【技术实现步骤摘要】
一种耐高温红外低发射率涂层的制备方法
本专利技术属于红外隐身
,具体为一种耐高温红外低发射率涂层的制备方法。
技术介绍
随着军事技术的快速发展,红外隐身技术变得越来越重要,而红外隐身的关键在于降低目标的红外辐射强度。根据玻尔兹曼定律:红外辐射强度E=εσT4,(其中ε为材料的发射率,T为物体表面的热力学温度,σ为玻尔兹曼常数)要降低红外辐射强度,最主要是降低材料的温度和发射率,所以制备低发射率且隔热性能好的涂层至关重要。现在主要的低发射率涂层有金属材料和半导体材料,金属材料虽然具有较低的发射率,但是随着飞行器的发展,目标高速飞行使表面温度急剧上升,在高温环境下,金属材料容易氧化裂解,失去了红外隐身的作用。在现有的研究中,由于等离子喷涂具有技术稳定,涂层质量高,喷涂种类多的优点,所以选用等离子喷涂技术制备半导体涂层,但是制备出来的涂层在2-14μm波段都是半透明的,透过率高达20-50%。这样的涂层不适用于红外隐身技术,因为高的透过率导致飞行器向外辐射较多的能量,目标会更容易被探测到。另外,在目前的研究中 ...
【技术保护点】
1.一种耐高温红外低发射率涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤1、选择纯度大于99.9wt%的YSZ粉体,将粉体干燥备用;/n步骤2、对石墨基底材料进行超声清洗及烘干;/n步骤3、采用等离子体喷涂技术在步骤2所得石墨基底表面进行喷涂步骤1所得YSZ粉体,制备YSZ涂层;/n步骤4、将步骤3制备好的YSZ涂层在空气中进行退火,退火温度为800-1200℃,时间为1-4h,使石墨基底剥落,得到YSZ涂层。/n
【技术特征摘要】
1.一种耐高温红外低发射率涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、选择纯度大于99.9wt%的YSZ粉体,将粉体干燥备用;
步骤2、对石墨基底材料进行超声清洗及烘干;
步骤3、采用等离子体喷涂技术在步骤2所得石墨基底表面进行喷涂步骤1所得YSZ粉体,制备YSZ涂层;
步骤4、将步骤3制备好的YSZ涂层在空气中进行退火,退火温度为800-1200℃,时间为1-4h,使石墨基底剥落,得到YSZ涂层。
2.如权利要求1所述耐高温红外低发射率涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤1中YSZ粉体的粒度为10~50μm。
3.如权利要求1所述耐高温红外低发射率涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤3制得的YSZ涂层厚度为100-700μm。
4.如权利要求1所述耐高温红外低发射率涂层的制备方法,其特征在于:所述步骤1中,YSZ粉体中的ZrO2和Y2O3的摩尔比为8:1。
5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:张丽,殷举航,张胤,张敏,江绍亮,王昕,谢建良,梁迪飞,邓龙江,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川;51
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