电热的方式提供能量给反应系统；6)氯硝盐体积浓度达到12％以上时，启动反应的入口处温度需要控制在23℃以下，氯硝盐体积浓度低至不足1％时，启动反应的入口处温度需要控制在20-23℃之间；7)控制氯硝盐气流进入速度，使氯硝盐气体与原料充分反应，不使原料飞溅或沉淀，气体流速不高于2M/N2.S；8)控制反应室温度为20-26℃，使氯硝盐化合物气体从上口流出，流出的氯硝盐化合物气体进入冷却分离器，冷却到18-20℃，收集并循环继续使用；9)混合气体中的氯氧气与原料反应生成氧化物固体，在持续加入的原料推动下，从反应室最低端的出口排出，从而制备得到高纯铜。所述步骤(1)的原料为铜原料。所述步骤(1)的反应室由耐热1000℃以上且耐氯硝盐腐蚀的材料制成。反应结束后未反应完全的原料，通过二次回流的方法溶解成溶液再利用。反应室的末端处理段保持温度为20-30℃，分离出超纯铜成品后的氯硝盐气体经吸收处理后外排到下一道工序使用。反应室为一个单独的反应室或者上下叠加放置多个反应室，整个废氯硝盐气处理系统的设备保持密封连接。本专利技术提出的超纯铜提纯办法和需求在常温下进行电解处理。工艺不复杂节省15至20％的用电量，生产成本也下降。把固体铜放在电解槽子里，按1比2，1比5的比例配好混合液进行还原反应。氯硝盐混合溶液被固体铜吸收，吸附在阴离子上，用流动性溶液进行冲刷过程，阶段性氧化和吸附，废溶液再循环到下一道工序上。通过此方法进行氯硝盐氧化还原处理，制成了氯硝盐铜。使铜从原子结构阴离子的数都得到了部分的洁化。因而排除了与它不相关的原素，使它的纯度越加高，集密度更加高纯。本专利技术制备的高纯铜超导体铜材料的应用。应用于国防高科技、航天领域、航海领域、电子通讯领域、高电压系统领域、电子机械工程领域、软电子系统领域、半导体领域。1、超导电性铜材料，纯度在6N至9N之间，以上特点是重量轻、体积小；2、耐柔软性，超导光电性，易焊性，耐高温，超带材性，超常性；3、超薄性，超抗疲劳性，超延展性；4、超抗干扰性，高输电性，载体小，阻抗低；5、一度电有效使用率在0.92％至0.95％之间；6、不发烧，不氧化。本专利技术的有益效果是：利用氯硝盐类似金属或非金属还原性物质，或含有此类物质的混合物，在固体形态下吸收铜液金属，提纯过程采用在常温下进行电解铜。使铜的纯度从原来的99.9％逐步上升到99.9999-99.99999％。附图说明附图1为本专利技术反应室的结构示意图。附图2为本专利技术实施例1最终得到的产品的检测数据。具体实施方式以下将结合具体实施例对本专利技术进行详细说明，本实施例的一种氯硝盐制备导体铜的方法，其为以下步骤：1)吸收氯硝盐气体的原料连续均匀地加入到由上到下10-25°倾斜的反应室中，原料由上端加入；2)在反应室上加装振动器，使反应室发生一定频率运动，反应室底面上设置一定密度细长条状或点状齿牙，使溶液不产生沉淀阳极泥；3)控制原料加入速度，使反应室的底面上至少三分之二的面积布满原料；4)反应室外壁四周设置增大原料与氯硝盐之间接触面积的装置，在磁场作用下固定原料，使原料不飞溅起来；5)控制反应温度，当温度过高时，引入排气管放出的不参与反应的气体来稀释反应物浓度的方式来控制，使得反应体系温度保持20-23℃，反应时采用微辐射或电热的方式提供能量给反应系统；6)氯硝盐体积浓度达到12％以上时，启动反应的入口处温度需要控制在23℃以下，氯硝盐体积浓度低至不足1％时，启动反应的入口处温度需要控制在20-23℃之间；7)控制氯硝盐气流进入速度，使氯硝盐气体与原料充分反应，不使原料飞溅或沉淀，气体流速不高于2M/N2.S；在实际应用中必须在在阳极和阴极之间加以适当的电压来克服电流的电阻，在阴极上电镀铜需要较小的电压(约0.05V)铜从阳极上溶解入电解液需要较小的电压(约0.1V)工业上常用的阴阳两极接的电压为0.5V。铅氧粒子依靠扩散和对流的方式进行迁移在阴极表面铜阴离子和在电子再次反应生成超导体铜材料。8)控制反应室温度为20-26℃，使氯硝盐化合物气体从上口流出，流出的氯硝盐化合物气体进入冷却分离器，冷却到18-20℃，收集并循环继续使用；9)混合气体中的氯氧气与原料反应生成氧化物固体，在持续加入的原料推动下，从反应室最低端的出口排出，从而制备得到高纯铜。所述步骤(1)的原料为铜原料。所述步骤(1)的反应室由耐热1000℃以上且耐氯硝盐腐蚀的材料制成。反应结束后未反应完全的原料，通过二次回流的方法溶解成溶液再利用。反应室的末端处理段保持温度为20-30℃，分离出超纯铜成品后的氯硝盐气体经吸收处理后外排到下一道工序本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氯硝盐制备导体铜的方法，其特征在于，为以下步骤：/n1)吸收氯硝盐气体的原料连续均匀地加入到由上到下10-25°倾斜的反应室中，原料由上端加入；/n2)在反应室上加装振动器，使反应室发生一定频率运动，反应室底面上设置一定密度细长条状或点状齿牙，使溶液不产生沉淀阳极泥；/n3)控制原料加入速度，使反应室的底面上至少三分之二的面积布满原料；/n4)反应室外壁四周设置增大原料与氯硝盐之间接触面积的装置，在磁场作用下固定原料，使原料不飞溅起来；/n5)控制反应温度，当温度过高时，引入排气管放出的不参与反应的气体来稀释反应物浓度的方式来控制，使得反应体系温度保持20-23℃，反应时采用微辐射或电热的方式提供能量给反应系统；/n6)氯硝盐体积浓度达到12％以上时，启动反应的入口处温度需要控制在23℃以下，氯硝盐体积浓度低至不足1％时，启动反应的入口处温度需要控制在20-23℃之间；/n7)控制氯硝盐气流进入速度，使氯硝盐气体与原料充分反应，不使原料飞溅或沉淀，气体流速不高于2M/N2.S；/n8)控制反应室温度为20-26℃，使氯硝盐化合物气体从上口流出，流出的氯硝盐化合物气体进入冷却分离器，冷却到18-20℃，收集并循环继续使用；/n9)混合气体中的氯氧气与原料反应生成氧化物固体，在持续加入的原料推动下，从反应室最低端的出口排出，从而制备得到高纯铜。/n...

【技术特征摘要】
1.一种氯硝盐制备导体铜的方法，其特征在于，为以下步骤：
1)吸收氯硝盐气体的原料连续均匀地加入到由上到下10-25°倾斜的反应室中，原料由上端加入；
2)在反应室上加装振动器，使反应室发生一定频率运动，反应室底面上设置一定密度细长条状或点状齿牙，使溶液不产生沉淀阳极泥；
3)控制原料加入速度，使反应室的底面上至少三分之二的面积布满原料；
4)反应室外壁四周设置增大原料与氯硝盐之间接触面积的装置，在磁场作用下固定原料，使原料不飞溅起来；
5)控制反应温度，当温度过高时，引入排气管放出的不参与反应的气体来稀释反应物浓度的方式来控制，使得反应体系温度保持20-23℃，反应时采用微辐射或电热的方式提供能量给反应系统；
6)氯硝盐体积浓度达到12％以上时，启动反应的入口处温度需要控制在23℃以下，氯硝盐体积浓度低至不足1％时，启动反应的入口处温度需要控制在20-23℃之间；
7)控制氯硝盐气流进入速度，使氯硝盐气体与原料充分反应，不使原料飞溅或沉淀，气体流速不高于2M/N2.S；
8)控制反应室温度为20-26℃，使氯硝盐化合物气体从上口流出，流出...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁义存，祭刚，丁奇伟，
申请(专利权)人：甘肃聚国源新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62